一种碳块打磨方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种碳块打磨方法及装置，所述方法包括：获取待打磨碳块的全局深度图；根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标；根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标；根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置后，根据空间位置对待打磨碳块进行打磨。采用本发明专利技术实施例提高了碳块打磨的效率。高了碳块打磨的效率。高了碳块打磨的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种碳块打磨方法及装置


[0001]本专利技术涉及数据处理
，尤其涉及一种碳块打磨方法及装置。

技术介绍

[0002]碳块打磨是碳块生产过程不可或缺的环节。初加工生产出的碳块的外表面通常十分粗糙，遍布裂痕、缺陷、碳渣，需要经过打磨使其表面光滑，然后才能出厂销售。
[0003]现有技术中，往往通过人工进行碳块打磨的流程，存在效率低下的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种碳块打磨方法及装置，提高了碳块打磨的效率。
[0005]本申请实施例的第一方面提供了一种碳块打磨方法，包括：
[0006]获取待打磨碳块的全局深度图；
[0007]根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标；
[0008]根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标；
[0009]根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置后，根据空间位置对待打磨碳块进行打磨。
[0010]在第一方面的一种可能的实现方式中，获取待打磨碳块的全局深度图，具体为：
[0011]通过3D相机获取待打磨碳块的点云图；
[0012]将点云图映射为全局深度图并获取。
[0013]在第一方面的一种可能的实现方式中，根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标，具体为：
[0014]根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗区域；
[0015]根据深度模型获取碳碗区域的掩膜；
[0016]根据掩膜的边界点形成拟合圆，计算拟合圆的面积和掩膜的面积之间的面积差；
[0017]计算拟合圆的圆心和掩膜的质心之间的相对距离；
[0018]当面积差小于第一预设数值且相对距离小于第二预设数值时，判定拟合圆的圆心和掩膜的质心重合，将拟合圆的圆心的坐标作为待打磨碳块的碳碗圆心坐标并获取。
[0019]在第一方面的一种可能的实现方式中，根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标，具体为：
[0020]根据分割模型获取碳碗区域的键槽区域；
[0021]根据预设键槽模板对键槽区域进行匹配，根据匹配结果获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标。
[0022]在第一方面的一种可能的实现方式中，根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置，具体为：
[0023]根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标，计算键槽的方位角度，可由以下公式表示：
[0024][0025]其中，x0、y0代表碳碗圆心坐标；x1、y1代表碳碗键槽中心点坐标；θ代表键槽的方位角度；
[0026]根据键槽的方位角度、碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标，构成待打磨碳块的空间位置并获取。
[0027]本申请实施例的第二方面提供了一种碳块打磨装置，包括：第一获取模块、第二获取模块、第三获取模块和打磨模块；
[0028]其中，第一获取模块用于获取待打磨碳块的全局深度图；
[0029]第二获取模块用于根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标；
[0030]第三获取模块用于根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标；
[0031]打磨模块用于根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置后，根据空间位置对待打磨碳块进行打磨。
[0032]在第二方面的一种可能的实现方式中，获取待打磨碳块的全局深度图，具体为：
[0033]通过3D相机获取待打磨碳块的点云图；
[0034]将点云图映射为全局深度图并获取。
[0035]在第二方面的一种可能的实现方式中，根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标，具体为：
[0036]根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗区域；
[0037]根据深度模型获取碳碗区域的掩膜；
[0038]根据掩膜的边界点形成拟合圆，计算拟合圆的面积和掩膜的面积之间的面积差；
[0039]计算拟合圆的圆心和掩膜的质心之间的相对距离；
[0040]当面积差小于第一预设数值且相对距离小于第二预设数值时，判定拟合圆的圆心和掩膜的质心重合，将拟合圆的圆心的坐标作为待打磨碳块的碳碗圆心坐标并获取。
[0041]在第二方面的一种可能的实现方式中，根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标，具体为：
[0042]根据分割模型获取碳碗区域的键槽区域；
[0043]根据预设键槽模板对键槽区域进行匹配，根据匹配结果获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标。
[0044]在第二方面的一种可能的实现方式中，根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置，具体为：
[0045]根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标，计算键槽的方位角度，可由以下公式表示：
[0046][0047]其中，x0、y0代表碳碗圆心坐标；x1、y1代表碳碗键槽中心点坐标；θ代表键槽的方位角度；
[0048]根据键槽的方位角度、碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标，构成待打磨碳块的
空间位置并获取。
[0049]相比于现有技术，本专利技术实施例提供的一种碳块打磨方法及装置，所述方法包括：获取待打磨碳块的全局深度图；根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标；根据全局深度图获取待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标；根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置后，根据空间位置对待打磨碳块进行打磨。
[0050]其有益效果在于：本专利技术实施例获取待打磨碳块的全局深度图后，根据待打磨碳块的全局深度图获取待打磨碳块的碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标，并根据碳碗圆心坐标和碳碗键槽中心点坐标获取待打磨碳块的空间位置后，对待打磨碳块进行打磨，能够实现对于待打磨碳块的自动化打磨，避免了现有技术中由于人工进行碳块打磨而导致的效率低下的问题。
[0051]进一步地，本专利技术实施例将2D图像处理与3D视觉技术结合，将深度学习模型与模板匹配方法结合，能够准确获取待打磨碳块的空间位置，从而进一步保证了对于碳块打磨的精度。
附图说明
[0052]图1是本专利技术一实施例提供的一种碳块打磨方法的流程示意图；
[0053]图2是是本专利技术一实施例提供的待打磨碳块的全局深度图示意图；
[0054]图3是本专利技术一实施例提供的碳碗区域示意图；
[0055]图4是本专利技术一实施例提供的键槽分布示意图；
[0056]图5是本专利技术一实施例提供的一种碳块打磨装置的结构示意图。
具体实施方式
[0057]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0058]参照图1，是本专利技术一实施例提供的一种碳块打磨方法的流程示意图，包括S101
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳块打磨方法，其特征在于，包括：获取待打磨碳块的全局深度图；根据所述全局深度图获取所述待打磨碳块的碳碗圆心坐标；根据所述全局深度图获取所述待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标；根据所述碳碗圆心坐标和所述碳碗键槽中心点坐标获取所述待打磨碳块的空间位置后，根据所述空间位置对所述待打磨碳块进行打磨。2.根据权利要求1所述的一种碳块打磨方法，其特征在于，所述获取待打磨碳块的全局深度图，具体为：通过3D相机获取待打磨碳块的点云图；将所述点云图映射为全局深度图并获取。3.根据权利要求2所述的一种碳块打磨方法，其特征在于，所述根据所述全局深度图获取所述待打磨碳块的碳碗圆心坐标，具体为：根据所述全局深度图获取所述待打磨碳块的碳碗区域；根据深度模型获取所述碳碗区域的掩膜；根据所述掩膜的边界点形成拟合圆，计算所述拟合圆的面积和所述掩膜的面积之间的面积差；计算所述拟合圆的圆心和所述掩膜的质心之间的相对距离；当所述面积差小于第一预设数值且所述相对距离小于第二预设数值时，判定所述拟合圆的圆心和所述掩膜的质心重合，将所述拟合圆的圆心的坐标作为所述待打磨碳块的碳碗圆心坐标并获取。4.根据权利要求3所述的一种碳块打磨方法，其特征在于，所述根据所述全局深度图获取所述待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标，具体为：根据分割模型获取所述碳碗区域的键槽区域；根据预设键槽模板对所述键槽区域进行匹配，根据匹配结果获取所述待打磨碳块的碳碗键槽中心点坐标。5.根据权利要求4所述的一种碳块打磨方法，其特征在于，所述根据所述碳碗圆心坐标和所述碳碗键槽中心点坐标获取所述待打磨碳块的空间位置，具体为：根据所述碳碗圆心坐标和所述碳碗键槽中心点坐标，计算键槽的方位角度，可由以下公式表示：其中，x0、y0代表所述碳碗圆心坐标；x1、y1代表所述碳碗键槽中心点坐标；θ代表所述键槽的方位角度；根据所述键槽的方位角度、所述碳碗圆心坐标和所述碳碗键槽中心点坐标，构成所述待打磨碳块的空间位置并获取。6.一种碳块打磨装置，其特征在于，包括：第一获取模块、第二获取模块、第三获取模块和...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁野，张泽阳，万里红，
申请(专利权)人：河南中原动力智能制造有限公司，
类型：发明
国别省市：