一种低电感功率模块制造技术

本发明专利技术涉及电力电子功率模块技术领域，具体涉及一种低电感功率模块，包括外壳、上桥MOS、下桥SBD、下桥MOS、上桥SBD、输出电极、正电极和负电极，外壳内安装有底板，底板的顶部安装有绝缘基板，绝缘基板的上表面设置有正极铜层、负极铜层和输出极铜层，输出极铜层分为上侧输出极铜层和下侧输出极铜层；本发明专利技术优化芯片及铜层的布局，可以有效降低模块的寄生电感和回路电阻，并通过键合连接线及正负电极采用叠层的设计方式，可以进一步降低寄生电感，实现在保证现有封装的外形尺寸不变的情况下，优化其内部结构，降低了回路寄生电感，保障SiC功率模块的高频应用。率模块的高频应用。率模块的高频应用。

【技术实现步骤摘要】
一种低电感功率模块


[0001]本专利技术涉及电力电子功率模块
，具体涉及一种低电感功率模块。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体的代表SiC MOSFET，具有高温损耗低、开关频率高等优点，可以提高系统的效率，减小系统的体积，降低系统的成本。国内外主流厂商已开始推广SiC功率模块，如图1所示，现有的SiC功率模块的正电极通过键合线与绝缘基板表面的正极铜层相连，上桥MOS和上桥SBD的下表面均焊接在同一侧的正极铜层上，上表面通过共用的键合线与输出极铜层相连，输出电极通过键合线与绝缘基板表面的输出极铜层相连，下桥MOS和下桥SBD的下表面均焊接在同一侧的输出极铜层上，上表面通过共用的键合线与负极铜层相连，负电极通过键合线与绝缘基板表面的负极铜层相连。如图2所示，上桥MOS工作时，电流从正电极输入流经正极铜层到上桥MOS下表面，后从上桥MOS上表面流经借助上桥SBD上表面的较长键合线到输出极铜层。如图3所示，上桥MOS关断后，由于电感性负载的电流方向不能突变，续流电流从负电极流入负极铜层，后借助下桥MOS上表面的较长的键合线到下桥SBD上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电感功率模块，其特征在于，包括外壳（1）、上桥MOS（8）、下桥SBD（9）、下桥MOS（10）、上桥SBD（11）、输出电极（13）、正电极（14）和负电极（15），所述外壳（1）内安装有底板（2），所述底板（2）的顶部安装有绝缘基板（3），所述绝缘基板（3）的上表面设置有正极铜层、负极铜层（12）和输出极铜层，所述输出极铜层分为上侧输出极铜层（4）和下侧输出极铜层（5），所述正极铜层分为上侧正极铜层（6）和下侧正极铜层（7），所述正极铜层、输出极铜层与负极铜层（12）交错排布，且沿模块中心轴线对称布置。2.根据权利要求1所述的一种低电感功率模块，其特征在于，所述正电极（14）与负电极（15）均由外部连接部（100）、弯折部（200）和内部连接部（300）组成，且弯折部（200）位于外部连接部（100）和内部连接部（300）之间，弯折部（200）和内部连接部（300）设置有向另一电极侧延伸的部分，所述正电极（14）与负电极（15）设置有层叠结构，所述正电极（14）与负电极（15）均包括四种形式，分别第一结构形式、第二结构形式、第三结构形式和第四结构形式。3.根据权利要求2所述的一种低电感功率模块，其特征在于，所述第一结构形式为：正电极（14）的弯折部（200）从外部连接部（100）的右侧向下弯折，且正电极（14）的弯折部（200）和内部连接部（300）均有向负电极（15）侧延伸的部分，负电极（15）的弯折部（200）从外部连接部（100）的右侧向下弯折，且负电极（15）的弯折部（200）和内部连接部（300）均有向正电极（14）侧延伸的部分。4.根据权利要求2所述的一种低电感功率模块，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨阳，牛利刚，
申请(专利权)人：扬州国扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：