一种电子元器件封装用锡球及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电子元器件封装用锡球及其制备方法，其中电子元器件封装用锡球包括：95

【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件封装用锡球及其制备方法


[0001]本专利技术涉及封装焊接锡球
，尤其涉及一种电子元器件封装用锡球及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体元件的I/O数的提高，封装技术由原本的使用晶片周边进行封装的打线结合演变成至今的使用晶片底部表面进行封装的球栅阵列封装。
[0003]球栅阵列封装的导通方式可分为金属凸块、导电胶及导电膜等，其中以属于金属凸块技术的焊锡凸块为主。但是在封装过程中可能会出现热膨胀系数不匹，导致热应力会造成电子元件与电路板之间的焊点(焊锡凸块)出现损坏，而有机基板和硅晶片之间的焊点因有底部填胶而通常不会出现损坏，或者焊点无法承受较高的机械冲击力导致出现损坏。
[0004]因此，需要提供一种可以具有较好的耐热性能、耐高冲击力的锡球从而提高整个封装结构的稳定性。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种电子元器件封装用锡球及其制备方法，产品用料中通过银、铜、锑、镍和锗的配料比例、以及在其中加入保护剂，可以降低热疲劳损坏，同时提高机械性能，且在制备过程中进行球化处理后，再经过清洗剂清洗(覆于缓蚀功能、钝化处理等)，进一步提高锡球的抗机械冲击能力。
[0006]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种电子元器件封装用锡球，按重量比包括如下组分：
[0007][0008]作为进一步的优化，所述保护剂为KCl和LiCl中的一种或二种，优选二者1:1复配。
[0009]作为进一步的优化，所述锡为SAC305。r/>[0010]作为进一步的优化，所述锡球直径为0.2
‑
0.55mm。
[0011]本专利技术还提供了一种电子元器件封装用锡球的制备方法，包括如下步骤，
[0012]S1)准确称取各物料；
[0013]S2)将物料加入钎料熔化炉中热熔，直至完全熔化；
[0014]S3)将完全熔化后的物料液体降温，进行微流体喷流；
[0015]S4)液流断裂后进行球化；
[0016]S5)冷却、清洗、干燥后制得一种电子元器件封装用锡球。
[0017]作为进一步的优化，S2中热熔温度为220
‑
250℃。
[0018]作为进一步的优化，S3中喷流速度为2
‑
5m/s。
[0019]作为进一步的优化，S4中球化介质为花生油。
[0020]作为进一步的优化，S5中先用清洗剂进行清洗，再用清水清洗，所述清洗剂按重量比包括20
‑
40％的有机酸、1
‑
5％的缓蚀剂、0.5
‑
2％的钝化剂、0.5
‑
1％的阴离子型表面活性剂、余量为水。
[0021]与已有技术相比，本专利技术的有益效果体现在：
[0022]1.本专利技术制备电子元器件封装用锡球通过银、铜、锑、镍和锗的配料比例、以及在其中加入保护剂，可以降低热疲劳损坏，同时提高机械性能；
[0023]2.本专利技术在制备过程中进行球化处理后，再经过清洗剂清洗(覆于缓蚀功能、钝化处理等)，提高了锡球的抗机械冲击能力。
具体实施方式
[0024]以下是本专利技术的具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于这些实施例。
[0025]实施例1
[0026]一种电子元器件封装用锡球，按重量比包括如下组分：
[0027]锡96.5％、
[0028]银2.55％、
[0029]铜0.35％、
[0030]锑0.2％、
[0031]镍0.1％、
[0032]锗0.1％、
[0033]KCl 0.15％、
[0034]LiCl 0.05％。
[0035]其制备方法为：S1)准确称取各物料；S2)将物料加入钎料熔化炉中于220
‑
250℃热熔，直至完全熔化；S3)将完全熔化后的物料液体降温，进行微流体喷流，喷流速度为2
‑
5m/s；S4)液流断裂后采用花生油为介质进行球化；S5)冷却、清洗、干燥后制得一种电子元器件封装用锡球，清洗步骤先用清洗剂进行清洗，再用清水清洗，所述清洗剂按重量比包括24％的有机酸、3.5％的缓蚀剂、0.15％的钝化剂、0.65％的阴离子型表面活性剂、余量为水。
[0036]实施例2
[0037]一种电子元器件封装用锡球，按重量比包括如下组分：
[0038]锡95.5％、
[0039]银3.85％、
[0040]铜0.15％、
[0041]锑0.25％、
[0042]镍0.05％、
[0043]锗0.05％、
[0044]KCl 0.05％、
[0045]LiCl 0.1％。
[0046]其制备方法为：S1)准确称取各物料；S2)将物料加入钎料熔化炉中于220
‑
250℃热熔，直至完全熔化；S3)将完全熔化后的物料液体降温，进行微流体喷流，喷流速度为2
‑
5m/s；S4)液流断裂后采用花生油为介质进行球化；S5)冷却、清洗、干燥后制得一种电子元器件封装用锡球，清洗步骤先用清洗剂进行清洗，再用清水清洗，所述清洗剂按重量比包括32％的有机酸、3％的缓蚀剂、1％的钝化剂、1％的阴离子型表面活性剂、余量为水。
[0047]实施例3
[0048]一种电子元器件封装用锡球，按重量比包括如下组分：
[0049]锡97％、
[0050]银2.5％、
[0051]铜0.1％、
[0052]锑0.2％、
[0053]镍0.05％、
[0054]锗0.01％、
[0055]KCl 0.07％、
[0056]LiCl 0.07％。
[0057]其制备方法为：S1)准确称取各物料；S2)将物料加入钎料熔化炉中于220
‑
250℃热熔，直至完全熔化；S3)将完全熔化后的物料液体降温，进行微流体喷流，喷流速度为2
‑
5m/s；S4)液流断裂后采用花生油为介质进行球化；S5)冷却、清洗、干燥后制得一种电子元器件封装用锡球，清洗步骤先用清洗剂进行清洗，再用清水清洗，所述清洗剂按重量比包括28％的有机酸、2％的缓蚀剂、2％的钝化剂、1％的阴离子型表面活性剂、余量为水。
[0058]实施例4
[0059]一种电子元器件封装用锡球，按重量比包括如下组分：
[0060]锡96％、
[0061]银2.65％、
[0062]铜0.45％、
[0063]锑0.3％、
[0064]镍0.1％、
[0065]锗0.1％、
[0066]KCl 0.2％、
[0067]LiCl 0.2％。
[0068]其制备方法为：S1)准确称取各物料；S2)将物料加入钎料熔化炉中于220
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件封装用锡球，其特征在于，按重量比包括如下组分：2.根据权利要求1所述的电子元器件封装用锡球，其特征在于，所述保护剂为KCl和LiCl中的一种或二种。3.根据权利要求1所述的电子元器件封装用锡球，其特征在于，所述锡球直径为0.2
‑
0.55mm。4.根据权利要求1至3任意一项所述的电子元器件封装用锡球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，S1)准确称取各物料；S2)将物料加入钎料熔化炉中热熔，直至完全熔化；S3)将完全熔化后的物料液体降温，进行微流体喷流；S4)液流断裂后进行球化；S5)冷却、清洗、干燥后制得一种电子元器件封装用锡球。5.根据权利要求4所述的电子元器件封装用锡球的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑恩阳，陈守都，
申请(专利权)人：广德鹏讯实业有限公司，
类型：发明
国别省市：