半导体封装方法及半导体封装结构技术

本公开提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：提供芯片，所述芯片的正面设有焊垫；形成覆盖所述焊垫以及所述芯片的正面的钝化层，所述钝化层设有暴露所述焊垫的第一开口；在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一开口内，并与所述焊垫电连接；形成覆盖所述钝化层以及所述阻挡层的介电层，并在所述介电层上形成暴露所述阻挡层的第二开口；形成覆盖所述介电层的扇出布线，所述扇出布线伸入所述第二开口，并与所述阻挡层电连接。本公开能够降低封装工艺的难度。够降低封装工艺的难度。够降低封装工艺的难度。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法及半导体封装结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]随着科技的飞速发展，半导体器件在社会生产和生活中获得了越来越广泛的应用。目前，人们常常对芯片进行封装，以形成封装结构。然而，现有的封装工艺难度较大。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种半导体封装方法及半导体封装结构，能够降低封装工艺的难度。
[0004]根据本公开的一个方面，提供一种半导体封装方法，包括：
[0005]提供芯片，所述芯片的正面设有焊垫；
[0006]形成覆盖所述焊垫以及所述芯片的正面的钝化层，所述钝化层设有暴露所述焊垫的第一开口；
[0007]在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一开口内，并与所述焊垫电连接；
[0008]形成覆盖所述钝化层以及所述阻挡层的介电层，并在所述介电层上形成暴露所述阻挡层的第二开口；
[0009]形成覆盖所述介电层的扇出布线，所述扇出布线伸入所述第二开口，并与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片的正面设有焊垫；形成覆盖所述焊垫以及所述芯片的正面的钝化层，所述钝化层设有暴露所述焊垫的第一开口；在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一开口内，并与所述焊垫电连接；形成覆盖所述钝化层以及所述阻挡层的介电层，并在所述介电层上形成暴露所述阻挡层的第二开口；形成覆盖所述介电层的扇出布线，所述扇出布线伸入所述第二开口，并与所述阻挡层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡层，采用第一金属盐溶液与所述焊垫发生置换反应，以在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成所述第一阻挡层。3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述阻挡层还包括第二阻挡层，采用第二金属盐溶液与所述第一阻挡层发生置换反应，以在所述第一阻挡层上形成所述第二阻挡层。4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述焊垫的材料为铝，所述第一金属盐溶液中的金属阳离子为镍离子，所述第二金属盐溶液中的金属阳离子为铜离子。5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨威源，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：