晶圆测试方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质，晶圆测试方法包括：获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；基于每组预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组预设测试条件对应的目标采样时间点；根据每组预设测试条件及其对应的目标采样时间点，对同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。通过获得每组预设测试条件下同批次晶圆中预设数量的裸片的目标采样点，再根据获得目标采样点的预设测试条件和晶圆批次信息，对相同条件的剩余裸片进行测试，以降低晶圆测试过程中的采样时间点与裸片的输出信号的时间点的差异，提高晶圆测试的准确性和裸片的良率。提高晶圆测试的准确性和裸片的良率。提高晶圆测试的准确性和裸片的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试方法、装置、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在晶圆(Wafer)制造完成之后，分布在晶圆上的裸片(Die)中会有一定量的残次品，通过晶圆测试鉴别出残次品裸片，以提高出厂产品良率，降低生产成本。在测试过程中，受不同的制造工艺、测试温度、测试电压等条件的影响，晶圆的输出信号的时间点的差异较大，因此，对裸片的输出信号进行采样的时间点的准确性对裸片的良率有很大影响。
[0003]目前，对裸片的输出信号采样的过程中，通常是测试人员手动设置采样时间点，该采样时间点存在与输出信号的时间点存在差异的情况，晶圆测试的准确性不高，导致裸片的良率损失。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种晶圆测试方法、装置、设备及存储介质。
[0006]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种晶圆测试方法，所述晶圆测试方法包括：r/>[0007]获本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法包括：获取晶圆的批次信息和多组预设测试条件；基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点；根据每组所述预设测试条件及其对应的所述目标采样时间点，对所述同批次晶圆中剩余的裸片进行测试。2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，每组所述预设测试条件包括温度信息以及多个电压信息。3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法，其特征在于，基于每组所述预设测试条件，对同批次晶圆中预设数量的裸片分别进行测试，获得每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息；当所述测试信息满足预设条件时，停止测试并获取停止测试时刻的时间信息作为参考时间信息；根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点。4.根据权利要求3所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述在每组所述预设测试条件下，分别向预设数量中的每个所述裸片执行写读操作，采集所述裸片的测试信息，包括：在所述预设测试条件下开始测试，等待第一预设时长；在等待所述第一预设时长后，每间隔第二预设时长向预设数量中的每个所述裸片执行一次写读操作，采集所述写读操作对应的测试信息。5.根据权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法，还包括：自所述开始测试起，当每个所述裸片的累积测试时长达到第三预设时长，且所获得的全部所述测试信息均未满足预设条件，则停止测试并确定所述裸片存在异常。6.根据权利要求5所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述晶圆测试方法，还包括：若采集到的所述测试信息未满足所述预设条件，则对未满足所述预设条件的次数进行记录，并继续进行测试。7.根据权利要求6所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述测试信息包括采样电压信息，所述预设条件包括参考电压值；所述测试信息满足预设条件，包括：所述采样电压信息大于所述参考电压值。8.根据权利要求7所述的晶圆测试方法，其特征在于，根据所述参考时间信息，确定每组所述预设测试条件对应的目标采样时间点，包括：获取所述采样电压信息的周期信息；将所述周期信息的预设倍数与所述参考时间信息之和，作为所述目标采样时间点。9.根据权利要求8所述的晶圆测试方法，其特征在于，确定所述参考时间信息的方法，包括：计算所述测试信息未满足所述预设条件的次数与所述第二预设时长的乘积；将所述乘积与所述第一预设时长之和，作为所述参考时间信息。
10.根据权利要求8所...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺吉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：