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描述半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上的金属化层；在所述金属化层上的镀层，所述镀层包括NiP；钝化层，在所述金属化层上并且与所述镀层横向相邻，使得所述镀层的背向所述半导体衬底的表面被所述钝化层露...
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