一种高稳定性单晶硅压差传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及压差传感器技术领域，尤其是一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括壳体，壳体包括传感器正压腔、传感器负压腔和单晶硅传感器芯片，单晶硅传感器芯片置于壳体内部，传感器正压腔通过导油管路一连通至单晶硅传感器芯片的下端面，传感器负压腔通过导油管路二连通至单晶硅传感器芯片的上端面，还包括两根临时储油管，两根临时储油管分别与导油管路一和导油管路二连通，用于调节导油管路一和导油管路二内的油压，临时储油管内还设有与单晶硅传感器芯片电性连接的推油组件。该单晶硅压差传感器通过临时储油管和推油组件的配合，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时自动释放压力，以避免单晶硅传感器芯片的损坏。以避免单晶硅传感器芯片的损坏。以避免单晶硅传感器芯片的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性单晶硅压差传感器


[0001]本技术涉及压差传感器
，尤其是一种高稳定性单晶硅压差传感器。

技术介绍

[0002]压差传感器是工业领域中，测量气体或液体的压力差的常用工具。公开号为CN204535913U的专利公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器，该装置可通过硅油进行压力的无损传递，以实现对压力差的精确测量，从而有效改善了压差传感器的静压性能，进而使得上述压差传感器的工作稳定性得以提高。
[0003]同时，通过设置过压膜片在硅油压力过大时，对其进行减压，将过大的压力得以释放，以避免单晶硅传感器芯片受到破坏，但由于其是利用过压膜片的变形对压力进行释放，而过压膜片的变形是一个逐布的过程，此过程中会对单晶硅传感器芯片的检测造成影响，容易导致单晶硅传感器芯片的检测结果出现误差，为此我们提出一种高稳定性单晶硅压差传感器。

技术实现思路

[0004]为了解决导油管路内压力过大易造成单晶硅传感器芯片损坏的问题，本技术提供了一种高稳定性单晶硅压差传感器，通过在导油管路上连接临时储油管，并通过设置在临时储油管内的推油组件，实现对导油管路内的压力调节，避免压力过大造成的芯片损害。
[0005]本技术提供一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括壳体，壳体包括传感器正压腔、传感器负压腔和单晶硅传感器芯片，单晶硅传感器芯片置于壳体内部，传感器正压腔通过导油管路一连通至单晶硅传感器芯片的下端面，传感器负压腔通过导油管路二连通至单晶硅传感器芯片的上端面，还包括两根临时储油管，两根临时储油管分别与导油管路一和导油管路二连通，用于调节导油管路一和导油管路二内的油压，临时储油管内还设有与单晶硅传感器芯片电性连接的推油组件。通过临时储油管和推油组件的配合，实现对导油管路内油压的自动调节。
[0006]进一步地，推油组件包括动力组件和推油片，推油片通过动力组件滑动设置在临时储油管内，使临时储油管分隔出储油腔和工作腔，储油腔与导油管路一和导油管路二连通。通过推油片在临时储油管内的位置，即可调节储油腔的大小。
[0007]进一步地，动力组件包括控制芯片、磁石和电磁铁，控制芯片固定设置在临时储油管上，磁石固定设置在推油片上，电磁铁设置在工作腔内，电磁铁和磁石磁性互斥，单晶硅传感器芯片和电磁铁均与控制芯片电性连接。通过控制芯片控制电磁铁的通断。
[0008]进一步地，临时储油管包括相互连通的大油管和小油管，小油管与导油管路一和导油管路二连通，推油片、磁石和电磁铁均设置在大油管内。避免推油片进入导油管路内造成滑脱现象。
[0009]进一步地，大油管内还设置有调节组件，电磁铁通过调节组件滑动设置在大油管
内。以带动电磁铁在大油管内的调节，控制电磁铁和推油片的间距。
[0010]进一步地，调节组件包括传动电机、螺杆和套筒，传动电机固定设置在大油管上，螺杆与传动电机的输出轴连接，套筒固定设置在电磁铁上，螺杆与套筒螺纹连接。螺杆和套筒的螺纹配合在保证调节的同时，能实现自锁。
[0011]本技术的有益效果在于：
[0012]本技术提供了一种高稳定性单晶硅压差传感器，通过临时储油管和推油组件的配合，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时自动释放压力，将导油管路内部的硅油输送至临时储油管内，以减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，从而能有效减小对单晶硅传感器芯片检测结果造成的误差。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是压差传感器的结构示意图；
[0015]图2是临时储油管的结构示意图；
[0016]图中1.壳体，2.单晶硅传感器芯片，3.传感器正压腔，4.传感器负压腔，5.大油管，6.小油管，7.推油片，8.磁石，9.电磁铁，10.传动电机，11.螺杆，12.套筒，13.导油管路一，14.导油管路二。
具体实施方式
[0017]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚.完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0018]如图1所示，传统单晶硅压差传感器包括壳体1，壳体1包括传感器正压腔3、传感器负压腔4和单晶硅传感器芯片2，单晶硅传感器芯片2置于壳体1内部，传感器正压腔3通过导油管路一13连通至单晶硅传感器芯片2的下端面，传感器负压腔4通过导油管路二14连通至单晶硅传感器芯片2的上端面。该部分结构为现有技术，具体工作原理在公开号为CN204535913U公开的高稳定性单晶硅压差传感器中有详细描述。
[0019]为了避免导油管路一13和导油管路二14内的油压过大对待检测的单晶硅传感器芯片2造成损坏，设计一种高稳定性单晶硅压差传感器，如图1所示，还包括两根临时储油管，两根临时储油管分别与导油管路一13和导油管路二14连通，用于调节导油管路一13和导油管路二14内的油压，临时储油管内还设有与单晶硅传感器芯片2电性连接的推油组件。推油组件用于调节临时储油管内部的空间，当单晶硅传感器芯片2承受的油压过大时，会向推油组件发送反馈信号，使推油组件收缩，扩大临时储油管内部的空间，即可使导油管路内部的硅油进入临时储油管的内部，减小导油管路内部的油压，从而实现在单晶硅传感器芯片2受到的压力过大时自动释放压力，减小因压力过大对单晶硅传感器芯片2造成的损害。
[0020]如图2所示，推油组件包括动力组件和推油片7，推油片7通过动力组件滑动设置在临时储油管内，使临时储油管分隔出储油腔和工作腔，储油腔与导油管路一13和导油管路
二14连通，通过调节推油片7的位置，即可调节储油腔的大小，当储油腔扩大时，导油管路内部的硅油会自动进入储油腔的内部。
[0021]动力组件包括控制芯片、磁石8和电磁铁9，控制芯片固定设置在临时储油管上，其型号为32F003C4UA，磁石8固定设置在推油片7上，电磁铁9设置在工作腔内，电磁铁9和磁石8磁性互斥，单晶硅传感器芯片2和电磁铁9均与控制芯片电性连接，当单晶硅传感器芯片2过压后，会通过控制芯片向电磁铁9发送控制信号，将电磁铁9关闭，使其失电，当电磁铁9失电后，推油片7会被硅油向靠近电磁铁9的方向推动，从而自动扩大储油腔的体积。
[0022]为了避免推油片7进入导油管路的内部出现脱落现象，临时储油管包括相互连通的大油管5和小油管6，小油管6与导油管路一13和导油管路二14连通，推油片7、磁石8和电磁铁9均设置在大油管5内，有效避免推油片7从大油管5的内部脱落。
[0023]为了能够控制电磁铁9失电后，导油管路内部的油压减小幅度，大油管5内还设置有调节组件，电磁铁9通过调节组件滑动设置在大油管5内，控制电磁铁9和推油片7之间的间距，当电磁铁9的位置不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括壳体(1)，所述壳体(1)包括传感器正压腔(3)，传感器负压腔(4)，和单晶硅传感器芯片(2)，所述单晶硅传感器芯片(2)置于壳体(1)内部，所述传感器正压腔(3)通过导油管路一(13)连通至单晶硅传感器芯片(2)的下端面，所述传感器负压腔(4)通过导油管路二(14)连通至单晶硅传感器芯片(2)的上端面，其特征在于，还包括两根临时储油管，两根所述临时储油管分别与导油管路一(13)和导油管路二(14)连通，用于调节导油管路一(13)和导油管路二(14)内的油压，所述临时储油管内还设有与单晶硅传感器芯片(2)电性连接的推油组件。2.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述推油组件包括动力组件和推油片(7)，所述推油片(7)通过动力组件滑动设置在临时储油管内，使临时储油管分隔出储油腔和工作腔，所述储油腔与导油管路一(13)和导油管路二(14)连通。3.根据权利要求2所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述动力组件包括控制芯片，所述控制芯片固定设置在临时...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：苏州星格纳测控技术有限公司，
类型：新型
国别省市：