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本发明涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到刻蚀时间后，刻蚀完成...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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