【技术实现步骤摘要】
一种用于卷材镀膜的PEVCD设备
[0001]本技术属于卷材处理设备
,涉及一种用于卷材镀膜的PEVCD设备。
技术介绍
[0002]PECVD设备是用于进行PECVD法的设备,PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法,可以用于对工件形成薄膜以达到期望的目的,其原理为借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成化学活性很强的等离子体,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜,该方法基本温度低,沉积速率快,成膜质量较好,针孔较少,不易龟裂。现有的PEVCD设备大多适用于对片状的基材进行镀膜处理,而对于卷材进行等离子处理时往往存在等离子体均匀性差,处理效果差,处理效率低的问题。
技术实现思路
[0003]鉴于上述现有技术的不足之处,本技术的目的在于提供一种用于卷材镀膜的PEVCD设备,旨在解决现有的设备对于卷材进行等离子处理时往往存在等离子体均匀性差,处理效果差,处理效率低的问题。
[0004]本技术是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于卷材镀膜的PEVCD设备,其特征在于,包括舱体(1)、加药装置(2)以及真空泵(3),所述加药装置(2)通过管道与所述舱体(1)的顶部和底部相连,所述真空泵(3)与所述舱体(1)通过管道相连通,还包括设置于舱体(1)内部的等离子射频结构(4),所述舱体(1)内部设置有可转动的放卷辊(5)、多个张紧辊(6)和收卷辊(7)。2.如权利要求1所述的用于卷材镀膜的PEVCD设备,其特征在于,所述张紧辊(6)设置有四个,四个所述张紧辊(6)包括位于所述放卷辊(5)和所述收卷辊(7)上方的两个上辊(6a)和位于所述放卷辊(5)和所述收卷辊(7)下方的两个下辊(6b)。3.如权利要求2所述的用于卷材镀膜的PEVCD设备,其特征在于,所述舱体(1)内部还设置有可转动的反馈辊(8)。4.如权利要求3所述的用于卷材镀膜的PEVCD设备,其特征在于,两个所述上辊(6a)在竖直方向上的投影、两个所述下辊(6b)在竖直方向上的投影均位于所述反馈辊(8)在竖直方向上的投影的两侧,所述反馈辊(8)的高度低于所述上辊(6a)的高度且...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭健,杨福年,方石胜,
申请(专利权)人:深圳市技高美纳米科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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