具有低暗电流光电二极管的像素传感器制造技术

公开了一种降低ＣＭＯＳ成像器件中热生暗电流的方法与装置。成像器件中的光电二极管被维持在零偏置，从而使光电二极管两端的电压相等。利用一些不同的技术来实现这样的零偏置，可供选择的包括：工作在其亚阈值电平的三极管；泄漏二极管；短沟道ＭＯＳＦＥＴ；或斜坡电荷注入。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于抑制无用的热生电流的技术，具体地说，涉及对成像器件的像素中的热生暗电流的抑制。
技术介绍
暗电流是指由成像器件的像素在即使没有光信号的情形下产生的无用信号。暗电流的一个来源是热生能量。在CMOS有源像素成像器件中，热生暗电流(thermally genera ted dark current)在许多成像应用中呈现问题。例如，某些汽车中的应用要求在温度介于60至80摄氏度的范围内稳定的像素性能。当温度升高时，暗电流也同样增加。另外，某些数码照相机要求不断增加的积分时间，从而能够得到对光电流的更高灵敏度。然而，积分时间越长，对热生暗电流的灵敏度也越高。于是，存在对抑制热生暗电流产生的电路的需求。专利技术概要在一个方面，本专利技术提供一种成像像素，它具有用于响应入射的光能而在第一节点产生电信号的光电转换器件；用于在第一节点接收电信号并从其中产生像素输出信号的电路；用于向所述光电转换器件的第二节点提供所述输出信号的电路路径。所述电路路径在光电转换器件两端产生零净偏置，以减少热生暗电流的产生。在不同的实施例中，所述电路可以是电压跟随器电路或源极跟随器电路。在另一个方面，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像像素，它包括：光转换器件，用于响应入射的光能而在其第一节点产生电信号；电路，用于在所述第一节点接收所述电信号并从其中产生像素输出信号；以及电路路径，用于把代表所述输出信号的信号提供给所述光电转换器件的第二节点 。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：I塔卡亚纳吉，J纳卡穆拉，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]