用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法技术方案

本申请涉及单晶圆腐蚀清洗设备技术领域，具体而言，涉及一种用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法，所述供气单元包括与压力罐连通的供气管路，以及安装在所述供气管路上的气源和进气压力控制装置，所述进气压力控制装置包括气动减压阀和电磁比例阀，所述气动减压阀安装于所述供气管路，所述电磁比例阀与所述气动减压阀连接，所述电磁比例阀与所述处理器通信连接；所述输送单元包括与所述压力罐连通的输送管路，在所述输送管路上安装有第一流量计，所述第一流量计与所述处理器通信连接。本申请的目的在于针对背景技术中所涉及的至少一种技术问题，提供一种用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法。供液系统及其控制方法。供液系统及其控制方法。

【技术实现步骤摘要】
用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法


[0001]本申请涉及单晶圆腐蚀清洗设备
，具体而言，涉及一种用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶圆制造工艺的过程中，为了提高生产效率，节约人工成本，采用全自动清洗设备对晶圆进行腐蚀清洗。在晶圆全程腐蚀清洗的过程中，由于腐蚀清洗工艺的不同，往往对化学液的供给流量要求也不同。
[0003]现有技术中，单晶圆的腐蚀清洗工艺通常采用气动泵供液方式，由于气动泵自身运动的特性，使管路中的化学液流动方式是成脉动形式的，不连续平稳，使管路出口化学液的流速也不稳定，而且这种供液方式化学液的流量不可控制，对不同腐蚀清洗工艺不能实现自动调节，腐蚀清洗效果不稳定。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于针对
技术介绍
中所涉及的至少一种技术问题，提供一种用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统及其控制方法。
[0005]为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：
[0006]本申请提供一种用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，包括处理器、压力罐、供气单元和输送本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，包括处理器、压力罐、供气单元和输送单元；所述供气单元包括与压力罐连通的供气管路，以及安装在所述供气管路上的气源和进气压力控制装置，所述进气压力控制装置包括气动减压阀和电磁比例阀，所述气动减压阀安装于所述供气管路，所述电磁比例阀与所述气动减压阀连接，所述电磁比例阀与所述处理器通信连接；所述输送单元包括与所述压力罐连通的输送管路，在所述输送管路上安装有第一流量计，所述第一流量计与所述处理器通信连接。2.根据权利要求1所述的用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，所述供气单元还包括一级减压阀，从所述供气管路的上游到下游所述一级减压阀与所述气动减压阀依次连接。3.根据权利要求1所述的用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，还包括安装在所述供气管路的气体过滤器，所述气体过滤器位于所述气源和所述进气压力控制装置之间。4.根据权利要求1所述的用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，在所述进气压力控制装置的下游还依次安装有泄压阀和压力检测传感器。5.根据权利要求1所述的用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，还包括压力罐液位连续检测传感器，所述压力罐液位连续检测传感器安装于所述压力罐。6.根据权利要求1所述的用于单晶圆腐蚀清洗的供液系统，其特征在于，在所述输送管路上还安装有化学液在线加热装置和化学液温度检测传感器，所述化学液在线加热装置和所述化学液温...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭立刚，宋文超，赵妍，刘妍，康国雨，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：