一种单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉。将所述导流筒设置于所述石英坩埚上方；导流筒的外筒体的上部设置为直筒结构，下部设置为倒锥形筒体结构；所述钼环固定于所述锥形筒体结构的外表面，通过上述公开的单晶炉，由于钼环能够将热辐射作用在硅液，使得硅液液面的温度更稳定，更有利于晶体的生长，并且由于锥形筒体结构的外表面设有钼环，使得单晶硅在生长过程中，避免外筒体上的杂质在高温作用下进入硅溶液，进而避免单晶硅尾部碳含量升高而影响单晶的品质，并且还能减少导流筒的外筒体被腐蚀，有效延长导流筒的使用寿命。延长导流筒的使用寿命。延长导流筒的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉


[0001]本技术涉及单晶炉
，具体为一种单晶炉。

技术介绍

[0002]单晶炉主要由石英坩埚、导流筒、加热装置等组成，其中，导流筒一般采用碳
‑
碳石墨材料制成，然而在直拉法生长单晶硅工艺中，随着直拉单晶投料量增加，拉晶时间延长，石英坩埚所产生的二氧化硅气体与热场中的导流筒反应时间增加，使得导流筒所产生的杂质进入硅溶液越多，且由于碳在硅中的分凝作用，单晶硅晶体尾部富集杂质的情况越来越严重，最终导致单晶硅尾部碳含量逐渐升高，而碳在高温下会促进单晶硅中氧沉淀形成，在长时间高温作用下，容易碎裂、脱落掉入到硅溶液中，最终导致成晶困难，且晶棒含碳量过高，严重影响单晶棒的品质。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术实施例提供了一种单晶炉，以解决现有单晶炉的导流筒所产生的挥发性杂质容易进入硅溶液所导致单晶棒质量问题。
[0004]为实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
[0005]一种单晶炉，包括：导流筒、石英坩埚和钼环；
[0006]导流筒设置于石英坩埚上方；
[0007]导流筒包括外筒体；
[0008]外筒体的上部为直筒结构，下部为倒锥形筒体结构；
[0009]钼环固定于锥形筒体结构的外表面。
[0010]优选的，钼环的内环处设有多个卡爪，卡爪卡设于锥形筒体结构的底口。
[0011]优选的，多个卡爪沿内环的周向设置。
[0012]优选的，多个卡爪沿内环的周向均匀分布。
[0013]优选的，卡爪为倒L型结构。
[0014]优选的，还包括：隔离环；
[0015]隔离环设置于外筒体内，且位于多个卡爪上方。
[0016]优选的，卡爪通过弯折形成。
[0017]优选的，钼环的厚度范围为0.2mm至2mm。
[0018]优选的，钼环的下表面为光滑面。
[0019]基于上述提供的一种单晶炉，将导流筒设置于石英坩埚上方；导流筒的外筒体的上部设置为直筒结构，下部设置为倒锥形筒体结构；钼环固定于锥形筒体结构的外表面，通过上述公开的单晶炉，由于钼环能够将热辐射作用在硅液，使得硅液液面的温度更稳定，更有利于晶体的生长，并且由于锥形筒体结构的外表面设有钼环，使得单晶硅在生长过程中，避免外筒体上的杂质在高温作用下进入硅溶液，进而避免单晶硅尾部碳含量升高而影响单晶的品质，并且还能减少导流筒的外筒体被腐蚀，有效延长导流筒的使用寿命。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例提供的一种单晶炉的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例提供的单晶炉的局部剖视图；
[0023]图3为本技术实施例提供的钼环的结构示意图；
[0024]图4为本技术实施例提供的钼环与外筒体的装配示意图。
[0025]其中，石英坩埚1，外筒体2、直筒结构21、锥形筒体结构22，内筒体3，钼环4、卡爪41，隔离环5。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]本技术实施例提供一种单晶炉，参见图1至图4，图1为单晶炉的结构示意图，单晶炉包括：导流筒、石英坩埚1和钼环4；
[0028]导流筒设置于石英坩埚1上方；
[0029]导流筒包括外筒体2；
[0030]外筒体2的上部为直筒结构21，下部为倒锥形筒体结构22；
[0031]钼环4固定于锥形筒体结构22的外表面。
[0032]需要说明的是，钼环4是一种采用钼金属制成的环形零件，钼为银白色金属，硬而坚韧，它的膨胀系数小，导电率大，导热性能好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定，因此，将钼环4固定在锥形筒体结构22的外表面，钼环4能够将热辐射作用在硅液，使得硅液液面的温度更稳定，更有利于晶体的生长，并且由于锥形筒体结构22的外表面设有钼环4，使得单晶硅在生长过程中，避免外筒体2上的杂质在高温作用下进入下方石英坩埚1内的硅溶液中，进而避免单晶硅尾部碳含量升高使得单晶硅中氧沉淀的形成，保证了单晶的品质。
[0033]还需要说明的是，导流筒通过托架固定在石英坩埚1的上方。
[0034]本技术实施例将导流筒设置于石英坩埚1上方；导流筒的外筒体2的上部设置为直筒结构21，下部设置为倒锥形筒体结构22；钼环4固定于锥形筒体结构22的外表面，通过上述公开的单晶炉，由于钼环4能够将热辐射作用在下方石英坩埚1内的硅溶液，使得硅溶液液面的温度更稳定，更有利于晶体的生长，并且由于锥形筒体结构22的外表面设有钼环4，使得单晶硅在生长过程中，避免外筒体2上的杂质在高温作用下进入硅溶液，进而避免单晶硅尾部碳含量升高而影响单晶的品质，并且还能减少导流筒的外筒体2被腐蚀，有效延长导流筒的使用寿命。
[0035]具体的，钼环4的内环处设有多个卡爪41，卡爪41卡设于锥形筒体结构22的底口。
[0036]需要说明的是，通过在钼环4的内环处设有多个卡爪41，卡爪41卡设于锥形筒体结构22的底口，进而使钼环4能够牢固固定在外筒体2的锥形筒体结构22，有效避免外筒体2所产生的杂质进入硅溶液中。
[0037]具体的，多个卡爪41沿内环的周向设置。
[0038]需要说明的是，将多个卡爪41沿内环的周向设置，使每个卡爪41都能卡在外筒体2的锥形筒体结构22的底口上。
[0039]进一步，多个卡爪41沿内环的周向均匀分布。
[0040]需要说明的是，将多个卡爪41沿内环的周向均匀分布，保证每个卡爪41受力均匀，进而使钼环4能够稳定固定在外筒体2的锥形筒体结构22。
[0041]还需要说明的是，本技术中，优选卡爪41的数量为4个，但卡爪41的数量并不仅限于4个。
[0042]具体的，卡爪41为倒L型结构。
[0043]需要说明的是，将卡爪41设置成倒L型结构，进而卡爪41和钼环4能够形成卡槽，在卡爪41卡在锥形筒体结构22的底口时，能够进行纵向限位，防止钼环4脱落。
[0044]进一步，单晶炉还包括：隔离环5；
[0045]隔离环5设置于外筒体2内，且位于多个卡爪41的上方。
[0046]需要说明的是，通过设置隔离环5，并将隔离环5设置在外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：导流筒、石英坩埚和钼环；所述导流筒设置于所述石英坩埚上方；所述导流筒包括外筒体；所述外筒体的上部为直筒结构，下部为倒锥形筒体结构；所述钼环固定于所述锥形筒体结构的外表面。2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述钼环的内环处设有多个卡爪，所述卡爪卡设于所述锥形筒体结构的底口。3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，多个卡爪沿所述内环的周向设置。4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，多个卡...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国良，刘利国，高伟杰，李海明，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：新型
国别省市：