温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，属于半导体器件制造技术领域，该CMOS图像传感器的形成方法，包括提供衬底，所述衬底中具有第一导电类型的隔离结构；在所述衬底上形成相应的栅极，所述栅极通过栅介质层与衬底绝缘隔离；向所述光电二极管区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。