一种DDR扩展装置及控制方法、装置、介质制造方法及图纸

本申请公开了一种DDR扩展装置及控制方法、装置、介质，涉及DDR领域，为了在保持DDR控制器信号线不变的情况下，增加挂载DDR颗粒的数量，本申请所提供的DDR扩展装置，当DDR控制器的片选信号端CS为高电平时，第一DDR颗粒和第二DDR颗粒的片选信号端CS为高电平，当DDR控制器的片选信号端CS为低电平时，经过反相器，第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的片选信号端CS为高电平，通过改变DDR控制器和DDR颗粒之间的BANK GROUP地址选择信号端BG和片选信号端CS的作用方式，增加了挂载的DDR颗粒的数量，在任何数据位宽情况下都能实现挂载DDR颗粒数量翻倍。倍。倍。

【技术实现步骤摘要】
一种DDR扩展装置及控制方法、装置、介质


[0001]本申请涉及DDR领域，特别是涉及一种DDR扩展装置及控制方法、装置、介质。

技术介绍

[0002]双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR)为具有双倍数据传输率的同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random
‑
access memory，SDRAM)，其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。传统的DDR控制器上挂载DDR颗粒的架构图如图1所示，DDR颗粒内部结构图如图2所示，图1中DDR控制器通过信号线与DDR颗粒相连，其中ADDR[17:0]为地址信号，CS是DDR片选信号，BA[1:0]为BANK地址选择信号，DQ[31:0]为数据信号，BG[0]和BG[1]为BANK GROUP地址选择信号。
[0003]由于DDR颗粒的数据位宽只有16位，DDR控制器的数据位宽是32位，所以在DDR控制器上挂载了两片DDR颗粒，DDR控制器的低16位数据信号DQ[15:0]与第一DDR颗粒的数据信号DQ[15:0]相连，DDR控制器的高16位数据信号DQ[31:16]与第二DDR颗粒的数据信号DQ[15:0]相连，地址信号ADDR[17:0]、地址选择信号BA[1:0]与两片DDR颗粒同时相连；
[0004]图2中DDR颗粒将存储空间分成两个大块，分别为BANK GROUP1和BANK GROUP2，图1中的BG[0]和BG[1]地址选择信号分别用于对两片DDR颗粒进行BANK GROUP地址选择，当BG[0]为1
’
b1时选择第一DDR颗粒中的BANK GROUP1，当BG[0]为1
’
b0时选择第一DDR颗粒中的BANK GROUP2；当BG[1]为1
’
b1时选择第二DDR颗粒中的BANK GROUP1，当BG[1]为1
’
b0时选择第二DDR颗粒中的BANK GROUP2。
[0005]DDR控制器和DDR颗粒连接完成DDR读写、存储数据的功能，DDR颗粒数量根据DDR控制器和DDR颗粒的数据位宽来决定，那么DDR颗粒的总容量也是一定的，在DDR控制器和DDR颗粒的数据位宽是一定的情况下，不能对DDR颗粒进行扩展，所以CPU通过DDR控制器读写DDR颗粒的数量也是一定的。
[0006]由此可见，如何在保持DDR控制器信号线不变的情况下，增加挂载DDR颗粒的数量，进而扩展DDR控制器挂载DDR存储容量的大小，是本领域人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0007]本申请的目的是提供一种在保持DDR控制器信号线不变的情况下，增加挂载DDR颗粒的数量，进而扩展DDR控制器挂载DDR存储容量的大小的DDR扩展装置。
[0008]为解决上述技术问题，本申请提供一种DDR扩展装置，包括：
[0009]DDR控制器、第一DDR颗粒、第二DDR颗粒、第三DDR颗粒、第四DDR颗粒、反相器；
[0010]DDR控制器的片选信号端、第一BANK GROUP地址选择信号端分别与第一DDR颗粒和第二DDR颗粒的片选信号端、地址选择信号端连接，DDR控制器的片选信号端通过反相器与第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的片选信号端连接，DDR控制器的第二BANK GROUP地址选择信号端与第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的地址选择信号端连接，DDR控制器的低位数据信号与
第一DDR颗粒和第三DDR颗粒的数据信号端连接，DDR控制器的高位数据信号与第二DDR颗粒和第四DDR颗粒的数据信号端连接，DDR控制器的BANK地址选择信号端、地址信号端分别与第一DDR颗粒、第二DDR颗粒、第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的BANK地址选择信号端、地址信号端连接，DDR控制器的片选信号端CS用于输出高电平信号和低电平信号。。
[0011]优选地，上述DDR扩展装置中，还包括：处理器；
[0012]处理器与DDR控制器连接。
[0013]优选地，上述DDR扩展装置中，处理器包括第一处理器、第二处理器，还包括：仲裁器；
[0014]第一处理器、第二处理器与仲裁器连接，仲裁器与DDR控制器连接。
[0015]优选地，上述DDR扩展装置中，仲裁器通过系统总线与第一处理器、第二处理器连接。
[0016]为解决上述技术问题，本申请还提供一种DDR扩展装置的控制方法，应用于DDR扩展装置，包括：DDR控制器、第一DDR颗粒、第二DDR颗粒、第三DDR颗粒、第四DDR颗粒、反相器；DDR控制器的片选信号端、第一BANK GROUP地址选择信号端分别与第一DDR颗粒和第二DDR颗粒的片选信号端、地址选择信号端连接，DDR控制器的片选信号端通过反相器与第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的片选信号端连接，DDR控制器的第二BANK GROUP地址选择信号端与第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的地址选择信号端连接，DDR控制器的低位数据信号与第一DDR颗粒和第三DDR颗粒的数据信号端连接，DDR控制器的高位数据信号与第二DDR颗粒和第四DDR颗粒的数据信号端连接，DDR控制器的BANK地址选择信号端、地址信号端分别与第一DDR颗粒、第二DDR颗粒、第三DDR颗粒和第四DDR颗粒的BANK地址选择信号端、地址信号端连接；
[0017]本方法包括：
[0018]判断当前需选择接入的DDR颗粒；
[0019]若需接入第一DDR颗粒和第二DDR颗粒，控制片选信号端输出高电平信号；
[0020]若需接入第三DDR颗粒和第四DDR颗粒，控制片选信号端输出低电平信号。
[0021]优选地，上述DDR扩展装置的控制方法中，DDR扩展装置还包括：第一处理器、第二处理器，仲裁器；第一处理器、第二处理器与仲裁器连接，仲裁器与DDR控制器连接；
[0022]判断当前需选择接入的DDR颗粒，包括：
[0023]接收仲裁器发送的第一处理器和第二处理器的启动状态；
[0024]若第一处理器和第二处理器同时启动，判断当前仲裁器选通的是哪一个处理器；
[0025]若选通第一处理器，则判断为需接入第一DDR颗粒和第二DDR颗粒；
[0026]若选通第二处理器，则判断为需接入第三DDR颗粒和第四DDR颗粒。
[0027]优选地，上述DDR扩展装置的控制方法中，若只启动第一处理器或只启动第二处理器，则还包括：
[0028]判断当前启动的处理器需读写的DDR颗粒；
[0029]若需读写第一DDR颗粒和第二DDR颗粒，则判断为需接入第一DDR颗粒和第二DDR颗粒；
[0030]若需读写第三DDR颗粒和第四DDR颗粒，则判断为需接入第三DDR颗粒和第四DDR颗粒。
[0031]为解决上述技术问题，本申请还提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DDR扩展装置，其特征在于，包括：反相器(11)、DDR控制器(12)、第一DDR颗粒(13)、第二DDR颗粒(14)、第三DDR颗粒(15)、第四DDR颗粒(16)；所述DDR控制器(12)的片选信号端、第一BANK GROUP地址选择信号端分别与所述第一DDR颗粒(13)和所述第二DDR颗粒(14)的片选信号端、地址选择信号端连接，所述DDR控制器(12)的片选信号端通过所述反相器(11)与所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的片选信号端连接，所述DDR控制器(12)的第二BANK GROUP地址选择信号端与所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的地址选择信号端连接，所述DDR控制器(12)的低位数据信号与所述第一DDR颗粒(13)和所述第三DDR颗粒(15)的数据信号端连接，所述DDR控制器(12)的高位数据信号与所述第二DDR颗粒(14)和所述第四DDR颗粒(16)的数据信号端连接，所述DDR控制器(12)的BANK地址选择信号端、地址信号端分别与所述第一DDR颗粒(13)、所述第二DDR颗粒(14)、所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的BANK地址选择信号端、地址信号端连接，所述DDR控制器(12)的片选信号端CS用于输出高电平信号和低电平信号。2.根据权利要求1所述的DDR扩展装置，其特征在于，还包括：处理器；所述处理器与所述DDR控制器(12)连接。3.根据权利要求2所述的DDR扩展装置，其特征在于，还包括：仲裁器(17)，所述处理器包括第一处理器(18)、第二处理器(19)；所述第一处理器(18)、所述第二处理器(19)与所述仲裁器(17)连接，所述仲裁器(17)与所述DDR控制器(12)连接。4.根据权利要求3所述的DDR扩展装置，其特征在于，所述仲裁器(17)通过系统总线与所述第一处理器(18)、所述第二处理器(19)连接。5.一种DDR扩展装置的控制方法，其特征在于，应用于DDR扩展装置，包括：DDR控制器(12)、第一DDR颗粒(13)、第二DDR颗粒(14)、第三DDR颗粒(15)、第四DDR颗粒(16)、反相器(11)；所述DDR控制器(12)的片选信号端、第一BANK GROUP地址选择信号端分别与所述第一DDR颗粒(13)和所述第二DDR颗粒(14)的片选信号端、地址选择信号端连接，所述DDR控制器(12)的片选信号端通过所述反相器(11)与所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的片选信号端连接，所述DDR控制器(12)的第二BANK GROUP地址选择信号端与所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的地址选择信号端连接，所述DDR控制器(12)的低位数据信号与所述第一DDR颗粒(13)和所述第三DDR颗粒(15)的数据信号端连接，所述DDR控制器(12)的高位数据信号与所述第二DDR颗粒(14)和所述第四DDR颗粒(16)的数据信号端连接，所述DDR控制器(12)的BANK地址选择信号端、地址信号端分别与所述第一DDR颗粒(13)、所述第二DDR颗粒(14)、所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)的BANK地址选择信号端、地址信号端连接；本方法包括：判断当前需选择接入的DDR颗粒；若需接入所述第一DDR颗粒(13)和所述第二DDR颗粒(14)，控制片选信号端输出高电平信号；若需接入所述第三DDR颗粒(15)和所述第四DDR颗粒(16)，控制片...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾雪青，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：