晶片自动下蜡装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及蓝宝石晶片加工技术领域，公开了一种晶片自动下蜡装置，包括转运架、第一搬运组件以及第一加热盘，所述转运架具有多层依次叠放的放置架，每层所述放置架能够放置载有晶片的陶瓷盘，所述第一搬运组件能够将所述转运架上放置的所述陶瓷盘搬运到所述第一加热盘上，所述第一加热盘能够加热所述陶瓷盘，以使得晶片与所述陶瓷盘之间的蜡融化。通过上述技术方案，多层设置的放置架能够同时放置大量待下蜡的陶瓷盘，第一搬运组件能够将陶瓷盘依次从放置架上卸下并转运至第一加热盘上，再利用第一加热盘对陶瓷盘进行加热，使得蜡得以融化从而达到下蜡的目的，上述过程均有机械完成，避免了人工操作对晶片造成的损伤。避免了人工操作对晶片造成的损伤。避免了人工操作对晶片造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】
晶片自动下蜡装置


[0001]本技术涉及蓝宝石晶片加工
，具体地涉及一种晶片自动下蜡装置。

技术介绍

[0002]蓝宝石是一种集优良光学性能物理性能和化学性能于一身的独特晶体，是现代工业重要的基础材料。其独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的半导体照明(LED)、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的衬底材料。根据法国YOLE的统计，衬底材料应用占蓝宝石需求量的75％以上，非衬底材料应用占25％左右。每当LED照明渗透率增加1％，将直接拉动蓝宝石衬底约107万片的增长需求。随着行业产能的普遍提升、蓝宝石材料制造成本以及销售价格的下降，及技术的不断升级和应用市场的快速扩大，4英寸、6英寸、甚至更大尺寸衬底晶片由于在生产利用率上的先天优势，将更多的被国内主流芯片企业所采用。
[0003]随着国内LED和半导体的切磨抛加工技术日益成熟，LED和半导体不仅对于材料要求，对于所有阶段的加工技术要求都出现了不同阶段的提升瓶颈，由传统的模仿和学习开始慢慢转变为自主研发提升，晶片铜抛温度的控住主要是针对晶片抛光各制程产品在总厚度偏差(TTV)、弯曲度(BOW)、翘曲度(WARP)、LTV等参数控制上，再次提升和突破的另一项参数需求。
[0004]通过采用单面硬抛的方式对晶片进行加工，一方面为了降低晶片的翘曲度，另一方面为了去除晶片表面的损伤层。为了保障晶片的翘曲度，通常需要较长的磨削时间以及较大的磨削量，才能达到保证晶片平坦的目的。由于蓝宝石硬度高、脆性大给材料加工尤其是表面纳米级抛光带来很多困难。为应对光电技术的发展对蓝宝石衬底材料表面提出的超光滑、无损伤的要求，必须对蓝宝石衬底进行精细抛光。
[0005]蓝宝石衬底片抛光主要有机械抛光、化学抛光和化学机械抛光。抛光时通常使用蜡等材质将晶片固定于陶瓷盘上，在抛光结束后再将蜡融化并从陶瓷盘上取下，然后将晶片与陶瓷盘分别运向下一制程。但目前通常采用人工方式将抛光后的晶片从陶瓷盘上取下，这一过程不仅效率不高，且人工操作容易对晶片造成损伤，影响产品良率。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是为了克服现有技术存在的人工下蜡操作效率不高，且人工操作容易对晶片造成损伤，影响产品良率问题，提供一种晶片自动下蜡装置。
[0007]为了实现上述目的，本技术一方面提供一种晶片自动下蜡装置，包括转运架、第一搬运组件以及第一加热盘，所述转运架具有多层依次叠放的放置架，每层所述放置架能够放置载有晶片的陶瓷盘，所述第一搬运组件能够将所述转运架上放置的所述陶瓷盘搬运到所述第一加热盘上，所述第一加热盘能够加热所述陶瓷盘，以使得晶片与所述陶瓷盘之间的蜡融化。
[0008]可选地，所述转运架还包括第一升降机构，所述第一升降机构与所述放置架传动
连接，所述第一升降机构能够驱动所述放置架沿竖直方向移动，所述放置架包括多层依次设置的周向框架，所述周向框架能够支撑所述陶瓷盘的边缘。
[0009]可选地，所述第一搬运组件包括导轨、安装板、顶升组件以及驱动组件，所述驱动组件能够驱动所述安装板沿所述导轨移动，所述安装板能够移动至所述导轨的第一端并伸入所述放置架内部，所述顶升组件设置于所述安装板上，所述顶升组件包括多个能够沿竖直方向伸缩的伸缩杆，所述顶升组件能够将放置于所述周向框架内的所述陶瓷盘顶离所述周向框架。
[0010]可选地，所述第一加热盘设置于所述安装板的中心位置，所述伸缩杆沿所述第一加热盘周向间隔均布。
[0011]可选地，所述晶片自动下蜡装置还包括第二搬运组件以及晶片放置篮，所述第二搬运组件能够将所述陶瓷盘上放置的晶片搬运至所述晶片放置篮内。
[0012]可选地，所述第二搬运组件包括设置于所述导轨第二端的第二加热盘，所述第一搬运组件能够将承载有晶片的陶瓷盘搬运至所述第二加热盘上。
[0013]可选地，所述第二搬运组件还包括设置于所述第二加热盘底部的旋转组件，所述旋转组件能够驱动所述第二加热盘旋转。
[0014]可选地，所述第二搬运组件还包括机械臂，所述机械臂的自由端设置有晶片铲刀。
[0015]可选地，所述机械臂以及所述晶片放置篮分别设置于所述导轨相对的两侧。
[0016]可选地，所述晶片放置篮包括放置框以及驱动所述放置框沿竖直方向移动的第二升降机构。
[0017]通过上述技术方案，多层设置的放置架能够同时放置大量待下蜡的陶瓷盘，第一搬运组件能够将陶瓷盘依次从放置架上卸下并转运至第一加热盘上，再利用第一加热盘对陶瓷盘进行加热，使得蜡得以融化从而达到下蜡的目的，上述过程均有机械完成，避免了人工操作对晶片造成的损伤。
附图说明
[0018]图1是本技术所述的晶片自动下蜡装置的一种实施方式的结构示意图；
[0019]图2本技术所述的周向框架的一种实施方式的结构示意图；
[0020]图3是本技术所述的放置架的一种实施方式的结构示意图；
[0021]图4是本技术所述的第二搬运组件的一种实施方式的结构示意图。
[0022]附图标记说明
[0023]10
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转运架，11
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第一升降机构，12
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放置架，121
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周向框架，13
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底架，14
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万向轮，20
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第一加热盘，31
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安装板，32
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顶升组件，33
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导轨，41
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晶片放置篮，42
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机械臂，421
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晶片铲刀，43
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第二加热盘，100
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晶片，200
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陶瓷盘。
具体实施方式
[0024]以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。
[0025]在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“顶”、“底”、“左”、“右”通常是指装置或设备处于使用状态下的方位。需要说明的是，这仅是为了
便于描述本技术，不应理解为对本技术的限制。
[0026]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不应理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0027]在本技术中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]为了实现上述目的，本技术一方面提供一种晶片自动下蜡装置，包括转运架10、第一搬运组件以及第一加热盘20，所述转运架10具有多层依次叠放的放置架12，每层所述放置架12能够放置载有晶片100的陶瓷盘200，所述第一搬运组件能够将所述转运架10上放置的所述陶瓷盘200搬运到所述第一加热盘20上，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片自动下蜡装置，其特征在于，包括转运架(10)、第一搬运组件以及第一加热盘(20)，所述转运架(10)具有多层依次叠放的放置架(12)，每层所述放置架(12)能够放置载有晶片(100)的陶瓷盘(200)，所述第一搬运组件能够将所述转运架(10)上放置的所述陶瓷盘(200)搬运到所述第一加热盘(20)上，所述第一加热盘(20)能够加热所述陶瓷盘(200)，以使得晶片(100)与所述陶瓷盘(200)之间的蜡融化。2.根据权利要求1所述的晶片自动下蜡装置，其特征在于，所述转运架(10)还包括第一升降机构(11)，所述第一升降机构(11)与所述放置架(12)传动连接，所述第一升降机构(11)能够驱动所述放置架(12)沿竖直方向移动，所述放置架(12)包括多层依次设置的周向框架(121)，所述周向框架(121)能够支撑所述陶瓷盘(200)的边缘。3.根据权利要求2所述的晶片自动下蜡装置，其特征在于，所述第一搬运组件包括导轨(33)、安装板(31)、顶升组件(32)以及驱动组件，所述驱动组件能够驱动所述安装板(31)沿所述导轨(33)移动，所述安装板(31)能够移动至所述导轨(33)的第一端并伸入所述放置架(12)内部，所述顶升组件(32)设置于所述安装板(31)上，所述顶升组件(32)包括多个能够沿竖直方向伸缩的伸缩杆，所述顶升组件(32)能够将放置于所述周向框架(121)内的所述陶瓷盘(200...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠海，宋亚滨，翟虎，陆继波，陈桥玉，周文辉，
申请(专利权)人：甘肃旭晶新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：