本发明专利技术涉及一种电磁阀MOS管自保护装置及电路，该电路包括：MOS管驱动电路和MOS管保护电路，且MOS管驱动电路和MOS管保护电路电连接，MOS管驱动电路包括一控制信号输入端和一驱动输出端，控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至电磁阀以使电磁阀工作；MOS管保护电路包括一保护电压接入端，MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且保护电压接入端与保护电压输出端电连接；当保护电压低于预设保护电压值时，MOS管保护电路使得MOS管关断。本发明专利技术提供的电磁阀MOS管自保护装置及电路通过电子元器件的微秒级的响应，及时而可靠的保护MOS管,显著提高电磁阀系统保护的可靠性。MOS管,显著提高电磁阀系统保护的可靠性。MOS管,显著提高电磁阀系统保护的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
一种电磁阀MOS管自保护装置及电路
[0001]本专利技术涉及电磁阀系统
，尤其涉及一种电磁阀MOS管自保护装置及电路。
技术介绍
[0002]现有的电磁阀一般采用MOS管进行驱动控制，然而MOS管在遇到短路或者电路故障时容易损坏，而且目前市场上电磁阀MOS管驱动电路缺乏可靠保护电路,一般仅仅采用普通的保险管或自恢复保险管，其存在响应不及时(秒级响应)的问题而无法保护MOS管，进而导致电磁阀与驱动MOS管容易损坏，严重的导致PCB与电磁阀烧毁，甚至引起火灾，因此急需要一种保护可靠、性价比高电磁阀MOS管保护装置对电磁阀MOS管进行保护。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，有必要提供一种电磁阀MOS管自保护装置及电路，用以解决目前的电磁阀MOS管保护措施不佳的技术问题。
[0004]本专利技术提供一种电磁阀MOS管自保护电路，包括：MOS管驱动电路和MOS管保护电路，且所述MOS管驱动电路和MOS管保护电路电连接，其中：
[0005]所述MOS管驱动电路包括一控制信号输入端和一驱动输出端，所述控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，所述驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至所述电磁阀以使电磁阀工作；
[0006]所述MOS管保护电路包括一保护电压接入端，所述MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且所述保护电压接入端与所述保护电压输出端电连接；
[0007]当所述保护电压处于低电平时，所述MOS管保护电路使得所述MOS管关断。
[0008]优选的，所述MOS管驱动电路还包括MOS管Q1、PNP三极管Q2、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4以及插接件CZ1，其中：
[0009]所述PNP三极管Q2的基极与所述电阻R1和电阻R2的共同端电连接，所述电阻R1的另一端与所述控制信号输入端电连接，电阻R2的另一端与所述保护电压输出端电连接；
[0010]所述PNP三极管Q2的发射极与所述电阻R2和所述保护电压输出端的共同端电连接；
[0011]所述PNP三极管Q2的集电极与所述电阻R4的一端电连接；
[0012]所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R3和R4的共同端电连接，所述电阻R3的另一端接地；
[0013]所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述插接件CZ1的第二引脚接入第一电压；
[0014]所述二极管D1的正极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述二极管D1的负极接入第一电压。
[0015]优选的，所述电阻R1的阻值为10k欧姆，电阻R2的阻值为2k欧姆，电阻R3的阻值为10k欧姆，电阻R4的阻值为33欧姆。
[0016]优选的，所述MOS管Q1的型号为FQU13N10L，所述PNP三极管Q2的型号为A1015，二极管D1型号为MURS160，所述第一电压为24V。
[0017]优选的，所述MOS管保护电路还包括：PNP三极管Q3、Q4，NPN三极管Q5，电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13以及电容C1、C2，其中：
[0018]所述PNP三极管Q3的基极与所述电阻R6和R7的共同端电连接，所述电阻R6的另一端接入第二电压，所述电阻R7的另一端与所述电阻R5和所述保护电压接入端的共同端电连接，电阻R5的另一端接入第二电压；
[0019]所述PNP三极管Q3的发射极接入第二电压；
[0020]所述PNP三极管Q3的集电极与电阻R8的一端电连接，所述电阻R8的另一端与所述电阻R9、电阻R11以及电容C1的共同端电连接；
[0021]所述PNP三极管Q4的基极与所述电阻R9、电阻R11以及电容C1的共同端电连接，所述电阻R11的另一端和电容C1的另一端均接地；
[0022]所述PNP三极管Q4的发射极接地；
[0023]所述PNP三极管Q4的集电极与所述保护电压接入端电连接；
[0024]所述NPN三极管Q5的基极与所述电容C2、电阻R10、R13的共同端电连接，R13的另一端接入第一电压；
[0025]所述NPN三极管Q5的集电极与所述电阻R9的另一端电连接；
[0026]所述NPN三极管Q5的发射极与电容C2、电阻R10的共同端电连接；
[0027]电阻R12的一端接入第一电压，另一端接入输入电压。
[0028]优选的，所述PNP三极管Q3、Q4的型号为A1015，所述NPN三极管Q5的型号为C1815。
[0029]优选的，所述电阻R5的阻值为330欧姆，所述电阻R6的阻值为10k欧姆，所述电阻R7的阻值为4.7k欧姆，所述电阻R8的阻值为4.7k欧姆，所述电阻R9的阻值为20k欧姆，所述电阻R10的阻值为10k欧姆，所述电阻R11的阻值为2k欧姆，所述电阻R13的阻值为1k欧姆，电容C1的电容值为0.01微法，电容C2的电容值为0.01微法。
[0030]优选的，所述电阻R12为0.22欧姆绕线电阻，且第二电压为5V。
[0031]本专利技术提供一种电磁阀MOS管自保护装置，包括如上述任一项所述的电磁阀MOS管自保护电路。
[0032]本专利技术的有益效果：本专利技术通过设置所述保护电压处于低电平时，MOS管保护电路使得MOS管关断，从而实现MOS管的保护。本专利技术提供的电磁阀MOS管自保护装置及电路通过电子元器件的微秒级的响应，及时而可靠的保护MOS管,显著提高电磁阀系统保护的可靠性。
附图说明
[0033]图1为本专利技术提供的电磁阀MOS管自保护电路一实施例的电路框架图；
[0034]图2为本专利技术提供的所述MOS管驱动电路一实施例的电路原理图；
[0035]图3为本专利技术提供的所述MOS管保护电路一实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0036]下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并
与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理，并非用于限定本专利技术的范围。
[0037]如图1所示，本专利技术的实施例提供了电磁阀MOS管自保护电路，包括：包括MOS管驱动电路10和MOS管保护电路20，且所述MOS管驱动电路10和MOS管保护电路20电连接。
[0038]具体的，所述MOS管驱动电路10包括一控制信号输入端和一驱动输出端，所述控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，所述驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至所述电磁阀以使电磁阀工作；
[0039]所述MOS管保护电路20包括一保护电压接入端，所述MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且所述保护电压接入端与所述保护电压输出端电连接；
[0040]当所述保护电压处于低电平时，所述MOS管保护电路使得所述MOS管关断。
[0041]作为优选的实施例，请查阅图2，图2为本专利技术提供的所述MOS管驱动电路一实施例的电路原理图。所述MOS管驱动电路还包括MOS管Q1、PNP三本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，包括MOS管驱动电路和MOS管保护电路，且所述MOS管驱动电路和MOS管保护电路电连接，其中：所述MOS管驱动电路包括一控制信号输入端和一驱动输出端，所述控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，所述驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至所述电磁阀以使电磁阀工作；所述MOS管保护电路包括一保护电压接入端，所述MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且所述保护电压接入端与所述保护电压输出端电连接；当所述保护电压处于低电平时，所述MOS管保护电路使得所述MOS管关断。2.根据权利要求1所述的电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路还包括MOS管Q1、PNP三极管Q2、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4以及插接件CZ1，其中：所述PNP三极管Q2的基极与所述电阻R1和电阻R2的共同端电连接，所述电阻R1的另一端与所述控制信号输入端电连接，电阻R2的另一端与所述保护电压输出端电连接；所述PNP三极管Q2的发射极与所述电阻R2和所述保护电压输出端的共同端电连接；所述PNP三极管Q2的集电极与所述电阻R4的一端电连接；所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R3和R4的共同端电连接，所述电阻R3的另一端接地；所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述插接件CZ1的第二引脚接入第一电压；所述二极管D1的正极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述二极管D1的负极接入第一电压。3.根据权利要求2所述的电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值为10k欧姆，电阻R2的阻值为2k欧姆，电阻R3的阻值为10k欧姆，电阻R4的阻值为33欧姆。4.根据权利要求2所述的电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，所述MOS管Q1的型号为FQU13N10L，所述PNP三极管Q2的型号为A1015，二极管D1型号为MURS160，所述第一电压为24V。5.根据权利要求1所述的电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，所述MOS管保护电路还包括：PNP三极管Q3、Q4，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李耀斌，
申请(专利权)人：深圳市山龙智控有限公司，
类型：发明
国别省市：
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