本实用新型专利技术公开了一种设置于流化床内的导流装置，包括由多片扇形叶片围合成的锥形中空腔体，还包括顶部开口的环形槽；所述环形槽包括底板以及固定在底板上的环形延伸部；扇形叶片固定在环形槽上；其中，相邻两片扇形叶片组成扇形叶片组合，扇形叶片组合具有V型夹角，相邻扇形叶片组合之间设有缝隙。本实用新型专利技术导流装置设置在流化床内，将流化床划分为诱导结晶形成区与晶体成长区，通过V型夹角结构使晶体成长区形成的成熟晶体沿着V型夹角结构滑落至环形槽中，通过相邻扇形叶片组合之间的缝隙使诱导结晶形成区的液体进入晶体成长区中，同时通过底部连接的晶体排出管将环形槽内的成熟晶体滑落至晶体接收槽中。熟晶体滑落至晶体接收槽中。熟晶体滑落至晶体接收槽中。
【技术实现步骤摘要】
一种设置于流化床内的导流装置
[0001]本技术涉及一种设置于流化床内的导流装置。
技术介绍
[0002]氢氟酸是电子行业产品制造过程中应用最多的化学物质之一，氢氟酸与其他混合酸碱所产生的含氟废水，具有水量大、氟浓度高的特点，同时废水中还含有硫酸根、磷酸根、硅、氨等其它污染物，需要妥善处理。与常见的化学沉淀或混凝沉淀法处理含氟废水相比，采用诱导结晶流化床对含氟废水进行氟资源化回收，可以解决含氟污泥处置问题，还可以生产含水率低、纯度高的人工萤石(又称氟石，主要成分为氟化钙，化学式： CaF2)，具有较好的应用潜力，可缓解萤石紧缺的问题。
[0003]采用流化床诱导结晶技术，在反应器内将钙离子和氟离子控制在介稳区或较低的过饱和度，使两种离子无法自发成核，而是在投加的晶种表面生长，可以获得粒径较大的颗粒状氟化钙结晶，提升资源利用价值。常见流化床除氟采用的晶种有石英砂、碳酸钙等颗粒，具有价格便宜、尺寸多样等优势，但获得的氟化钙结晶纯度会因石英砂、碳酸钙的引入而降低。常见流化床除氟工艺需要按投加晶种、进水反应、停止运行、排放结晶、再次投加晶种等步骤运行，操作繁琐且获得的氟化钙结晶因批次不一而品质有别。
技术实现思路
[0004]技术目的：本技术目的旨在提供一种设置于流化床内的导流装置，将该导流装置置于流化床内后，将流化床反应腔分隔成诱导结晶形成区和晶体成长区，从而实现在流化床诱导结晶过程中无需额外(外加)投加晶种且能够实现连续化生产。
[0005]技术方案：本技术所述的设置于流化床内的导流装置，包括由多片扇形叶片围合成的锥形中空腔体，还包括顶部开口的环形槽；所述环形槽包括底板以及固定在底板上的环形延伸部；扇形叶片固定在环形槽上；其中，相邻两片扇形叶片组成扇形叶片组合，扇形叶片组合具有V型夹角，相邻扇形叶片组合之间设有缝隙。
[0006]其中，锥形中空腔体顶部开口处的外径与流化床的内径一致。
[0007]其中，所述环形槽底板与水平面呈15～20
°
夹角设置，底板与水平面呈倾斜设置，便于掉落在环形槽内的成熟晶体沿着晶体排出管迅速排出环形槽。
[0008]其中，所述导流装置包括八组扇形叶片组合，每组扇形叶片组合由两片扇形叶片拼合而成，两片扇形叶片将边长一致的一边以90～180
°
夹角焊接固定，两片扇形叶片的底边固定在环形槽上，两片扇形叶片之间形成的V型夹角(V型夹角形成导流谷，谷底密封)朝远离流化床圆心方向凸起，八组扇形叶片组合沿流化床圆心呈圆周均匀分布在环形槽上，形成峰
‑
谷错落形式，相邻扇形叶片组合对应挨着的扇形叶片之间呈一上一下错开设置，两者之间形成缝隙(缝隙处形成导流峰)。
[0009]其中，两片扇形叶片将边长一致的一边以165
°
夹角焊接固定，相邻扇形叶片组合 (1211)对应挨着的扇形叶片之间呈一上一下错开设置，两者之间形成0.5cm宽的缝隙。
[0010]其中，扇形叶片组合与水平面呈倾斜固定在环形槽上，两片扇形叶片的连接线与水平面的夹角为58
°
。V型夹角用于使成熟晶体滑落至底部环形槽中，夹角为58
°
既能实现成熟晶体有效滑落又能实现汇合至锥底，58
°
适合500
‑
600um直径的晶体达到较好的滑落速度，缝隙处与水平面的夹角为65
°
，缝隙处夹角主要用于形成合适的旋流方向，缝隙的宽度为0.5cm，缝隙宽度主要用于控制诱导结晶形成区上升至晶体成长区的旋流速度，需要保证缝隙宽度，旋流速度才不会过高或过低。
[0011]其中，所述导流装置底部连有两根管道，其中一根管道为连接管，连接管出口段位于环形槽正中心位置，连接管出口处与底板垂直距离为10～30cm，连接管另一端连接流化床的上清液回流管；另一根管道为晶体排出管，晶体排出管管口焊接于倾斜设置底板的最低处，晶体排出管伸出流化床外与外部晶体接收槽连接；晶体排出管上设有气动阀门，气动阀门打开时，环形槽内成熟晶体可自动滑落至晶体接收槽中。
[0012]有益效果：本技术导流装置设置在流化床内，将流化床划分为诱导结晶形成区与晶体成长区，通过V型夹角结构使晶体成长区形成的成熟晶体沿着V型夹角结构滑落至环形槽中，通过相邻扇形叶片组合之间的缝隙使诱导结晶形成区的液体进入晶体成长区中，同时通过底部连接的晶体排出管将环形槽内的成熟晶体滑落至晶体接收槽中。
附图说明
[0013]图1为本技术导流装置位于流化床内部的结构示意图；
[0014]图2为本技术导流装置的结构示意图；
[0015]图3为导流装置位于流化床中的结构示意图；
[0016]图4为导流装置的局部放大图；
[0017]图5为导流装置中扇形叶片组合的结构示意图。
具体实施方式
[0018]如图1～5所示，本技术设置于流化床内的导流装置，包括由多片扇形叶片1212 围合成的锥形中空腔体，锥形中空腔体顶部开口处的外径与流化床12的内径一致；导流装置还包括顶部开口的环形槽15；环形槽15包括底板14以及固定在底板14上的环形延伸部13，环形槽底板14与水平面呈15～20
°
夹角设置；扇形叶片1212固定在环形槽15上；其中，相邻两片扇形叶片1212组成扇形叶片组合1211，扇形叶片组合1211 具有V型夹角，相邻扇形叶片组合1211之间设有缝隙。
[0019]本技术导流装置121包括八组扇形叶片组合1211，每组扇形叶片组合1211由两片扇形叶片1212拼合而成，两片扇形叶片1212将边长一致的一边以165
°
夹角焊接固定，两片扇形叶片1212的底边固定在环形槽15上，两片扇形叶片1212之间形成的 V型夹角17(V型夹角17形成导流谷，谷底密封)朝远离流化床12圆心方向凸起，八组扇形叶片组合1211沿流化床12圆心呈圆周均匀分布在环形槽15上，形成峰
‑
谷错落形式，相邻扇形叶片组合1211对应挨着的扇形叶片1212之间呈一上一下错开设置，两者之间形成0.5cm宽的缝隙16。
[0020]扇形叶片组合1211与水平面呈倾斜设置在环形槽15上，两片扇形叶片1212的连接线与水平面的夹角为58
°
。V型夹角17用于使成熟晶体滑落至底部环形槽15中，夹角为58
°
既能实现成熟晶体有效滑落又能实现汇合至锥底，58
°
适合500
‑
600um直径的晶体达到较好的
滑落速度，缝隙处16与水平面的夹角为65
°
，缝隙处夹角主要用于形成合适的旋流方向，缝隙16的宽度为0.5cm，缝隙宽度主要用于控制诱导结晶形成区上升至晶体成长区的旋流速度，需要保证缝隙宽度，旋流速度才不会过高或过低。
[0021]本技术导流装置121底部连有两根管道，其中一根管道为连接管130，连本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设置于流化床内的导流装置，其特征在于：包括由多片扇形叶片（1212）围合成的锥形中空腔体，还包括顶部开口的环形槽（15）；所述环形槽（15）包括底板（14）以及固定在底板（14）上的环形延伸部（13）；扇形叶片（1212）固定在环形槽（15）上；其中，相邻两片扇形叶片（1212）组成扇形叶片组合（1211），扇形叶片组合（1211）具有V型夹角（17），相邻扇形叶片组合（1211）之间设有缝隙（16）。2.根据权利要求1所述的设置于流化床内的导流装置，其特征在于：锥形中空腔体顶部开口处的外径与流化床（12）的内径一致。3.根据权利要求1所述的设置于流化床内的导流装置，其特征在于：所述环形槽底板（14）与水平面呈15~20
°
夹角设置。4.根据权利要求1所述的设置于流化床内的导流装置，其特征在于：所述导流装置（121）包括八组扇形叶片组合（1211），每组扇形叶片组合（1211）由两片扇形叶片（1212）拼合而成，两片扇形叶片（1212）将边长一致的一边以90~180
°
夹角焊接固定，两片扇形叶片（1212）之间形成的V型夹角（17）朝远离流化床（12）圆心方向凸起，八组...
【专利技术属性】
技术研发人员：于红，申季刚，罗嘉豪，王玉兵，高亚光，祺丹娜，
申请(专利权)人：江苏中电创新环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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