【技术实现步骤摘要】
一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置
[0001]本技术涉及单晶硅刻蚀
,尤其是涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置。
技术介绍
[0002]传感器用单晶硅在加工过程中,均需对其进行刻蚀处理,现有的刻蚀加工过程中,其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上,并通过向片架所在位置导入反应气体,并使得反应气体在电场环境下产生等离子体,以对单晶硅进行刻蚀。
[0003]如公开号为CN204825135U的专利公开了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,该装置使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善,但由于上述装置对单晶硅进行固定时,单晶硅和装置接触的位置会被装置遮挡,无法有效的和等离子体接触,导致单晶硅的刻蚀出现死角,降低了刻蚀效果,为此我们提出一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置。
技术实现思路
[0004]为了解决现有固定装置易对单晶硅造成遮挡,导致刻蚀不完全的问题,本技术提供了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,通过周向分布在箱体内的水平传输夹持组件对单晶硅进行水平支撑, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,包括蚀刻箱(1),其特征在于:所述蚀刻箱(1)内设有周向分布的三组用于固定单晶硅的水平传输夹持组件,三组所述水平传输夹持组件通过伸缩调节臂与蚀刻箱(1)连接,所述水平传输夹持组件包括驱动电机(8)、传动皮带(7)和两个传动轮(6),两个所述传动轮(6)通过传动皮带(7)传动连接,其中一个所述传动轮(6)和驱动电机(8)的输出轴传动连接。2.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述传动轮(6)中部设有向内凹陷的凹陷部,所述传动皮带(7)与传动轮(6)的凹陷部相适配。3.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,其特征在于:所述水平传输夹持组件还包括有底架(5),两个所述传动轮(6)转动设置在底架(5)上方,所述驱动电机(8)固定设置...
【专利技术属性】
技术研发人员:李健,
申请(专利权)人:苏州星格纳测控技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。