一种用于化学气相沉积设备的控制方法和系统技术方案

本申请涉及一种用于化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质，应用于计算机设备，所述方法包括：获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息；制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；控制生产设备生产所述待制作晶体，若生产所述待制作晶体中存在任意一个步骤对应的参数不在预设范围内，停止该步骤；第一预设时间后，重复上述步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，控制所述生产设备按照所述第二生产计划生产所述待制作晶体，若存在所述任意一个步骤对应的参数不在预设范围内，发送第一报警信息至所述工作人员。本申请具有的技术效果是：用于减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学气相沉积设备的控制方法和系统


[0001]本申请涉及设备控制
，具体涉及一种化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，化学气相沉积技术是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
[0003]在目前的技术中，提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料主要是通过化学气相沉积方法获得，气相沉积工艺技术没有较为统一的标准，化学气相沉积设备的控制要求需要在确保安全性的前提下提供灵活的工艺控制能力。目前控制化学气相沉积设备的手段较为原始，一般采用手动控制的方式。
[0004]针对上述技术方案，专利技术人认为，由于设备在没有规范的保护机制下，容易出现危险，所以手动调整化学气相沉积设备时，对专业的工作人员的需求较高。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种用于碳化硅化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质，用于减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，应用于计算机设备，所述方法包括：获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息；根据所述待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；基于所述待制作晶体的第一生产计划，控制生产设备生产所述待制作晶体，若生产所述待制作晶体的步骤中的任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第一问题步骤，停止所述第一生产计划；第一预设时间后，重复所述第一问题步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，控制所述生产设备按照所述第二生产计划生产所述待制作晶体，若存在所述任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第二问题步骤，并发送第一报警信息至工作人员。2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤类型信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息，包括：所述步骤类型信息包括抽真空、充气、加热、工艺和冷却，基于所述待制作晶体种类和数量不同，所对应的步骤类型的组合不同；根据所对应的步骤类型的组合不同，所述工艺配方信息中对应所述步骤信息包含的步骤对应的参数不同。3.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述控制生产设备生产所述待制作晶体，包括：实时监控生产过程，并通过显示屏显示；其中，所述显示屏显示当前生产所述待制作晶体所处的步骤并生成模拟动画，所述模拟动画用于展示实际生产过程。4.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述控制生产设备生产所述待制作晶体之后，还包括：若成功制作所述待制作晶体，得到正常晶体；根据预设检测标准，获取所述正常晶体的信息，得到基本信息；将所述基本信息与所述预设检测标准对比，若所述基本信息符合所述预设检测标准阈值，则通过所述显示屏显示成功字样；若所述基本信息不符合所述预设检测标准阈值，则根据所述阈值大小，通过所述显示屏显示调整方案。5.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划，包括：根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王青春，胥俊东，
申请(专利权)人：北京北方华创真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：