半导体废气处理设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体废气处理设备，包括反应容器，所述反应容器包括：顶盖、壳体和加热器，顶盖连接有废气管路和辅助气体管路；壳体设于所述顶盖的下方，壳体与所述顶盖配合围设出反应腔；加热器穿设于所述壳体的壁面并位于所述反应腔内。本发明专利技术提出的半导体废气处理设备，加热器插设于壳体，加热器的拆装更加简便，拆装工作量降低，拆装对空间要求降低，顶盖的重量降低，降低维护成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
半导体废气处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及半导体废气处理设备。

技术介绍

[0002]在泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理设备是生产工艺中不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。
[0003]在电加热半导体废气处理设备中，设备的顶盖安装加热器，以使加热器插入设备的反应腔内，存在如下痛点问题：其一，高温腐蚀恶劣条件下，加热器的寿命和加热效率难以保证；其二、加热器需要频繁维护、寿命短，加热器的拆装更换频率较高，在更换加热器时，需拆除整个反应腔，拆装工作量大，拆装对空间要求高，设备重量大，维护频繁，占用大量人力物力，当加热器通过绝缘陶瓷与法兰螺纹连接，陶瓷的加热器频繁拆装易碎裂，维护不便且成本高；其三、反应腔粉尘容易堆积问题，清理困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种半导体废气处理设备，加热器插设于壳体，加热器的拆装更加简便，拆装工作量降低，拆装对空间要求降低，顶盖的重量降低，降低维护成本。
[0005]根据本专利技术实施例的半导体废气处理设备，包括反应容器，所述反应容器包括：
[0006]顶盖，连接有废气管路和辅助气体管路；
[0007]壳体，设于所述顶盖的下方，与所述顶盖配合围设出反应腔；
[0008]加热器，穿设于所述壳体的壁面并位于所述反应腔内。
[0009]根据本专利技术的一个实施例，所述加热器设置有第一法兰，所述壳体设置有第二法兰，所述第一法兰可拆卸连接于所述第二法兰。
[0010]根据本专利技术的一个实施例，所述反应容器设置在柜体内，所述柜体设置有门体，所述第二法兰位于朝向所述门体的一侧。
[0011]根据本专利技术的一个实施例，所述加热器沿所述壳体的高度方向设置多个，多个所述加热器相平行。
[0012]根据本专利技术的一个实施例，多个所述加热器分级加热，以使加热温度从小于气体的目标温度逐渐升高到所述目标温度。
[0013]根据本专利技术的一个实施例，所述加热器分为从上向下分布的第一加热器、第二加热器和第三加热器，所述第一加热器所能达到的第一加热温度为所述目标温度的80％，所述第二加热器所能达到的第二加热温度为所述目标温度的90％，所述第三加热器所能达到的第三加热温度均为所述目标温度。
[0014]根据本专利技术的一个实施例，所述顶盖开设安装喷淋头的安装口，所述喷淋头位于
所述反应腔内，所述喷淋头与所述顶盖外侧的喷淋管路连通。
[0015]根据本专利技术的一个实施例，所述顶盖设置有连接所述废气管路的进气口，多个所述进气口设置在所述安装口的外周。
[0016]根据本专利技术的一个实施例，所述壳体的底部通过密封组件与水箱连接，所述密封组件包括连接管和套设在所述连接管外侧的压板，所述连接管的两端分别连接所述壳体和所述水箱，所述压板适于在所述连接管的外侧移动，所述压板通过紧固件固定于所述水箱，所述压板与所述水箱之间通过密封件密封连接。
[0017]根据本专利技术的一个实施例，所述壳体的底部设置有溢流筒，所述溢流筒与所述水箱通过所述密封组件连接，所述连接管的端部设置有第一卡接部，所述溢流筒设置有第二卡接部，所述第一卡接部与所述第二卡接部通过快接卡箍固定。
[0018]本专利技术实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：
[0019]本专利技术实施例的半导体废气处理设备，包括反应容器，反应容器包括顶盖、壳体和加热器，顶盖设置在壳体的顶部，顶盖与壳体配合围设出反应腔，加热器插设于壳体，并穿入反应腔内，加热器为反应腔内提供热量，以使反应腔内的温度达到废气处理所需的目标温度，加热器插设于壳体的安装方式，方便拆装，拆装过程无需拆卸顶盖，拆装加热器的操作简便，劳动强度降低，对设备安装空间的要求降低，且顶盖的结构更简单。
[0020]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是现有技术中反应容器的俯视结构示意图；
[0023]图2是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的反应容器的立体结构示意图；
[0024]图3是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的反应容器的立体结构示意图；与图2的区别在于，图3中加热器未安装到位；
[0025]图4是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的反应容器的正视结构示意图；
[0026]图5是图4中A
‑
A的剖视结构示意图；
[0027]图6是本专利技术实施例提供的加热器的立体结构示意图；
[0028]图7是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的反应容器的俯视结构示意图；
[0029]图8是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的门体打开状态的正视结构示意图；
[0030]图9是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的门体打开状态的立体结构示意图；
[0031]图10是本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的门体打开状态的立体结构示意图；与图9的区别在于，图10中反应容器处于拆卸状态；
[0032]图11本专利技术实施例提供的半导体废气处理设备的水箱的立体结构示意图，图中连
接反应容器与水箱的密封组件处于拆卸状态；
[0033]图12本专利技术实施例提供的密封组件的结构示意图。
[0034]附图标记：
[0035]010、顶盖；011、制程气体进口；012、加热棒；
[0036]10、反应容器；1、顶盖；11、安装口；12、进气口；13、辅助气体管路；2、壳体；21、第二法兰；22、内壳；23、夹层；3、加热器；31、加热棒；32、第一法兰；4、溢流筒；41、第二卡接部；5、水箱；6、密封组件；61、连接管；611、第一卡接部；62、压板；63、密封件；64、快接卡箍；20、洗涤塔；30、柜体；301、门体。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的范围。
[0038]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括反应容器，所述反应容器包括：顶盖，连接有废气管路和辅助气体管路；壳体，设于所述顶盖的下方，与所述顶盖配合围设出反应腔；加热器，穿设于所述壳体的壁面并位于所述反应腔内。2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述加热器设置有第一法兰，所述壳体设置有第二法兰，所述第一法兰可拆卸连接于所述第二法兰。3.根据权利要求2所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述反应容器设置在柜体内，所述柜体设置有门体，所述第二法兰位于朝向所述门体的一侧。4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述加热器沿所述壳体的高度方向设置多个，多个所述加热器相平行。5.根据权利要求4所述的半导体废气处理设备，其特征在于，多个所述加热器分级加热，以使加热温度从小于气体的目标温度逐渐升高到所述目标温度。6.根据权利要求5所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述加热器分为从上向下分布的第一加热器、第二加热器和第三加热器，所述第一加热器所能达到的第一加热温度为所述目标温度的80％，所述第二加热器所能达到的第二加...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁腾飞，李轩，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：