用于控制阻抗的玻璃芯中的信号和接地过孔制造技术

本文所述的实施例可以涉及与在玻璃芯中定位信号和接地过孔或接地平面以控制封装内的阻抗相关的装置、工艺和技术。激光辅助蚀刻工艺可以用于产生垂直受控阻抗线，以增强封装上的高速信号的带宽和带宽密度。可以描述和/或要求保护其他实施例。或要求保护其他实施例。或要求保护其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
用于控制阻抗的玻璃芯中的信号和接地过孔


[0001]本公开内容的实施例一般地涉及半导体封装领域，并且特别地，涉及降低信号线的阻抗。

技术介绍

[0002]虚拟机和云计算的持续增长将不断增加对半导体封装与其他设备之间的高速I/O的需求。
附图说明
[0003]图1示出了根据各实施例的玻璃互连工艺的激光辅助蚀刻的多个示例。
[0004]图2示出了包括由多个接地过孔围绕的隔离焊盘(antipad)内的信号过孔的内建层的传统截面图和俯视图。
[0005]图3示出了根据各种实施例的与玻璃芯耦合的内建层的内建层截面图和俯视图，该内建层包括与隔离焊盘隔离并且被与隔离焊盘耦合的多个接地过孔围绕的信号过孔。
[0006]图4示出了根据各种实施例的信号导电结构的示例，该信号导电结构被接地导电结构围绕以控制玻璃芯中的信号线的阻抗。
[0007]图5示出了根据各种实施例的玻璃芯内的信号迹线和参考接地的示例。
[0008]图6A
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6B示出了根据各种实施例的穿过玻璃芯的信号迹线和参考接地的示例的等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装，包括：玻璃芯，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；多个导电结构，从所述第一侧穿过所述玻璃芯延伸到所述第二侧；其中，所述导电结构中的第一导电结构包括信号迹线，并且所述导电结构中的第二导电结构包括接地参考，其中，所述导电结构中的所述第二导电结构控制所述导电结构中的所述第一导电结构的阻抗。2.根据权利要求1所述的封装，其中，包括所述信号迹线的所述导电结构是导电过孔。3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述导电过孔是以下中选择的一个：共形电镀的或填充的。4.根据权利要求2所述的封装，其中，包括所述信号迹线的所述导电结构的形状是以下中选择的一个：圆形、矩形、多边形或不规则形状。5.根据权利要求1所述的封装，其中，包括所述接地参考的所述导电结构位于传送所述信号的所述导电结构的三侧上。6.根据权利要求1所述的封装，还包括另一导电结构，所述另一导电结构包括所述接地参考；并且其中，包括所述接地参考的所述导电结构和包括所述接地参考的所述另一导电结构在传送所述信号的所述导电结构的相对侧上。7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的封装，还包括另一导电结构，所述另一导电结构包括信号迹线；并且其中，包括所述接地参考的所述导电结构至少部分地围绕包括所述信号迹线的所述导电结构和包括所述信号迹线的所述另一导电结构。8.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的封装，其中，包括所述接地参考的所述导电结构包括以下中选择的一个：带状线或微带。9.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的封装，其中，所述导电结构包括铜。10.一种封装，包括：内建层，包括：多个导电过孔，从所述内建层的第一侧穿过所述内建层延伸到所述内建层的与所述第一侧相对的第二侧；其中，所述导电过孔中的一个导电过孔包括信号迹线，并且所述导电过孔中的另外多个导电过孔包括接地参考，其中，包括所述接地参考的所述另外多个导电过孔围绕包括所述信号迹线的所述导电过孔，并且控制包括所述信号迹线的所述导电过孔的阻抗。11.根据权利要求10所述的封装，其中，包括所述接地参考的所述另外多个导电过孔与隔离焊盘耦合。12.根据权利要求11所述的封装，其中，所述隔离焊盘不同心围绕所述导电过孔。13.根据权利要求10所述的封装，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：