控制如阴极射线管的偏转电路之类负载上电信号的控制电路和方法技术

本发明专利技术涉及一种用于控制负载（６）、如阴极射线管的偏转电路上的电信号（４）的控制电路（２），包括用于按照负载（６）上电信号（４）通断的第一晶体管（８），其中负载（６）与第一晶体管（８）的集电极（１０）和发射极（１２）相连，其中控制电路（２）还包括与第一晶体管（８）的基极（１６）和发射极（１２）相连、用于驱动第一晶体管（８）的谐振电路（１４），与谐振电路（１４）相连、用于驱动谐振电路（１４）的电源（１８），与电源（１８）和谐振电路（１４）相连的脉冲发生电路（２０），以及带有存储单元（２６）的处理单元（２４）。此外，本发明专利技术涉及一种用于按照本发明专利技术调整控制电路的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用于控制如阴极射线管的偏转电路之类的负载（６）上的电信号（４）的控制电路（２），包括用于控制所述负载（６）上的所述电信号（４）通断的第一晶体管（８），其中所述负载（６）与所述第一晶体管（８）的集电极（１０）和发射极（１２）相连，其中所述控制电路（２）还包括与所述第一晶体管（８）的基极（１６）和所述发射极（１２）相连、用于驱动所述第一晶体管（８）的谐振电路（１４），与所述谐振电路（１４）相连、用于驱动所述谐振电路（１４）的电源（１８），与所述电源（１８）和所述谐振电路（１４）相连的脉冲发生电路（２０），以及带有存储单元（２６）的处理单元（２４），其特征在于，所述存储单元（２６）被设置成装有与所述负载（６）的预定状态和所述电源（１８）和／或所述脉冲发生电路（２０）的相应预定最佳控制调整有关的控制信息，其中所述处理单元（２４）被设置用来通过针对所述负载（６）的实际状态，根据装入所述存储单元（２６）中的控制信息经由所述电源（１８）和／或经由所述脉冲发生电路（２０）控制所述第一晶体管（８），从而最佳地控制所述电信号（４）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JLM维希斯，HW格鲁特胡尔泽，V科瓦塞维，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]