一种干法刻蚀铌酸锂的方法技术

本发明专利技术涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到刻蚀时间后，刻蚀完成。本发明专利技术采用干法刻蚀铌酸锂的方法，其气体采用Cl2/H2进行铌酸锂刻蚀，不同于传统的氟基刻蚀铌酸锂体系。本发明专利技术可以使用介质材料或光刻胶做掩膜，应用于产线后，可优化生产流程，极大提升产能，节约成本。干法刻蚀铌酸锂可以使用传统的光刻胶掩膜或SiO，SiN，Si等介质材料作为硬掩膜，并获得较好的选择比和良好的形貌。较好的选择比和良好的形貌。较好的选择比和良好的形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种干法刻蚀铌酸锂的方法


[0001]本专利技术涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。

技术介绍

[0002]铌酸锂(lithiumniobate,LN)晶体是具有氧八面体结构的铁电体。它集压电、电光、声光、非线性光学性能和光折变等效应于一身，在光调制、光放大、光开关、光存储和光波导等众多方面有着广泛的应用，是迄今人们所发现的光学性能最多、综合指标最好的人工晶体之一。随着集成光学的发展，对器件的性能、集成度的要求不断提高，对于LN的刻蚀工艺也提出了更多要求。
[0003]干法刻蚀是利用等离子态的原子、分子与材料表面作用，形成挥发性物质或直接轰击样品表面使之被刻蚀的工艺，它能实现各向异性刻蚀，即纵向的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率，从而保证了细小图形转移后的保真度。干法刻蚀中的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术由于其控制精度高、大面积刻蚀均匀性好、污染少等优点，在半导体器件制造中获得越来越多的应用。
[0004]然而，LN是一种非常难刻蚀的材料。传统使用ICP刻蚀LN，一般选择使用氟基气体(如CF4，CHF3，SF6)和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：该刻蚀步骤如下：步骤一、将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；步骤二、向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2、H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；步骤三、达到刻蚀时间后，刻蚀完成。2.根据权利要求1所述的干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：步骤一中的所述铌酸锂为铌酸锂晶片，所述铌酸锂晶片作为待刻蚀材料。3.根据权利要求1所述的干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：步骤一中所述铌酸锂为生长于基底上方的铌酸锂薄膜所制成的晶片，所述铌酸锂薄膜作为待刻蚀材料。4.根据权利要求 2或3所述的干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：所述铌酸锂晶片、所述含有铌酸锂薄膜的晶片使用SiO薄膜或SiN薄膜或Si薄膜作为干法刻蚀中的掩膜材料，所述掩膜材料已完成图形化；所述SiO薄膜或所述SiN薄膜或所述Si薄膜为硬掩膜。5.根据权利要求 2或3所述的干法刻蚀铌酸锂的方法，其特征在于：所述铌酸锂晶片、...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯英雄，戴海成，刘建，车东晨，彭泰彦，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：