本申请涉及一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：设置磁场，在机体内设置与离子撞击衬片方向相反的磁场；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，开启沉积设备取出镀设完成后的衬片。本申请具有降低衬片出现损坏概率的效果。本申请具有降低衬片出现损坏概率的效果。本申请具有降低衬片出现损坏概率的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备
[0001]本申请涉及太阳能电池生产的领域，尤其是涉及一种钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备。
技术介绍
[0002]射频等离子体增强化学气相沉积法是低温制备微晶硅薄膜，但其效率较低，难以形成大规模生产, 推广应用受到限制。
[0003]为了提高生长速率，现有的射频等离子体增强化学气相沉积制备装置通过加大射频辉光放电的激励功率，提升硅烷的分解效率，从而提升携带高能量的硅离子撞击衬片在衬片上的生长速率，从而提升沉积镀设效率，高能量的硅离子虽然提升了生长速率，但成高能量的硅离子的轰击力较强会造对薄膜生长表面较强的冲击力，从而容易导致衬片出现损坏。
技术实现思路
[0004]为了降低衬片出现损坏的概率，本申请提供一种钙钛矿外延生长工艺。
[0005]本申请提供的一种钙钛矿外延生长工艺采用如下的技术方案：一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：设置磁场，在机体内设置与离子撞击衬片方向相反的磁场；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。
[0006]通过采用上述技术方案，通过设置与离子撞击方向相反的磁场，在离子朝向衬片撞击时，通过反向的磁场减缓离子的冲击力，从而降低衬片因离子冲击力过大出现损坏的概率。
[0007]一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，包括机体，所述机体上开设有分解沉积腔，分解沉积腔顶部设置有发射器，分解沉积腔底部设置有加热平台，所述机体上安装有进气管，所述进气管连接且连通分解沉积腔内的发射器，所述分解沉积腔内设置有磁场发生器，所述磁场发生器设置在发射器和加热平台之间。
[0008]通过采用上述技术方案，磁场发生器在发射器和加热平台之间产生磁场，通过磁场降低离子的冲击速度，从而降低衬片因离子冲击力过大出现损坏的概率。
[0009]可选的，所述磁场发生器包括安装框和电磁线圈，所述安装框可拆卸安装在分解沉积腔内，所述电磁线圈安装在安装框内。
[0010]通过采用上述技术方案，安装框用于安装电磁线圈，方便电磁线圈在分解沉积腔内的拆装，使用电磁线圈通电产生磁场。
[0011]可选的，所述机体上安装有排气管，所述排气管连接且连通分解沉积腔，排气管远
离机体一侧连接排气设备。
[0012]通过采用上述技术方案，排气设备配合排气管对分解沉积腔进行抽气，从而实现对分解沉积腔内的压强调节。
[0013]可选的，所述进气管上安装有质量流量计，所述质量流量计和机体之间设置有针阀，所述针阀安装在进气管上。
[0014]通过采用上述技术方案，质量流量计配合针阀能够控制进入分解沉积腔内四氢化硅和氢气的量。
[0015]可选的，所述机体上安装有真空规管，所述真空规管插入分解沉积腔内。
[0016]通过采用上述技术方案，真空规管能够检测分解沉积腔内的压强，从而方便控制分解沉积腔内的压强。
[0017]可选的，所述机体上安装有充气管，所述充气管连接且连通分解沉积腔。
[0018]通过采用上述技术方案，充气管的设置能够在抽气过多时，对分解沉积腔内进行补充，从而方便调整分解沉积腔内的气压。
[0019]可选的，所述分解沉积腔侧壁设置有夹持组件，所述夹持组件对安装框进行夹持。
[0020]通过采用上述技术方案，通过夹持组件对安装框进行夹持，从而方便安装框的拆装。
[0021]可选的，所述夹持组件包括安装台、固定板和滑移板，所述安装台固设在分解沉积腔内，所述固定板固设在安装台上，固定板抵接于安装框底部，所述滑移板滑移设置在安装台上，滑移板沿机体高度方向滑移，滑移板通过滑移抵接在安装框底顶部。
[0022]通过采用上述技术方案，通过滑移板的滑移配合固定板，能够夹持不同厚度的安装框。
[0023]可选的，所述安装台上开设滑槽，所述滑移板上固设有滑块，所述滑块滑移设置于滑槽内，滑槽内设置有弹簧，弹簧一端抵接滑块另一端抵接滑槽内，弹簧驱动滑移板朝向固定板方向滑移。
[0024]通过采用上述技术方案，滑槽配合滑块使滑移板的滑移更加流畅，弹簧的设置能够通过弹力使滑移板夹持在安装框上。
[0025]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：1.通过设置与离子撞击方向相反的磁场，在离子朝向衬片撞击时，通过反向的磁场减缓离子的冲击力，从而降低衬片因离子冲击力过大出现损坏的概率；2.磁场发生器在发射器和加热平台之间产生磁场，通过磁场降低离子的冲击速度，从而降低衬片因离子冲击力过大出现损坏的概率；3.质量流量计配合针阀能够控制进入分解沉积腔内四氢化硅和氢气的量;4.通过滑移板的滑移配合固定板，能够夹持不同厚度的安装框；5.滑槽配合滑块使滑移板的滑移更加流畅，弹簧的设置能够通过弹力使滑移板夹持在安装框上。
附图说明
[0026]图1是本实施例的整体结构的剖视图。
[0027]图2是图1中A部的放大视图。
[0028]附图标记说明：1、机体；2、分解沉积腔； 4、发射器；5、加热平台；6、进气管；7、磁场发生器；71、安装框；72、电磁线圈；8、排气管；9、排气设备；10、质量流量计；11、针阀；12、真空规管；13、充气管；14、夹持组件；141、安装台；142、固定板；143、滑移板；15、滑槽；16、滑块；17、弹簧。
具体实施方式
[0029]以下结合附图1
‑
2对本申请作进一步详细说明。
[0030]本申请实施例公开一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片通过清水进行清洗，清洗后对衬片进行烘干；S3：设置磁场，在机体1内设置与离子撞击衬片方向相反的磁场，磁场的厚度根据实际情况设置；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片；通过设置与离子撞击方向相反的磁场，在离子朝向衬片撞击时，通过反向的磁场减缓离子的冲击力，从而降低衬片因离子冲击力过大出现损坏的概率。
[0031]本申请实施例公开一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，参照图1，包括机体1，机体1上开设有分解沉积腔2，通过挡板3的转动开启或密封关闭分解沉积腔2开口处，分解沉积腔2顶部设置有发射器4，发射器4连接射频源，分解沉积腔2底部设置有加热平台5，加热平台5为金属板，金属板内设置有电磁铁，通过给电磁铁通电产生热量，将热量传导到金属板上，通过金属板对放置在上方的衬片上进行衬片的加热，机体1上安装有进气管6，进气管6连接且连通分解沉积腔2内的发射器4，进气管6远离机体1一端连接四氢化硅气源，分解沉积腔2内设置有磁场发生器7，磁场发生器7设置在发射器4和加热平台5之间，磁场发生器7在发射器4和加热平台5之间产生磁场，通过磁场降低离子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：设置磁场，在机体（1）内设置与离子撞击衬片方向相反的磁场；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。2.一种用于权利要求1所述钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，包括机体（1），所述机体（1）上开设有分解沉积腔（2），分解沉积腔（2）顶部设置有发射器（4），分解沉积腔（2）底部设置有加热平台（5），所述机体（1）上安装有进气管（6），所述进气管（6）连接且连通分解沉积腔（2）内的发射器（4），其特征在于：所述分解沉积腔（2）内设置有磁场发生器（7），所述磁场发生器（7）设置在发射器（4）和加热平台（5）之间。3.根据权利要求2所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述磁场发生器（7）包括安装框（71）和电磁线圈（72），所述安装框（71）可拆卸安装在分解沉积腔（2）内，所述电磁线圈（72）安装在安装框（71）内。4.根据权利要求3所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述机体（1）上安装有排气管（8），所述排气管（8）连接且连通分解沉积腔（2），排气管（8）远离机体（1）一侧连接排气设备（9）。5.根据权利要求4所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述进气管（6）上安装有质量流量计（10），所述质量流量计（10）和机体（1）之间设置有针阀（11），所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶利松，张群芳，任建强，
申请(专利权)人：浙江合特光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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