一种基于多级交变磁场的金属探测装置及安检门制造方法及图纸

本发明专利技术涉及安防安检设施技术领域，公开了一种基于多级交变磁场的金属探测装置及安检门，用以解决现有技术中存在的安检门容易产生漏检的问题。该金属探测装置包括发射绕组、接收绕组和探测单元；发射绕组和接收绕组沿水平面内的第一方向间隔设置，以在两者之间形成探测区域；发射绕组包括多个发射线圈，多个发射线圈沿第一方向叠加并形成多个发射区块，发射区块内的交变磁场为各个发射线圈在与发射区块相对应的区域内的交变磁场的总和；接收绕组用于基于多个发射区块内的交变磁场的变化产生感应信号；探测单元用于基于接收绕组产生的感应信号的变化确定探测区域内的金属物信息。感应信号的变化确定探测区域内的金属物信息。感应信号的变化确定探测区域内的金属物信息。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多级交变磁场的金属探测装置及安检门


[0001]本专利技术涉及安防安检设施
，尤其涉及一种基于多级交变磁场的金属探测装置及安检门。

技术介绍

[0002]安检门是一种检测人员有无携带金属物品的探测装置，传统的安检门设置的线圈通常为平衡式线圈结构，即两侧门板内的线圈结构相同，均包括设置在外圈的发射线圈和设置在内圈的接收线圈，如CN201000486Y以及CN204405864U公开的结构，检测原理为：当金属物通过电磁场时，通过检测金属物对电场的扰动所产生的电变量信号而实现，但是，由于电场的能量比较强大，当对微小金属物进行检测时，金属物对电场的扰动量很小，从而产生的电变量信号很微弱，信号不容易被识别，发生漏检的风险较高，而在安检安防行业中，漏检事故的发生很可能引发较为严重的安全事故。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种基于多级交变磁场的金属探测装置及安检门，用以解决现有技术中存在的安检门对微小金属物进行检测时发生漏检的风险较高的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种基于多级交变磁场的金属探测装置，包括发射绕组、接收绕组和探测单元；
[0005]所述发射绕组和所述接收绕组沿水平面内的第一方向间隔设置，以在两者之间形成探测区域；
[0006]所述发射绕组包括多个发射线圈，多个所述发射线圈沿所述第一方向叠加并形成多个发射区块，所述发射区块内的交变磁场为各个所述发射线圈在与所述发射区块相对应的区域内的交变磁场的总和；
[0007]所述接收绕组用于基于多个所述发射区块内的交变磁场的变化产生感应信号；
[0008]所述探测单元用于基于所述接收绕组产生的感应信号的变化确定所述探测区域内的金属物信息。
[0009]上述实施例中，该金属探测装置的发射绕组和接收绕组分别设置在探测区域的两侧，其中，发射绕组包括多个发射线圈，多个发射线圈叠加后形成多个发射区块，每个发射区块内的交变磁场为各个发射线圈在与发射区块相对应的区域内的交变磁场的总和，在发射线圈内通入交变电流后，多个发射区块内的交变磁场构成多级交变磁场，各级交变磁场的磁感应强度得到增强，并使得整个探测区域内交变磁场的分布较均匀，当有微小的金属物通过时，该金属物能够产生较强的电涡流，电涡流激发的磁场可以对探测区域内的原有磁场产生较大的干扰，使得接收绕组在探测区域内的交变磁场发生扰动前后产生的感应信号具有较大的差异，从而可以获得便于监测且信号强度较大的感应信号变化量，进而有利于对微小金属物进行检测，降低漏检的风险。
[0010]可选的，多个所述发射区块在垂直于所述第一方向的基准平面内的正投影形成多
行多列的矩阵结构，且对称分布在所述基准平面内沿高度方向延伸的中轴线的两侧。
[0011]上述可选的实施方式中，通过使发射区块在基准平面内的正投影排列成多行多列的矩阵结构，使得在探测区域的高度方向上分布有来自不同的发射区块的交变磁场，并使得在探测区域的行进方向上也分布有来自不同的发射区块的交变磁场。
[0012]可选的，多个所述发射区块中包括顶发射区块和底发射区块，所述顶发射区块和所述底发射区块对应的磁场强度大于介于所述顶发射区块和所述底发射区块之间的中间发射区块的磁场强度。
[0013]可选的，所述发射线圈包括导线，所述导线按预设的绕线方式围成一个或多个发射子区块，不同的所述发射线圈中的任意两个所述发射子区块完全重叠、不重叠或部分重叠；
[0014]具有所述发射子区块的多个所述发射线圈叠加后形成所述发射区块。
[0015]可选的，多个所述发射线圈中包括第一发射线圈，所述第一发射线圈的数量为一个或多个，所述第一发射线圈覆盖所述探测区域沿高度方向的整个区域；
[0016]所述第一发射线圈包括多个第一发射子区块，多个所述第一发射子区块沿所述探测区域的高度方向排列设置。
[0017]上述可选的实施方式中，通过设置第一发射线圈，使得探测区域沿高度方向的整个区域内均分布有交变磁场，并且，第一发射线圈中，由导线绕制形成了多个第一发射子区块，每个第一发射子区块内的磁场强度得到增强，整个区域内的磁场强度也得到增强，且分布较均匀。
[0018]可选的，多个所述发射线圈中包括第二发射线圈，所述第二发射线圈的数量为一个或多个，所述第二发射线圈覆盖所述探测区域沿高度方向的局部区域；
[0019]所述第二发射线圈包括一个或多个第二发射子区块。
[0020]上述可选的实施方式中，通过设置第二发射线圈，可以使得探测区域沿高度方向上的局部区域内的交变磁场得到进一步加强。
[0021]可选的，所述第二发射线圈中至少有一个覆盖所述探测区域沿高度方向的底部区域，且呈“8”形结构。
[0022]可选的，多个所述发射线圈中包括第三发射线圈，所述第三发射线圈覆盖所述探测区域沿高度方向的整个区域或局部区域，且所述第三发射线圈包括至少一个呈“∞”形结构的发射单元，所述发射单元包括两个第三发射子区块。
[0023]上述可选的实施方式中，通过设置第三发射线圈，可以使得当有金属物沿行进方向通过探测区域时，金属物会对沿该方向排列设置的两个发射子区块内的交变磁场产生扰动。
[0024]可选的，所述第三发射线圈包括沿高度方向间隔设置的多个发射单元，多个所述发射单元位于垂直于所述第一方向的同一平面内，且多个所述发射单元依次串联设置；
[0025]或者，所述第三发射线圈包括多个发射单元，多个所述发射单元位于垂直于所述第一方向的不同平面内，且多个所述发射单元沿所述第一方向的正投影不重合。
[0026]第二方面，本专利技术实施例还提供一种安检门，该安检门包括第一门板、第二门板以及上述任一项技术方案中所述的基于多级交变磁场的金属探测装置；
[0027]所述第一门板和所述第二门板之间形成安检通道，所述发射绕组设于所述第一门
板，所述接收绕组设于所述第二门板，所述探测区域位于所述安检通道覆盖范围内。
[0028]上述实施例中，金属探测装置中的发射绕组可以设于第一门板，接收绕组可以设于第二门板，发射绕组在通电后能够激发产生多级交变磁场，各级交变磁场的磁感应强度得到增强，并使得整个探测区域内交变磁场的分布较均匀，当有微小的金属物通过时，该金属物能够产生较强的电涡流，电涡流激发的磁场可以对探测区域内的原有磁场产生较大的干扰，使得接收绕组在探测区域内的交变磁场发生扰动前后产生的感应信号具有较大的差异，从而可以获得便于监测且信号强度较大的感应信号变化量，进而有利于对微小金属物进行检测，降低漏检的风险。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例提供的金属探测装置的结构简图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的发射绕组在垂直于第一方向的基准平面内的正投影的结构示意图；
[0031]图3、图4为本专利技术实施例提供的两种第一发射线圈在垂直于第一方向的基准平面内的正投影的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例提供的一种第二发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多级交变磁场的金属探测装置，其特征在于，包括发射绕组、接收绕组和探测单元；所述发射绕组和所述接收绕组沿水平面内的第一方向间隔设置，以在两者之间形成探测区域；所述发射绕组包括多个发射线圈，多个所述发射线圈沿所述第一方向叠加并形成多个发射区块，所述发射区块内的交变磁场为各个所述发射线圈在与所述发射区块相对应的区域内的交变磁场的总和；所述接收绕组用于基于多个所述发射区块内的交变磁场的变化产生感应信号；所述探测单元用于基于所述接收绕组产生的感应信号的变化确定所述探测区域内的金属物信息。2.如权利要求1所述的基于多级交变磁场的金属探测装置，其特征在于，多个所述发射区块在垂直于所述第一方向的基准平面内的正投影形成多行多列的矩阵结构，且对称分布在所述基准平面内沿高度方向延伸的中轴线的两侧。3.如权利要求1或2所述的基于多级交变磁场的金属探测装置，其特征在于，多个所述发射区块中包括顶发射区块和底发射区块，所述顶发射区块和所述底发射区块对应的磁场强度大于介于所述顶发射区块和所述底发射区块之间的中间发射区块的磁场强度。4.如权利要求1或2所述的基于多级交变磁场的金属探测装置，其特征在于，所述发射线圈包括导线，所述导线按预设的绕线方式围成一个或多个发射子区块，不同的所述发射线圈中的任意两个所述发射子区块完全重叠、不重叠或部分重叠；具有所述发射子区块的多个所述发射线圈叠加后形成所述发射区块。5.如权利要求4所述的基于多级交变磁场的金属探测装置，其特征在于，多个所述发射线圈中包括第一发射线圈，所述第一发射线圈的数量为一个或多个，所述第一发射线圈覆盖所述探测区域沿高度方向的整...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俐栅，王云灵，刘金雷，姬光，蒙移发，张金海，王辉，谢群，
申请(专利权)人：北京声迅电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：