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公开了使用混合接合技术的用于电感器和变压器半导体设备的方法和装置。示例半导体设备包括第一隔开衬底；第二隔开衬底，与第一隔开衬底相邻；以及导电层，与第一隔开衬底或第二隔开衬底中的至少一个相邻。二隔开衬底中的至少一个相邻。二隔开衬底中的至少一个...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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