半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，包括：第一端子；第二端子，定位于远离该第一端子；第一电阻段，耦接在该第一端子和该第二端子之间；第三端子，定位于远离该第一端子和该第二端子；第二电阻段，耦接在该第二端子和第三端子之间；第一浮板，物理上靠近该第一电阻段设置，并且包括耦接到该第一端子和该第二端子之一的第一端；以及第二浮板，物理上靠近该第二电阻段设置，并且包括耦接到该第二端子和该第三端子之一的第一端。浮板的设置可以改变电阻段周围的电场，使电阻内的电子分布更加均匀和平衡，从而使得各个电阻段的阻值与其本身的设计阻值相当，从而显著改善电阻的线性度。从而显著改善电阻的线性度。从而显著改善电阻的线性度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]电阻器是最佳线性器件(或装置)，即输出与输入成正比。然而，在集成电路中实现高度线性的电阻器是困难的或昂贵的。例如，多晶硅(polycrystalline silicon，或polysilicon,poly
‑
Si or poly)的电阻在存在电场的情况下以非线性方式随施加的电压变化。这种非线性是由存在正极电场时载流子的积累(因此电阻降低)引起的，或者相反，是由于负极电场存在时载流子的耗尽(因此电阻增加)引起的。
[0003]由于这种非线性在许多应用中是不受欢迎的，因此非常需要一种具有更精细耦接效应的新型电阻器结构，以改善电阻的线性度。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体装置，以解决上述问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体装置，包括：
[0006]第一端子；
[0007]第二端子，定位于远离该第一端子；
[0008]第一电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一端子；第二端子，定位于远离该第一端子；第一电阻段，耦接在该第一端子和该第二端子之间；第三端子，定位于远离该第一端子和该第二端子；第二电阻段，耦接在该第二端子和第三端子之间；第一浮板，物理上靠近该第一电阻段设置，并且包括耦接到该第一端子和该第二端子之一的第一端；以及第二浮板，物理上靠近该第二电阻段设置，并且包括耦接到该第二端子和该第三端子之一的第一端。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一浮板还包括作为浮端的第二端，并且当该第一浮板的该第一端耦接该第二端子时，该第二浮板的该第一端耦接该第三端子。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二浮板还包括作为浮端的第二端，并且当该第二浮板的该第一端耦接到该第二端子时，该第一浮板的该第一端耦接至该第一端子。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一浮板设置在该第一电阻段和该第二电阻段的一侧，并且该第二浮板设置在该第一电阻段和该第二电阻段的相对侧。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第三浮板，物理上靠近该第一电阻段设置，并且包括耦接到该第一端子和该第二端子中的另一个的第一端，其中，该第一浮板设置在该第一电阻段的一侧，该第三浮板设置在该第一电阻段的相对侧。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第四浮板，物理上靠近该第二电阻段设置，并且包括耦接到该第二端子和该第三端子中的另一个的第一端，其中，该第二浮板设置在该第二电阻段的一侧，第四浮板设置在该第二电阻段的相对侧。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电阻段和该第二电阻段具有基本相同的长度。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第一隔离层，介于该第一电阻段与该第一浮板之间；以及第二隔离层，介于该第二电阻段和该第二浮板之间。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电阻段和该第二电阻段包括多晶硅电阻装置。10.一种半导体装置，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓝翔，段志刚，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：