一种LED芯片及其测试方法和测试系统技术方案

本发明专利技术提供了一种LED芯片及其测试方法和测试系统，包括：发光外延层，发光外延层包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；第一电极和第二电极，第一电极与第一导电类型半导体层电连接，第二电极与第二导电类型半导体层电连接；以及，感应线圈，感应线圈的一端与第一电极电连接，感应线圈的另一端与第二电极电连接。通过将感应磁场作用于感应线圈上，即能够使得感应线圈生成驱动信号传输至第一电极和第二电极，以达到控制LED芯片点亮的目的，进而能够对点亮的LED芯片进行性能测试。本发明专利技术提供的技术方案，无需使用探针即能够对LED芯片进行性能测试，不仅提高LED芯片的测试准确度，还避免了对LED芯片造成损坏的情况。还避免了对LED芯片造成损坏的情况。还避免了对LED芯片造成损坏的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其测试方法和测试系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，更为具体地说，涉及一种LED(Light
‑
Emitting Diode，发光二极管)芯片及其测试方法和测试系统。

技术介绍

[0002]随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在显示屏的发展前景。LED芯片，作为LED灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括发光外延层和分别设置在发光外延层上的N型电极和P型电极。发光外延层一般包括P型半导体层、N型半导体层以及位于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。
[0003]在LED芯片出厂前或使用过程中，通常需要对其进行性能测试，如光电性能测试。现有LED芯片在进行光电性能测试时，通常是使用探针接触LED芯片的N型电极和P型电极而进行通电。但是，使用探针对LED芯片的电极进行通电时，不仅容易出现探针与电极对位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：发光外延层，所述发光外延层包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二电极与所述第二导电类型半导体层电连接；以及，感应线圈，所述感应线圈的一端与所述第一电极电连接，所述感应线圈的另一端与所述第二电极电连接。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光外延层包括：依次叠加的衬底、所述第一导电类型半导体层、有源层、所述第二导电类型半导体层和电流扩展层；所述有源层、所述第二导电类型半导体层和所述电流扩展层的叠层包括裸露所述第一导电类型半导体层的镂空区，其中，所述第一电极位于所述镂空区且与所述第一导电类型半导体层接触，所述第二电极位于所述电流扩展层背离所述衬底一侧表面。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述感应线圈位于所述衬底朝向所述有源层一侧；所述感应线圈在所述衬底上的正投影为感应线圈正投影，所述第一电极在所述衬底上的正投影为第一电极正投影，所述第二电极在所述衬底上的正投影为第二电极正投影，所述感应线圈正投影环绕所述第一电极正投影和所述第二电极正投影。4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括覆盖所述发光外延层具有所述电流扩展层一侧表面的绝缘层；所述感应线圈位于所述绝缘层背离所述衬底一侧；所述第一电极在所述衬底上的正投影为第一电极正投影，所述第二电极在所述衬底上的正投影为第二电极正投影，所述感应线圈在所述衬底上的正投影为感应线圈正投影，所述感应线圈正投影环绕所述第二电极正投影，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗坤，杨晓蕾，付鸿飞，陈亮，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：