IPM过温保护电路制造技术

本申请属于电子技术领域，具体涉及一种IPM过温保护电路。本申请旨在解决现有的IPM过温保护的方案需要使用数模转换模块，导致过温保护的响应时间较长的问题。本申请提供的IPM过温保护电路，通过将控制单元与比较单元的负相输入端连接，比较单元的正向输入端与IPM的Vot输出口连接，比较单元的输出端与控制开关单元的控制端连接，控制开关单元的输入端与供电电源连接，控制开关单元的输出端与IPM的VDD口连接。在IPM的内部温度过高时，比较单元的正相输入端的电压信号高于反相输入端的阈值信号，使得比较单元输出触发控制开关单元断开供电电源与IPM的连接，有效降低了过温保护的响应时间。应时间。应时间。

【技术实现步骤摘要】
IPM过温保护电路


[0001]本申请实施例属于电子
，具体涉及一种智能功率模块(Intelligent Power Module，简称：IPM)过温保护电路。

技术介绍

[0002]智能功率模块(Intelligent Power Module，简称：IPM)是变频驱动板上面的一个器件，容易受到外界环境的影响，导致其内部的温度急剧上升，损坏内部的半导体器件。
[0003]现有技术中，为了防止IPM由于温度过高而损坏，通常通过微控制单元(Microcontroller Unit，简称：MCU)与IPM连接，进而通过MCU中的数模转换模块将来自IPM的连续的电压信号转换为离散的数字信号，再判断数字信号的值是否大于预设温度阈值。如果大于预设温度阈值，MCU停止输出对于IPM的驱动信号，使得IPM降温。
[0004]综上所述，现有的IPM过温保护的方案需要使用数模转换模块，该模块工作需要采样时间和转换时间，导致过温保护的响应时间较长。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中的上述问题，即为了解决现有的IPM过温保护的方案需要使用数模转换模块，该模块工作需要采样时间和转换时间，导致过温保护的响应时间较长的问题，本申请实施例提供了一种IPM过温保护电路。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种智能功率模块IPM过温保护电路，包括：IPM、控制单元、比较单元和控制开关单元；
[0007]所述控制单元与所述比较单元的负相输入端连接，用于向所述比较单元输出阈值信号；r/>[0008]所述比较单元的正向输入端与所述IPM的电压信号模拟温度信号Vot输出口连接，所述IPM的Vot输出口用于输出与IPM温度成正比的电压信号；
[0009]所述比较单元的输出端与所述控制开关单元的控制端连接，所述控制开关单元的输入端与供电电源连接，所述控制开关单元的输出端与所述IPM的供电电压输入口VDD口连接，所述比较单元用于在所述电压信号超过所述阈值信号时触发所述控制开关单元断开所述供电电源与所述IPM的连接。
[0010]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，包括：所述比较单元为比较器，所述控制开关单元为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管MOS管；
[0011]所述比较器的正向输入端与所述IPM的Vot输出口连接；
[0012]所述比较器的输出端与所述MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极与供电电源连接，所述MOS管的漏极与所述IPM的VDD口连接。
[0013]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述控制单元为微控制单元MCU；
[0014]所述MCU的脉冲宽度调制PWM输出口与所述比较器的负相输入端连接。
[0015]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，还包括：第一分压滤波单元和电压跟
随单元；
[0016]所述MCU的PWM输出口与所述第一分压滤波单元的一端连接，所述第一分压滤波单元的另一端与所述电压跟随单元的一端连接，所述电压跟随单元的另一端与所述比较器的负相输入端连接。
[0017]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述第一分压滤波单元包括第一电阻、第二电阻和第一电容；
[0018]所述第一电阻的一端与所述MCU的PWM输出口连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、第二电容的一端和所述电压跟随单元的一端连接，所述第二电阻和所述第一电容的另一端接地。
[0019]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述电压跟随单元为运算放大器，所述运算放大器的输出端分别与所述运算放大器的负相输入端和所述比较器的负相输入端连接。
[0020]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、第二电容的一端和所述运算放大器的正相输入端连接。
[0021]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述MCU的模数转换AD口与所述IPM的Vot输出口连接；所述MCU的驱动信号输出out口与所述IPM的驱动信号输入In口连接。
[0022]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，还包括：第二分压滤波单元；
[0023]所述MCU的AD口与所述第二分压滤波单元的一端连接，所述第二分压滤波单元的另一端与所述IPM的Vot输出口连接。
[0024]在上述IPM过温保护电路的优选技术方案中，所述第二分压滤波单元包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻和第二电容；
[0025]所述MCU的AD口分别与所述第四电阻的一端和所述第二电容的一端连接，所述第四电阻的另一端分别于所述第五电阻的一端和第三电阻的一端连接，所述第五电阻和所述第二电容的另一端接地，所述第三电阻的另一端与所述IPM的Vot输出口连接。
[0026]本领域技术人员能够理解的是，本申请实施例提供的IPM过温保护电路，通过将控制单元与比较单元的负相输入端连接，比较单元的正向输入端与IPM的电压信号模拟温度信号Vot输出口连接，比较单元的输出端与控制开关单元的控制端连接，控制开关单元的输入端与供电电源连接，控制开关单元的输出端与IPM的供电电压输入口VDD口连接。在IPM的内部温度过高时，比较单元的正相输入端的电压信号高于反相输入端的阈值信号，使得比较单元输出触发控制开关单元断开供电电源与IPM的连接。本方案在IPM的内部温度较高时，通过比较单元断开IPM的供电，有效降低了过温保护的响应时间。
附图说明
[0027]下面参照附图来描述本申请的IPM过温保护电路的优选实施方式。附图为：
[0028]图1a为本申请提供的IPM过温保护电路的结构示意图一；
[0029]图1b为本申请提供的IPM的Vot输出口输出的电压信号与IPM的温度的关系示意图；
[0030]图2为本申请提供的IPM过温保护电路的结构示意图二；
[0031]图3为本申请提供的IPM过温保护电流的结构示意图三；
[0032]图4为本申请提供的IPM过温保护电流的结构示意图四；
[0033]图5为本申请提供的IPM过温保护电流的结构示意图五；
[0034]图6为本申请提供的IPM过温保护电流的结构示意图六；
[0035]图7为本申请提供的IPM过温保护电流的结构示意图七。
具体实施方式
[0036]首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本申请的技术原理，并非旨在限制本申请的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。
[0037]其次，需要说明的是，在本申请实施例的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0038]此外，还需要说明的是，在本申请实施例的描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块IPM过温保护电路，其特征在于，包括：IPM、控制单元、比较单元和控制开关单元；所述控制单元与所述比较单元的负相输入端连接，用于向所述比较单元输出阈值信号；所述比较单元的正向输入端与所述IPM的电压信号模拟温度信号Vot输出口连接，所述IPM的Vot输出口用于输出与IPM温度成正比的电压信号；所述比较单元的输出端与所述控制开关单元的控制端连接，所述控制开关单元的输入端与供电电源连接，所述控制开关单元的输出端与所述IPM的供电电压输入口VDD口连接，所述比较单元用于在所述电压信号超过所述阈值信号时触发所述控制开关单元断开所述供电电源与所述IPM的连接。2.根据权利要求1所述的IPM过温保护电路，其特征在于，所述比较单元为比较器，所述控制开关单元为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管MOS管；所述比较器的正向输入端与所述IPM的Vot输出口连接；所述比较器的输出端与所述MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极与供电电源连接，所述MOS管的漏极与所述IPM的VDD口连接。3.根据权利要求2所述的IPM过温保护电路，其特征在于，所述控制单元为微控制单元MCU；所述MCU的脉冲宽度调制PWM输出口与所述比较器的负相输入端连接。4.根据权利要求3所述的IPM过温保护电路，其特征在于，还包括：第一分压滤波单元和电压跟随单元；所述MCU的PWM输出口与所述第一分压滤波单元的一端连接，所述第一分压滤波单元的另一端与所述电压跟随单元的一端连接，所述电压跟随单元的另一端与所述比较器的负相输入端连接。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：麻文山，陈贇豪，王宏博，王维兵，
申请(专利权)人：海尔智家股份有限公司，
类型：发明
国别省市：