双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备，它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片，所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间，所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上，通过双电荷耦合成像芯片，适时切换使用，以获得最佳的图像信息，并可透过雾、霾进行目标观测，其观测距离是现有技术的１．５至２．３倍。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种望远摄像的装置，尤其是指一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置。
技术介绍
现有技术中的观察设备(光学望远镜及通用摄像装置)是通过光学的放大原理来实现望远效果的，当人们的可见视线被雾、霾、空气中的尘埃或硝烟遮挡时人们便不能穿透其中进行观测，即无法突破气象能见度对人类视距的限制。在现有技术中，通过大量的实践证明，当采用可见光方式工作时，利用彩色模式的电荷耦合成像芯片，可以得到最佳的彩色图像信息，但此时使用黑白模式的电荷耦合成像芯片将损失大量宝贵的彩色信息；在使用不可见光方式工作时，彩色模式的电荷耦合成像芯片则不能显示出应有的信息量，而采用黑白模式的电荷耦合成像芯片时即可得到最大的图像信息；当使用兼容式的电荷耦合成像芯片时，其效果比分别独立的电荷耦合成像芯片的使用效果要相差甚远。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有简单结构，且能够超出光学望远镜和通用摄像装置的望远距离0.5-1.3倍的双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，以弥补上述现有技术中存在的不足。本技术涉及的一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备，它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片，所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间，所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上。所述滤光片组由若干个不同参数的近红外带通滤光片和1个补偿片构成，其所述近红外带通滤光片的波长范围是0.76μm-1.2μm。在所述光学长焦多变倍镜头与滤光片组之间设有偏振光片组和偏振光片电机，其偏振光片组由若干个不同参数的偏振光片构成。在彩色模式下，滤光片选择电机使滤光片处于空档位置，使之工作在可见光状态，反射镜电机将反射镜打开，让图像光束经过反射镜进到垂直电荷耦合成像芯片中；当气象能见度不良时，该装置工作在不可见光模式，滤光片选择电机选择所用滤光片，反射镜电机将反射镜收回，让图像光束直接进入水平电荷耦合成像芯片中；不论是工作在不可见光模式或可见光模式，根据拍摄取向是逆光、侧光、水波等状况，通过偏振光片电机选择不同参数的偏振光片，以阻档或减弱杂散光，增大图像的对比度。本技术双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置的优点是本技术可以广泛应用于需远距离观测的各种场合，包括雷达监控中盲区的补盲工作，适用范围广，通过双电荷耦合成像芯片，适时切换使用，设置在装置内的偏振光片不但可以根据情况进行选择，而且可以大大减小偏振光片的直径，阻档或减弱杂散光，以获得最佳的图像信息，并可透过雾、霾进行目标观测，其观测距离是现有技术的1.5至2.3倍，同时可以对将所视画面实时记录，进行分析外理。附图说明图1为本技术的结构示意图。图中1输入窗、2前置镜片组、3后置镜片组、4光量控制电机、5光圈、6滤光片选择电机、7滤光片组、8反射镜、9图像处理设备、10显示设备、11视频生成电路及其合成电路、12水平电荷耦合成像芯片、13反射镜电机、14偏振光片组、15垂直电荷耦合成像芯片、16偏振光片电机、17输出窗、18变倍控制电机、19调焦控制电机。以下结合附图对本技术做进一步说明。具体实施方式如图中所示，本技术涉及的一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路11、图像处理设备9和显示设备10，它还包括有滤光片组7、水平电荷耦合成像芯片12、垂直电荷耦合成像芯片15、反射镜8；所述光学长焦多变倍镜头是由输入窗1、输出窗17、前置镜片组2、后置镜片组3、光圈5、变倍控制电机18、调焦控制电机19、光量控制电机4所构成，通过控制模块对电机的控制实现光学长焦多变倍镜头的调控，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片12，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片15，所述滤光片组7和反射镜8依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片12之间，所述垂直电荷耦合成像芯片15设置在与反射镜8相对应的位置上。所述滤光片组7由若干个不同参数的近红外带通滤光片和1个补偿片构成，其所述近红外带通滤光片的波长范围是0.76μm-1.2μm。在所述光学长焦多变倍镜头与滤光片组7之间设有偏振光片组14和偏振光片电机16，其偏振光片组14由若干个不同参数的偏振光片构成。权利要求1.一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备，其特征在于它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片，所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间，所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上。2.根据权利要求1所述的双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，其特征在于所述滤光片组由若干个不同参数的近红外带通滤光片和1个补偿片构成，其所述近红外带通滤光片的波长范围是0.76μm-1.2μm。3.根据权利要求1所述的双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，其特征在于在光学长焦多变倍镜头与滤光片组之间设有偏振光片组和偏振光片电机，其偏振光片组由若干个不同参数的偏振光片构成。专利摘要本技术双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备，它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片，所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间，所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上，通过双电荷耦合成像芯片，适时切换使用，以获得最佳的图像信息，并可透过雾、霾进行目标观测，其观测距离是现有技术的1.5至2.3倍。文档编号G02B23/00GK2722276SQ20042008916公开日2005年8月31日 申请日期2004年8月30日 优先权日2004年8月30日专利技术者徐潮 申请人:北京佳士凯科技中心本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置，包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备，其特征在于：它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜，所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部，所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部，其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片，另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片，所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间，所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐潮，
申请(专利权)人：北京佳士凯科技中心，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]