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公开了一种曲面腔镀膜的CVD设备，包括：蒸发腔，用于将蒸发源气化形成沉积气体；输气组件，与所述蒸发腔连接，用于传送所述沉积气体；沉积腔，与所述输气组件连接，用于将所述沉积气体沉积在基体表面形成薄膜；其中，所述输入组件的一侧位于沉积腔内，所述...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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