一种流体导流装置及晶圆清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种流体导流装置，包括：主体结构，其内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽；形成于主体结构中的喷气组件，用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入；形成于主体结构中的吸气组件，用于在第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出。本发明专利技术还提供一种基于所述流体导流装置的晶圆清洗方法。本发明专利技术提供的装置和方法，实现了晶边的清洗液和晶背清洗液的分隔和导流，避免了晶背的清洗液和晶边的清洗液溅射到光刻胶层上进而影响光刻胶层厚度均匀性的问题。光刻胶层厚度均匀性的问题。光刻胶层厚度均匀性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种流体导流装置及晶圆清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种流体导流装置及晶圆清洗方法。

技术介绍

[0002]现有的光刻胶涂布工艺，一般采用旋涂的方式，即在保持晶圆旋转的情况下，涂胶单元向晶圆正面喷洒光刻胶并形成预期的光刻胶层。在表面张力和旋转产生的离心力作用下，光刻胶会流向晶圆正面边缘即晶边并在晶边发生堆积，形成晶边光刻胶副产物。在旋涂的过程中，光刻胶在表面张力的作用下也会流溢到晶背，形成晶背光刻胶副产物。晶边和晶背的光刻胶副产物容易脱落形成缺陷源并且容易产生接触污染，因此需要被及时去除。目前，在旋涂结束后，会通过边缘去胶(Edge Bead Removal，EBR)和晶背清洗的步骤对晶圆进行处理。边缘去胶把晶边光刻胶副产物清洗掉，晶背清洗把晶背光刻胶副产物和其他副产物清洗干净。现有技术中，为简化工艺流程，采用一种晶圆清洗方法，此方法将边缘去胶和晶背清洗同时进行，通过向晶边和晶背分别喷洒晶边清洗液和晶背清洗液的方式同时去除光刻胶副产物和/或其他副产物。晶背清洗液为了去除晶背光刻胶的同时，能够去除其他晶背副产物，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种流体导流装置，其特征在于，包括：主体结构，所述主体结构为中空圆柱体，所述中空圆柱体的内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽；形成于所述主体结构中的喷气组件，用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入，所述喷气组件包含喷气孔，所述喷气孔设置于所述第二环形凹槽底部；形成于所述主体结构中的吸气组件，用于在所述第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出，所述吸气组件包含吸气孔，所述吸气孔设置于所述第一环形凹槽和所述第三环形凹槽底部。2.如权利要求1所述的流体导流装置，其特征在于，所述流体导流装置还包括：两个液体管路，所述两个液体管路的一端分别与所述第一环形凹槽的底部和所述第三环形凹槽的底部连通，另一端与废液收集单元连通。3.如权利要求1所述的流体导流装置，其特征在于，所述喷气组件还包括气路，所述喷气孔通过所述气路与外部气源连通。4.如权利要求1所述的流体导流装置，其特征在于，所述吸气组件还包括真空管路，所述吸气孔通过所述真空管路与外部真空发生装置连通。5.如权利要求1所述的流体导流装置，其特征在于，所述喷气...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟春霞，张辰明，孟鸿林，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：