【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备
[0001]本申请涉及太阳能电池生产的领域，尤其是涉及一种钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备。
技术介绍
[0002]射频等离子体增强化学气相沉积法是低温制备微晶硅薄膜，但其效率较低，难以形成大规模生产, 推广应用受到限制。
[0003]为了提高生长速率，现有的射频等离子体增强化学气相沉积制备装置通过加大射频辉光放电的激励功率，提升硅烷的分解效率，从而提升携带高能量的硅离子撞击衬片在衬片上的生长速率，从而提升沉积镀设效率，高能量的硅离子虽然提升了生长速率，但成高能量的硅离子的轰击力较强会造对薄膜生长表面较强的冲击力，从而容易导致衬片出现损坏。
技术实现思路
[0004]为了降低衬片出现损坏的概率，本申请提供一种钙钛矿外延生长工艺。
[0005]本申请提供的一种钙钛矿外延生长工艺采用如下的技术方案：一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：设置磁场，在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：设置磁场，在机体（1）内设置与离子撞击衬片方向相反的磁场；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。2.一种用于权利要求1所述钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，包括机体（1），所述机体（1）上开设有分解沉积腔（2），分解沉积腔（2）顶部设置有发射器（4），分解沉积腔（2）底部设置有加热平台（5），所述机体（1）上安装有进气管（6），所述进气管（6）连接且连通分解沉积腔（2）内的发射器（4），其特征在于：所述分解沉积腔（2）内设置有磁场发生器（7），所述磁场发生器（7）设置在发射器（4）和加热平台（5）之间。3.根据权利要求2所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述磁场发生器（7）包括安装框（71）和电磁线圈（72），所述安装框（71）可拆卸安装在分解沉积腔（2）内，所述电磁线圈（72）安装在安装框（71）内。4.根据权利要求3所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述机体（1）上安装有排气管（8），所述排气管（8）连接且连通分解沉积腔（2），排气管（8）远离机体（1）一侧连接排气设备（9）。5.根据权利要求4所述的一种用于钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述进气管（6）上安装有质量流量计（10），所述质量流量计（10）和机体（1）之间设置有针阀（11），所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶利松，张群芳，任建强，
申请(专利权)人：浙江合特光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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