曲面腔镀膜的CVD设备制造技术

公开了一种曲面腔镀膜的CVD设备，包括：蒸发腔，用于将蒸发源气化形成沉积气体；输气组件，与所述蒸发腔连接，用于传送所述沉积气体；沉积腔，与所述输气组件连接，用于将所述沉积气体沉积在基体表面形成薄膜；其中，所述输入组件的一侧位于沉积腔内，所述输入组件上位于沉积腔内的一侧设置有控温结构，用于控制所述沉积气体的温度。本申请的曲面腔镀膜的CVD设备，通过在输气组件上设置控温结构来控制沉积物气体的温度，从而降低沉积物气体在输气组件内凝结或沉积而导致管道堵塞的问题，此外，本申请的喷口设计以及样品可水平位移和旋转也使得CVD镀曲面膜成为可能。使得CVD镀曲面膜成为可能。使得CVD镀曲面膜成为可能。

【技术实现步骤摘要】
曲面腔镀膜的CVD设备


[0001]本专利技术涉及薄膜沉积
，特别涉及一种曲面腔镀膜的CVD设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积法(CVD)是一种制备薄膜材料的重要方式，该方法将气相化学物质输送到热衬底上，在衬底表面进行化学反应生成薄膜。化学气相沉积相对于其他沉积方法有很多优势：1)这种方式不需要沉积原料直接暴露在基底上，因此可以在复杂区域沉积薄膜，利于非平面薄膜的制备；2)沉积速率快，在达到沉积所需条件时，沉积速率可以达到μm/min。但是，目前商用的CVD设备仅适用于制备平面薄膜，缺乏制备曲面薄膜的能力。同时，由于化学气相沉积法时，气相物质的喷口需要伸入沉积腔内，而沉积腔设置有加热炉，即沉积腔内温度高，容易导致气相物质在喷口发生反应沉积堵塞喷口。
[0003]射频超导腔作为射频超导技术的核心，其因损耗低，在连续波或者长脉冲运行时加速梯度高等优点，在国际上新兴的已建成或在建中的加速器装置(如LHC，E
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XFEL，LCLS
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II，FRIB等)上面有着广泛的应用。在铌或者铜曲面腔内壁镀N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曲面腔镀膜的CVD设备，其特征在于，包括：蒸发腔，用于将蒸发源气化形成沉积气体；输气组件，与所述蒸发腔连接，用于传送所述沉积气体；沉积腔，与所述输气组件连接，用于将所述沉积气体沉积在基体表面形成薄膜；其中，所述输入组件的一侧位于沉积腔内，所述输入组件上位于沉积腔内的一侧设置有控温结构，用于控制所述沉积气体的温度。2.根据权利要求1所述的曲面腔镀膜的CVD设备，其中，所述输气组件还包括：第二管道，连接所述蒸发腔和所述沉积腔，用于输送所述沉积物气体，所述第二管道的喷口位于所述沉积腔中；加热结构，包围所述第二管道的一部分，用于给所述第二管道内的沉积物气体加热。3.根据权利要求2所述的曲面腔镀膜的CVD设备，其中，所述控温结构包围所述第二管道喷口侧的一部分，用于控制所述第二管道内喷口处的沉积物气体的温度。4.根据权利要求3所述的曲面腔镀膜的CVD设备，其中，所述控温结构采用油保温，包围所述第二管道的部分包括两层，油从外层流入内层或从内层流入外层。5.根据权利要求2所述的曲面腔镀膜的CVD设备，其中，所述第二管道的喷口采用锥型、十字型或花洒型。6.根据权利要求3所述的曲面腔镀膜的CVD设备，其中，所述输气组件还包括：多个热偶，均匀分布在所述第二管道上，用于读取所述第二管道内所述沉积物气体的温度。7.根据权利要求2所述的曲面腔镀膜的CVD设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨景婷，夏钰东，冯中沛，王其琛，赵睿鹏，陶伯万，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：