一种CMOS图像传感器的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，属于半导体器件制造技术领域，该CMOS图像传感器的形成方法，包括提供衬底，所述衬底中具有第一导电类型的隔离结构；在所述衬底上形成相应的栅极，所述栅极通过栅介质层与衬底绝缘隔离；向所述光电二极管区的所述衬底注入第二导电类型的离子，以形成深掺杂区；向所述深掺杂区的表层注入相应的第一导电类型的离子，形成第一导电类型的浅掺杂区；在所述栅极的侧壁上形成侧墙结构。通过对离子注入的顺序进行调整，即在形成侧墙结构之前先行光电二极管区所需的离子注入形成浅掺杂区，扩大了光电二极管所需的浅掺杂区的离子注入面积，避免了浅掺杂区的纵向扩散过深造成的性能损失。浅掺杂区的纵向扩散过深造成的性能损失。浅掺杂区的纵向扩散过深造成的性能损失。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像传感器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，特别涉及一种CMOS图像传感器的形成方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器的性能主要由感光区二极管(photo diode，PD)决定，感光区二极管在制造过程中包括多道离子注入步骤，各道注入的位置、能量与剂量决定了二极管各区域的物理形貌，进而直接影响了传感器的热噪声、白像素、暗电流等各项性能。正如CMOS图像传感器的像素点包括一个PN结，该PN结利用光伏效应将光信号变成电信号，由于这一过程中光电二极管对表面缺陷及热电流极为敏感，因此通常会在感光区二极管的表层掺杂P型离子，利用P型离子掺杂扩散覆盖，以改善PN结利用光伏效应光电转换过程中表面缺陷带来的暗电流、白像素以及感光区二极管结构带来的热噪声问题，这要求感光区二极管的浅层掺杂P型离子的区域要达到较宽的横向面积以及更浅的纵向深度来获得更大的覆盖面积，以降低漏电流，达到更少的性能损失，一般在栅极的侧墙形成之后，再进行浅层P型离子注入，如图1示出的相邻排布的四个光电二极管，虚线处所示出的表层P掺杂区的内缘，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底(1)，所述衬底(1)中具有第一导电类型的隔离结构(7)，以定义出光电二极管区；在所述衬底(1)上形成相应的栅极(2)，所述栅极(2)通过栅介质层(3)与衬底(1)绝缘隔离；向所述光电二极管区的所述衬底(1)注入第二导电类型的离子，以形成深掺杂区(4)；向所述深掺杂区(4)的表层注入相应的第一导电类型的离子，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)；在所述栅极(2)的侧壁上形成侧墙结构(6)。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述浅掺杂区(5)的步骤包括：在所述衬底(1)的表面和所述栅极(2)的顶部上形成图案化的光阻层，所述光阻层暴露出所述栅极(2)靠近所述深掺杂区(4)一侧的侧壁；以所述光阻层为掩膜，向所述衬底(1)注入第一导电类型的离子，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)。3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，注入形成第一导电类型的浅掺杂区(5)时，注入第一导电类型的离子的能量至多为20KeV。4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第一导电类型的浅掺杂区(5)时，注入第一导电类型离子的能量范围为1KeV～15KeV。5.如权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王润泽，王璐，梅翠玉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：