一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及于微波毫米波及太赫兹技术领域，具体为一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法，包括顺次堆叠或面对面堆叠有HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层以及HTCC衬底底层电路的HTCC衬底。该基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法，通过采用粘结材料实现芯片之间的粘接固定，环绕在贯穿于晶圆或芯片叠层内微型导电柱外的导电环，实现了晶圆间、以及晶圆或芯片内微电子器件之间的电互联，以及采用了HTCC工艺层进行基板组、信号传输通孔和屏蔽通孔的制备，使得整个结构具有机械强度高、工艺成熟、简单等技术优势。简单等技术优势。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及于微波毫米波及太赫兹
，具体为一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]先进的相控阵天线需要大量重量轻、体积小、高可靠和低成本的微波组件，推动微波电路技术向单片微波集成电路、多芯片模块和三维集成电路方向发展，在三维微波组件的研制中，迫切需要新材料、新封装和新互联工艺，垂直互联作为三维集成封装的关键技术之一，是实现组件小型化的重要途径。
[0003]目前，普遍采用低温共烧陶瓷技术、MEMS体硅工艺来制作高密度T/R组件一体化基板，并将其放置在金属外壳中以起到机械防护、电磁屏蔽和气密封装的作用，随着T/R组件不断向小型化、轻量化方向的进一步发展，这种金属外壳的封装形式越来越显示出局限性，在微波甚至更高的频段，垂直互联结构会出现电不连续性效应，引起较强的电磁辐射和耦合，造成微波信号传输时的强反射及高插损，另一方面，硅通孔TSV互联的三维集成技术需要通过微焊球、或焊盘实现可靠的电连接、物理连接，小尺寸的微焊球、或焊盘不利于实现这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，包括顺次堆叠或面对面堆叠有HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层以及HTCC衬底底层电路的HTCC衬底，其特征在于：所述由上而下依次设置有PCB母板顶层电路和PCB母板接地平面的PCB母板以及述芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的凹坑，所述凹坑内填充有金属形成导电环，所述导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接。2.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：各层所述芯片的上表面和设置有导热环，所述芯片的所述上表面设置有导热层，所述导热层与所述导热环连接，与所述导热环形状相同且中心一致的通孔贯穿所述叠堆的芯片，所述通孔内具有微型导热柱。3.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述芯片的上表面和下表面具有横截面为环形的凹坑，所述导电环与所述接地导电层连接，与所述导电环形状相同且中心一致的通孔贯穿所述叠堆的芯片，所述通孔内设置有微型导电柱。4.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：各层所述芯片之间的粘结材料内具有微流道，所述微流道含有垂直贯穿所述叠堆的芯片的通孔。5.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层之间设置有基板组和两个微带线，所述基板组上设置有由上至下垂直贯穿所述基板组的信号传输通孔、以及环绕所述信号传输通孔设置的多个屏蔽通孔。6.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：多个所述屏蔽通孔与所述信号传输通孔形成类同轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴玮明，李广坤，张景龙，王忠军，贺亮，
申请(专利权)人：株洲艾森达新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：