半导体装置制造方法及图纸

源极层(13)设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层(12)之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层(14)在第一p型层(12)之上从源极层(13)空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构(SR)在第一p型层(12)之上设置在源极层(13)和漏极层(14)之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域(CN)和栅极区域(GT)。沟道结构(SR)包含的沟道层(15)构成沟道区域(CN)的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构(SR)包含的栅极层(16)构成栅极区域(GT)的至少一部分，电连接栅极电极(19)和第一p型层(12)。一p型层(12)。一p型层(12)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置，特别涉及可在微波波段中动作的半导体装置。

技术介绍

[0002]在以往的使用了氮化物系半导体的晶体管中，例如，已知能够通过利用高电子迁移率晶体管(HEMT：High Electron Mobility Transistor)结构等，实现可在微波波段等高频率中以高输出进行动作的半导体装置(例如，参照下述的非专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：G.H.Jessen等，“Short
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Channel Effect Limitations on High
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Frequency Operation of AlGaN/GaN HEMTs for T
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Gate Devices”，IEEE电子设备会报(IEEE Trans.Electron Devices)，卷54，第2589
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2597页，2007年9月

技术实现思路

[0006]专利技术要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具有在与厚度方向垂直的面内方向上相互正交的第一方向和第二方向且可在微波波段中动作，所述半导体装置具备：第一p型层，由氮化物系半导体构成；源极层，设置在所述第一p型层之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域；源极电极，设置在所述源极层之上；漏极层，在所述第一p型层之上与所述源极层空出间隔且在所述第一方向上相向地设置，包含具有电子作为载流子的半导体区域；漏极电极，设置在所述漏极层之上；栅极电极，与所述源极电极和所述漏极电极分离，在所述第一方向上设置在所述源极电极和所述漏极电极之间；以及沟道结构，在所述第一p型层之上设置在所述源极层和所述漏极层之间，在所述第二方向上交替地配置有沟道区域和栅极区域，所述沟道结构包含：沟道层，构成所述沟道区域的至少一部分，由氮化物系半导体构成；以及栅极层，构成所述栅极区域的至少一部分，电连接所述栅极电极和所述第一p型层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极层由p型的氮化物系半导体构成。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极层具有多晶结构。4.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道层由n型或未掺杂的单层构成。5.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道层是由第一沟道膜和设置在所述第一沟道膜之上且禁带宽度比所述第一沟道膜更宽的第二沟道膜构成的异质结层。6.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述沟道层包含相互层叠的多个异质结层，所述多个异质结层各自由第一沟道膜和设置在所述第一沟道膜之上且禁带宽度比所述第一沟道膜更宽的第二沟道膜构成。7.如权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述源极层具有第一源极膜和设置在所述第一源极膜之上且禁带宽度比所述第一源极膜更宽的第二源极膜。8.如权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述漏极层具有第一漏极膜和设置在所述第一漏极膜之上且禁带宽度比所述第一漏极膜更宽的第二漏极膜。9.如权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述沟道区域之上还具备第二p型层，该第二p型层与所述栅极电极电连接且由氮化物系半导体构成。10.如权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述源极层和所述第一p型层之间还具备层间膜，该层间膜由禁带宽度比所述第一p型层更宽的氮化物系半导体构成。
11.如权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述漏极层和所述第一p型层之间还具备层间膜，该层间膜由禁带宽度比所述第一p型层更宽的氮化物系半导体构成。12.如权利要求1至4中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤尚史，滝口雄贵，宇佐美茂佳，山田高宽，中村茉里香，柳生荣治，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：