一种过欠压保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种过欠压保护电路，包括过压检测部分、欠压检测部分和保护电路部分，所述过压检测部分包括比较器U1A、电阻R1和电阻R2，比较器U1A的反相输入端与电阻R1与电阻R2的中点相连，比较器U1A的同相输入端连接有参考电压V

【技术实现步骤摘要】
一种过欠压保护电路


[0001]本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种过欠压保护电路。

技术介绍

[0002]开关电源有体积小、成本低、输出电压稳定以及输入电压范围宽等优点，因此广泛应用于各类的电子产品，而过欠压保护作为对开关电源最基本的保护功能，防止了输入电压过高或者过低对电源自身的芯片、MOS管等关键器件造成损坏。
[0003]现有的过欠压保护电路存在保护方式比较单一，使用的元器件较多，占用的反馈信号接口较多，需要向比较器提供不同参考电压等问题。

技术实现思路

[0004]基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种过欠压保护电路。
[0005]本专利技术提出的一种过欠压保护电路，包括过压检测部分、欠压检测部分和保护电路部分，所述过压检测部分包括比较器U1A、电阻R1和电阻R2，比较器U1A的反相输入端与电阻R1与电阻R2的中点相连，比较器U1A的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1A的同相输入端通过电阻R5和二极管D1与比较器U1A的输出端相连，所述欠压检测部分包括比较器U1B、电阻R3和电阻R4，比较器U1B的反相输入端与电阻R3与电阻R4的中点以及比较器U1A的输出端相连，比较器U1B的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1B的同相输入端通过电阻R6和二极管D2与比较器U1B的输出端相连，所述保护电路部分包括三极管T1，三极管T1的基极通过电阻R7与比较器U1B的输出端相连，三极管T1的发射极通过电感L1与辅助电源提供的V
cc
相连，三极管T1的集电极通过电阻R8与控制芯片的供电引脚V
cc
相连。
[0006]优选的，所述电阻R2的两端并有电容C1。
[0007]优选的，所述电阻R4的两端并有电容C2。
[0008]优选的，所述比较器U1A上连接有电容C3，比较器U1B上连接有电容C4。
[0009]优选的，所述电感L1的两端分别并有电容C5和电容C6，所述三极管T1的发射极和集电极分别并有电容C6和电容C7。
[0010]本专利技术中，所述一种过欠压保护电路，采用将芯片LM2903中的两个比较器串联的方式，将过压检测部分和欠压检测部分结合，避免了需要提供不同参考电压以及在控制系统接收端占用较多I/O口的问题，简化了过欠压保护电路。
[0011]本专利技术通过将芯片LM2903中两个比较器串联，减少了使用元器件的数量和在控制接收端占用较多I/O口的问题，同时只需要提供相同的参考电压，简化了过欠压保护电路。
附图说明
[0012]图1为本专利技术提出的一种过欠压保护电路的电路图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0014]参照图1，一种过欠压保护电路，包括过压检测部分、欠压检测部分和保护电路部分，所述过压检测部分包括比较器U1A、电阻R1和电阻R2，比较器U1A的反相输入端与电阻R1与电阻R2的中点相连，比较器U1A的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1A的同相输入端通过电阻R5和二极管D1与比较器U1A的输出端相连，所述欠压检测部分包括比较器U1B、电阻R3和电阻R4，比较器U1B的反相输入端与电阻R3与电阻R4的中点以及比较器U1A的输出端相连，比较器U1B的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1B的同相输入端通过电阻R6和二极管D2与比较器U1B的输出端相连，所述保护电路部分包括三极管T1，三极管T1的基极通过电阻R7与比较器U1B的输出端相连，三极管T1的发射极通过电感L1与辅助电源提供的V
cc
相连，三极管T1的集电极通过电阻R8与控制芯片的供电引脚V
cc
相连。
[0015]本专利技术中，所述电阻R2的两端并有电容C1。
[0016]本专利技术中，所述电阻R4的两端并有电容C2。
[0017]本专利技术中，所述比较器U1A上连接有电容C3，比较器U1B上连接有电容C4。
[0018]本专利技术中，所述电感L1的两端分别并有电容C5和电容C6，所述三极管T1的发射极和集电极分别并有电容C6和电容C7。
[0019]本专利技术：假设开关电源允许工作的电压范围为Vmin≤V
DC
≤Vmax，V
ref
一般取2.5V；R2/(R1+R2)＝V
ref
/V
max
，即R1＝R2*(V
max
‑
V
ref
)/V
ref
；R4/(R3+R4)＝V
ref
/V
min
，即R3＝R4*(V
min
‑
V
ref
)/V
ref
；R8＝0；V
cc
为芯片LM2903和控制芯片的供电电压，根据规格书可知V
cc
＝36V。
[0020]在过压检测电路部分，主功率电路的采样电压通过电阻R1和R2分压后，作为比较器U1A的反相输入端，参考电压V
ref
＝2.5V作为比较器U1A的同相输入端；在欠压检测电路部分，上一级过压保护电路比较器U1A的输出端和主功率电路的采样电压通过电阻R3和R4分压后，共同作为比较器U1B的反相输入端，参考电压V
ref
＝2.5V作为比较器U1B的同相输入端，比较器U1B的输出端与保护电路中的三级管基极相连，通过控制三极管的通断完成对电路的保护。
[0021]当V
DC
>V
max
时，比较器U1A反相输入端的输入电压V
in1
‑
＝V
DC
*R2/(R1+R2)>V
max
*R2/(R1+R2)，大于同相输入端的电压V
in
1+＝V
ref
＝2.5V，故比较器U1A输出低阻态；比较器U1B反相输入端的输入电压V
in2‑
＝V
DC
*R4/(R3+R4)>V
min
*R4/(R3+R4)，故U1B输出高阻态。此时，过欠压检测电路输出VG高阻态，给芯片供电的前端保护电路中的三极管T1截止，V
cc
＝0V，芯片由于断电停止工作，从而完成对电路的保护；
[0022]当V
min
≤V
DC
≤V
max
时，比较器U1A反相输入端的输入电压V
in1‑
＝V
DC
*R2/(R1+R2)＜V
max本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过欠压保护电路，其特征在于，包括过压检测部分、欠压检测部分和保护电路部分，所述过压检测部分包括比较器U1A、电阻R1和电阻R2，比较器U1A的反相输入端与电阻R1与电阻R2的中点相连，比较器U1A的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1A的同相输入端通过电阻R5和二极管D1与比较器U1A的输出端相连，所述欠压检测部分包括比较器U1B、电阻R3和电阻R4，比较器U1B的反相输入端与电阻R3与电阻R4的中点以及比较器U1A的输出端相连，比较器U1B的同相输入端连接有参考电压V
ref
＝2.5V，且比较器U1B的同相输入端通过电阻R6和二极管D2与比较器U1B的输出端相连，所述保护电路部分包括三极管T1，三极管T...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩，朱望，张永恩，
申请(专利权)人：新拓尼克北京科技研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：