一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法，属于太阳能电池技术领域，包括在硅片进入HF刻蚀段之前，在硅片的掩膜层上喷洒含有非极性溶剂的溶液，以在掩膜层上形成第一水膜。本发明专利技术提供的保护TOPCon电池正面掩膜的方法，通过在用于设置第一水膜的溶液中增加一种或多种非极性溶剂，从而使第一水膜具备非极性溶剂的性质，由于HF为极性溶质，使得挥发的HF药液不再容易浸润到第一水膜中，从而可以避免第一水膜变化为HF溶液，对掩膜层形成腐蚀。对掩膜层形成腐蚀。对掩膜层形成腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，更具体地说，是涉及一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池在生产过程中，使用链式设备去除硅片背面扩散的硼硅玻璃时，需要对硅片的正表面设置掩膜层进行保护，为了保证去除效果，通常将链式设备中用于去除硼硅玻璃的HF刻蚀段设计的较长，来确保工艺时间足够长，但在硅片经过HF刻蚀段的过程中，HF药液会翻到硅片正面对掩膜层造成腐蚀。
[0003]现有技术中，为了保护硅片正面掩膜层，一般是在HF刻蚀段前设置覆膜段，覆膜段内设有滴管，在硅片经过覆膜段时，通过滴管在硅片的掩膜层上设置一层纯水膜，如此，通过设置的纯水膜来使硅片上的掩膜层在经过HF刻蚀段时受到保护。但是，硅片在HF刻蚀段的传输过程中，纯水膜容易与HF刻蚀段中挥发出的HF酸雾结合，使得纯水膜的酸性不断积累，导致纯水膜变成低浓度的HF溶液，反而会对正面的掩膜层造成腐蚀，使纯水膜的保护功能失效，进而影响硅片正面掩膜层的保护效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法，以解决现有技术中TOPCon电池正面掩膜层容易被HF药液腐蚀的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法，包括以下步骤：
[0006]在硅片进入HF刻蚀段之前，向硅片喷洒含有非极性溶剂的溶液，以在掩膜层正面形成第一水膜。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述溶液中非极性溶剂的含量大于等于0.1％。
[0008]在一种可能的实现方式中，保护TOPCon电池正面掩膜的方法还包括以下步骤：
[0009]在HF刻蚀段中增加空置段，并在空置段内将硅片上的所述第一水膜去除并重新在硅片上设置第二水膜。
[0010]在一种可能的实现方式中，保护TOPCon电池正面掩膜的方法包括以下步骤：
[0011]采用第一风刀管将途径空置段的硅片上的所述第一水膜吹落。
[0012]在一种可能的实现方式中，保护TOPCon电池正面掩膜的方法包括以下步骤：
[0013]采用毛细管吸收途径空置段的硅片上的第一水膜。
[0014]在一种可能的实现方式中，保护TOPCon电池正面掩膜的方法包括以下步骤：
[0015]采用虹吸管吸收途径空置段的硅片上的第一水膜。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述第二水膜与所述第一水膜的成分相同。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述空置段下方设有溶液收集槽。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述非极性溶剂包括氯仿、液状石蜡、乙醚、丙酮、植物油、苯中的一种或者几种。
[0019]本专利技术提供的保护TOPCon电池正面掩膜的方法的有益效果在于：硅片在进入HF刻蚀段之前，通过在硅片上喷洒含有非极性溶剂的溶液，在硅片的掩膜层上形成第一水膜，由于第一水膜具备非极性溶剂性质，使酸雾不易浸润到第一水膜中形成HF溶液，从而避免了硅片上的掩膜层在HF刻蚀段传输时受到HF药液的腐蚀。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术方法实施例一中提供的链式设备在HF刻蚀段的结构示意图；
[0022]图2沿图1中A
‑
A线的剖视结构图；
[0023]图3为本专利技术方法实施例二中提供的链式设备在HF刻蚀段的结构示意图；
[0024]图4沿图3中B
‑
B线的剖视结构图；
[0025]图5为本专利技术方法实施例三中提供的链式设备在HF刻蚀段的结构示意图；
[0026]图6沿图5中C
‑
C线的剖视结构图。
[0027]其中，图中各附图标记：
[0028]101、前端刻蚀段；102、后端刻蚀段；2、空置段；21、横管；22、第一风刀管；23、第二风刀管；24、虹吸管；241、固定架；25、集液槽；3、硅片；31、第一水膜；4、溶液收集槽；5、吸附单元；51、毛细管；52、升降端。
具体实施方式
[0029]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0030]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0031]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]现对本专利技术提供的保护TOPCon电池正面掩膜的方法进行说明。一种保护TOPCon电
池正面掩膜的方法，包括在硅片3进入HF刻蚀段之前，在硅片3的掩膜层上喷洒含有非极性溶剂的溶液，以在掩膜层上形成第一水膜31，其中，所述溶液中含有的非极性溶剂可以是氯仿、液状石蜡、乙醚、丙酮、植物油、苯中的一种或者几种。
[0034]在实际生产中，通常使用纯水制作掩膜层的保护膜，由于HF溶液中因为F的氧化性比H强,共用电子对会偏向F,所以HF是极性分子，而H2O也属于极性分子，根据相似相溶原理，极性溶质一般能溶于极性溶剂，非极性溶质一般能溶于非极性溶剂，因此，在HF刻蚀段，挥发在空气中的HF极易溶于纯水制作的保护膜中，并使该保护膜逐渐变成HF溶液，并对掩膜层产生腐蚀。
[0035]在本实施例中，在用于制造第一水膜31的溶液中增加一种或多种非极性溶剂，从而使第一水膜31具备非极性溶剂的性质，由于HF为极性溶质，使得挥发的HF药液不再容易浸润到第一水膜31中，从而可以避免第一水膜31变化为HF溶液，对掩膜层形成腐蚀。
[0036]本专利技术提供的保护TOPCon电池正面掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片(3)进入HF刻蚀段之前，向硅片(3)喷洒含有非极性溶剂的溶液，以在掩膜层正面形成第一水膜(31)。2.如权利要求1所述的保护TOPCon电池正面掩膜的方法，其特征在于，所述溶液中非极性溶剂的含量大于等于0.1％。3.如权利要求1所述的保护TOPCon电池正面掩膜的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在HF刻蚀段中增加空置段(2)，并在空置段(2)内将硅片(3)上的所述第一水膜(31)去除并重新在硅片(3)上设置第二水膜。4.如权利要求3所述的保护TOPCon电池正面掩膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用第一风刀管(22)将途径空置段的硅片(3)上的所述第一水膜(31)吹落。5.如权利要求3所述的保护TOPCo...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎芳，潘明翠，夏新中，王红芳，翟金叶，孟庆超，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：