使用混合接合技术的电感器和变压器半导体设备制造技术

公开了使用混合接合技术的用于电感器和变压器半导体设备的方法和装置。示例半导体设备包括第一隔开衬底；第二隔开衬底，与第一隔开衬底相邻；以及导电层，与第一隔开衬底或第二隔开衬底中的至少一个相邻。二隔开衬底中的至少一个相邻。二隔开衬底中的至少一个相邻。

【技术实现步骤摘要】
使用混合接合技术的电感器和变压器半导体设备


[0001]本公开内容总体上涉及半导体，并且更特别地，涉及使用混合接合形成的电感器和变压器半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体电子学中，电阻率是材料对电流流动的电阻的量度。低电阻率衬底或其他半导体材料对电流的流动具有低电阻，并且因此是高度导电的。将具有低电阻率的两种材料彼此紧密靠近放置可以使相关联的磁场变形，降低相关联的品质因数，并且降低由两种材料形成的部件的性能。
附图说明
[0003]图1是示例半导体设备的截面图。
[0004]图2是构建在隔开(standoff)衬底上的示例电感器。
[0005]图3是构建在隔开衬底和下通道(underpass)上的示例多匝电感器。
[0006]图4是包括由导电布线缠绕的磁性材料的示例线圈型半导体设备的框图。
[0007]图5是图4的线圈型半导体设备的等距表示。
[0008]图6是包括在分离半隔开结构中缠绕导电布线的磁性材料的示例磁性结构的截面。
[0009]图7是包括由导电布线缠绕以形成半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：第一隔开衬底；第二隔开衬底，与所述第一隔开衬底相邻；以及导电层，与所述第一间隔衬底或所述第二间隔衬底中的至少一个相邻。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一隔开衬底和所述第二隔开衬底围绕磁性材料。3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述导电层围绕所述磁性材料延伸。4.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述导电层延伸穿过所述磁性材料。5.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述磁性材料和所述导电层包括环形线圈。6.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述磁性材料和所述导电层包括电感器或变压器中的至少一个。7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述导电层包括铜。8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一隔开衬底包括第一组件，并且所述第二隔开衬底包括第二组件，并且其中，所述第一组件混合接合到所述第二组件。9.根据权利要求8所述的半导体设备，其中，所述第一组件还包括小芯片或小片，并且其中，所述第二组件是基底组件。10.一种产生半导体设备的方法，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括磁性材料、隔开衬底和导电层；在所述第一晶圆上制造第一混合接合界面；提供包括第二混合接合界面的第二晶圆；以及通过互连所述第一混合接合界面和所述第二混合接合界面来组装所述半导体设备。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一晶圆包括小芯片晶圆和隔开晶圆，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：