半导体器件和制造半导体器件的方法技术

描述半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上的金属化层；在所述金属化层上的镀层，所述镀层包括NiP；钝化层，在所述金属化层上并且与所述镀层横向相邻，使得所述镀层的背向所述半导体衬底的表面被所述钝化层露出，其中，沿着所述钝化层与所述镀层之间的界面存在缝隙；以及，结构，所述结构沿着镀层的周边覆盖缝隙并界定用于镀层的可接合区域。该结构从镀层的周边延伸到钝化层上。该结构包括固化温度低于NiP的再结晶温度的酰亚胺或沉积温度低于NiP的再结晶温度的氧化物。的再结晶温度的氧化物。的再结晶温度的氧化物。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和制造半导体器件的方法


[0001]本公开涉及半导体器件的领域，具体地涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]许多类型的半导体器件使用电镀AlCu金属化。例如，AlCu可以用NiP、Pd和Au来电镀。然后，将诸如未掺杂硅酸盐玻璃、氮化硅、聚酰亚胺等的钝化层施加到器件，其中，电镀金属化堆叠的部分被钝化层覆盖，而电镀金属化堆叠的另一部分被暴露以形成一个或多个接触焊盘。接触焊盘用于例如通过引线接合、带接合、金属夹附着、焊料凸块化等而形成到器件的外部电连接。然而，常见的电镀材料诸如NiP、Pd和Au未很好地粘附到常见的钝化层材料（尤其是玻璃）。沿着金属化堆叠和钝化层之间的界面通常出现例如几百纳米的间隙或缝隙。该缝隙为水和其他腐蚀性气体或液体穿透半导体管芯的布线层提供路径。例如，腐蚀性液体可以与AlCu反应，其中，对应的电化学反应腐蚀在NiP下方的AlCu。由于腐蚀性化合物通过沿着金属化堆叠
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钝化层界面的缝隙进入，在器件内可能出现其他不利的化学反应。
[0003]因此，存在如下需要：用于半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的金属化层；在所述金属化层上的镀层，所述镀层包括NiP；钝化层，在所述金属化层上并且与所述镀层横向相邻，使得所述镀层的背向所述半导体衬底的表面被所述钝化层露出，其中，沿着所述钝化层与所述镀层之间的界面存在缝隙；以及结构，所述结构沿着所述镀层的周边覆盖所述缝隙并界定用于所述镀层的可接合区域，其中，所述结构从所述镀层的周边延伸到所述钝化层上，其中，所述结构包括固化温度低于所述NiP的重结晶温度的酰亚胺或沉积温度低于所述NiP的重结晶温度的氧化物。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括电绝缘层的堆叠，其中，所述电绝缘层的堆叠的最上层是氧化物或氮化硅层，并且其中，所述结构从所述镀层的周边延伸到所述氧化物或氮化硅层上。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括所述电绝缘层的堆叠，其中，所述电绝缘层的堆叠的最上层是聚酰亚胺层，其中，所述聚酰亚胺层回撤以形成台阶，并且其中，所述结构从所述镀层的周边延伸到所述台阶上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，紧接在所述聚酰亚胺层下方的、所述电绝缘层的堆叠的电绝缘层是氧化物或氮化硅层，其中，所述结构包括固化温度低于所述NiP的再结晶温度的所述酰亚胺，并且其中，所述结构接触所述氧化物或氮化硅层的被所述聚酰亚胺层露出且形成所述台阶的区段。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，紧接在所述聚酰亚胺层下方的、所述电绝缘层的堆叠的电绝缘层是氧化物或氮化硅层，其中，所述结构包括沉积温度低于所述NiP的再结晶温度的所述氧化物，并且其中，所述结构插入在所述氧化物或氮化硅层与所述聚酰亚胺层之间。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述结构比所述聚酰亚胺层薄，并且其中，所述结构接触界定所述台阶的所述聚酰亚胺层的侧壁。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述结构比所述聚酰亚胺层厚，并且其中，所述结构从所述镀层的周边延伸到所述聚酰亚胺层的背向所述半导体衬底的表面上。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层的最上层是聚酰亚胺层，其中，所述聚酰亚胺层回撤，使得在所述镀层的侧壁与所述聚酰亚胺层的侧壁之间存在间隙，其中，所述间隙比所述缝隙宽，并且其中，所述结构填充所述镀层的侧壁与所述聚酰亚胺层的侧壁之间的间隙。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层的最上层是氧化物或氮化硅层，其中，所述结构包括固化温度低于所述NiP的再结晶温度的所述酰亚胺，并且其中，所述结构覆盖整个钝化层。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述镀层还包括所述NiP上的贵金属。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属化层包括铝化合物。
12.一种制造半导体器件的方法，所述方...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：