一种半导体用超高纯铝材铸锭重熔利用的预处理方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体用超高纯铝材铸锭重熔利用的预处理方法，所述预处理方法包括对铸锭依次进行的打磨、碱洗、酸洗、清洗和烘干；所述碱洗采用氢氧化钠溶液进行；所述酸洗采用硝酸和氢氟酸的混合溶液进行。本发明专利技术提供的预处理方法减少了铸锭表面的外来污染和氧化皮层，使得重熔的铸锭成分达到了半导体纯度要求，同时降低了处理成本，提高了处理效率。提高了处理效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用超高纯铝材铸锭重熔利用的预处理方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种铸锭的预处理方法，尤其涉及一种半导体用超高纯铝材铸锭重熔利用的预处理方法。

技术介绍

[0002]超高纯铝及超高纯铝合金(纯度≥99.9995wt％)通常用来制作半导体用的溅射靶材，具体作为芯片中的互连导线。在靶材溅射过程中，若是超高纯铝材的质量等级无法满足使用要求，势必导致晶圆的良率显著降低。近年来，随着半导体制程的进一步缩小，芯片市场对高纯铝或高纯铝合金溅射靶材的质量要求也越来越高。其中，超高纯铝材的杂质元素含量所带来的影响最为显著。
[0003]铝材铸锭是指经过半连续重力铸造得到的铝锭，主要为圆形或方形截面的长条状。对于半连续重力铸造的铝锭，通常会将铸锭的两端切除，这是因为铸锭两端的质量一般很难符合材料加工的要求，比如内部有缩孔、裂纹或晶粒不符合要求等，但是成分一般都没有问题。铸锭两端切除长度和铸造水平有关，并且切除操作是必经程序。
[0004]在铝铸造行业，铸锭两端切除下来的铝锭通常是可以直接重复利用的，比如按照一定的配比直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用超高纯铝材铸锭重熔利用的预处理方法，其特征在于，所述预处理方法包括对铸锭依次进行的打磨、碱洗、酸洗、清洗和烘干；所述碱洗采用氢氧化钠溶液进行；所述酸洗采用硝酸和氢氟酸的混合溶液进行。2.根据权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述打磨包括采用人工或机械对铸锭表面进行打磨；优选地，所述打磨直至铸锭表面的嵌入异物完全消除。3.根据权利要求1或2所述的预处理方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的浓度为5
‑
10wt％。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述碱洗的温度为20
‑
30℃；优选地，所述碱洗的时间为10
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30min。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述混合溶液中硝酸和氢氟酸的总浓度为5
‑
10wt％。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述酸洗的温度为20
‑
30℃；优选地，所述酸洗的时间为10
‑
30min。7.根据权利要求1
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6任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述清洗包括采用高压水枪对铸锭进行冲洗；优选地，所述清洗采用的清洗液包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，仝连海，李凤连，钟伟攀，罗明浩，
申请(专利权)人：同创普润上海机电高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：