激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法技术

提供了一种激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法，所述激光接合方法，包括：在基板上形成接合部；将接合对象设置到接合部上；将激光控制结构设置到接合对象或基板上；向接合对象和接合部照射激光；控制通过激光控制结构吸收的激光的量；使用受控量的激光将接合部和接合对象加热到接合温度；以及将接合部与接合对象进行接合。激光控制结构包括：第一基板，包括第一区域和第二区域；第一薄膜层压件，在第一区域上；以及第二薄膜层压件，在第二区域上。第一薄膜层压件包括至少一个第一薄膜层和至少一个第二薄膜层；第二薄膜层压件包括至少一个第三薄膜层和至少一个第四薄膜层；第一薄膜层压件与第二薄膜层压件具有不同的反射率或吸收率。的反射率或吸收率。的反射率或吸收率。

【技术实现步骤摘要】
激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法
[0001]本专利申请要求于2021年6月21日提交的第10
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2021
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0080104号韩国专利申请以及于2022年6月15日提交的第10
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2022
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0073094号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0002]本公开涉及一种激光光源控制结构和使用该激光光源控制结构的激光接合方法，更具体地，涉及一种可用于接合半导体元件等的激光接合方法。

技术介绍

[0003]电子工业的进步带来了对更强功能、更快和更小的电子组件的需求的增长。与此趋势一致，将芯片与基板连接的连接器也变得更小。
[0004]焊料凸块等可用于将芯片与基板连接。为了确保芯片通过焊料凸块与基板连接，可能需要施加热量。当在封装过程中施加热量时，部件可能失去其功能(例如，由于各个部件之间的热膨胀系数的差异而导致的翘曲，或者每个部件的一部分的损坏)。
[0005]在传统的热压激光接合工艺中，基板和元件之间的热膨胀系数的差异引起本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光接合方法，包括：在基板上形成接合部；将接合对象设置到所述接合部上；将激光控制结构设置到所述接合对象或所述基板上；向所述接合对象和所述接合部照射激光；控制通过所述激光控制结构吸收的激光的量；使用所述受控量的激光将所述接合部和所述接合对象加热到接合温度；以及将所述接合部与所述接合对象进行接合，其中，所述激光控制结构包括：第一基板，包括第一区域和第二区域；第一薄膜层压件，在第一区域上；以及第二薄膜层压件，在第二区域上，其中，第一薄膜层压件包括层压在第一区域上的至少一个第一薄膜层和至少一个第二薄膜层，第二薄膜层压件包括层压在第二区域上的至少一个第三薄膜层和至少一个第四薄膜层，第一薄膜层压件相对于激光的反射率或吸收率不同于第二薄膜层压件的反射率或吸收率，并且接合温度根据所吸收的激光的量而变化。2.如权利要求1所述的激光接合方法，其中：所述接合部包括第一接合部和第二接合部；所述接合对象包括第一子接合对象和第二子接合对象；所述加热到所述接合温度的步骤包括使用所述受控量的激光将第一接合部和第一子接合对象加热到第一接合温度，并且将第二接合部和第二子接合对象加热到第二接合温度；所述接合的步骤包括将第一接合部与第一子接合对象进行接合，并且将第二接合部与第二子接合对象进行接合；以及由所述量的激光的加热产生的第一接合温度不同于由所述量的激光的加热产生的第二接合温度。3.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层压件和第二薄膜层压件的厚度不同。4.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层压件和第二薄膜层压件被图案化并设置。5.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一基板包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、玻璃、石英或它们的组合。6.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层至第四薄膜层包括SiO2、SiN
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、金属、陶瓷或它们的组合。7.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层至第四薄膜层包括氧化铯钨(CWO)、六硼化镧、氧化铟锡(ITO)、氧化锑锡(ATO)或它们的组合。
8.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，所述接合部为糊剂或膜的形式，并且包括基础树脂、还原剂、固化剂和催化剂。9.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述接合部还包括导电填料，所述导电填料包括锡、银、铜、铅、铟、铋(Bi)、镉、锑、镓、砷、锗、锌、铝、金、硅、镍、磷或它们的组合。10.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述接合部还包括非导电颗粒、热产酸剂、光产酸剂、敏化剂、氧化铝、二氧化硅、氮化铝、碳化硅、染料、炭黑、石墨烯、碳纳米管或它们的组合。11.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述基础树脂包括环氧树脂、苯氧基树脂、双马来酰亚胺、不饱和聚酯、尿...

【专利技术属性】
技术研发人员：张基锡，严龙成，崔广汶，崔光成，朱智浩，文石焕，李娓，
申请(专利权)人：韩国电子通信研究院，
类型：发明
国别省市：