套刻精度量测准确性的判定方法技术

本发明专利技术提供一种套刻精度量测准确性的判定方法，包括：设计一组套刻对准标记；将所述套刻对准标记插入晶圆的曝光区域外围的划片槽中；利用不同测试光源曝光所述套刻对准标记；获取所述套刻对准标记在不同测试光源下的套刻精度量测结果；根据套刻精度量测结果，建立线性模型；分析线性模型中的拟合结果；选取拟合结果最佳的套刻精度量测结果所对应的测试光源作为待用光源。本申请通过不同测试光源曝光设计好的一组套刻对准标记，利用所有光源下的套刻对准标记的套刻精度量测结果，建立线性模型，最后选取拟合结果最佳的测试光源作为待用光源，这样可以给特殊层次选取合适的光源，当套刻工艺异常时可以防止特殊层次套刻精度量测不准确的情况的发生。量测不准确的情况的发生。量测不准确的情况的发生。

【技术实现步骤摘要】
套刻精度量测准确性的判定方法


[0001]本申请涉及半导体光刻
，具体涉及一种套刻精度量测准确性的判定方法。

技术介绍

[0002]Overlay(套刻)，表征本层图像与前层图像之间的相对套刻偏差。套刻偏差较大，会导致器件短路或者断路，从而导致器件失效。但是工艺过程中会引入各种工艺异常(例如Overlay标记深度异常、Overlay标记对称性异常、Overlay标记形变)，常常会导致套刻数据不可信，但是通常在光刻当站难以察觉。
[0003]为改善overlay量测精准度，当前套刻量测机台引入了多种量测光源，例如白光，黄光，绿光等。通常状况下，白光可以满足绝大多数状况的overlay量测需求。但对于某些特殊的层次，会出现白光的量测结果并不准确以及多种光源的量测结果都不相同的情况，但是当前并没有特定的参数去界定哪一种光源的量测结果是最准确的，因此需要一种套刻精度量测准确性的判定方法。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种套刻精度量测准确性的判定方法，可以解决目前白光的量测结果不准确和/或五种光源的量测结果都不相同的情况下，无法界定哪一种光源的量测结果准确的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种套刻精度量测准确性的判定方法，包括：
[0006]设计一组套刻对准标记；
[0007]将所述套刻对准标记插入晶圆的曝光区域外围的划片槽中；
[0008]利用不同测试光源曝光所述套刻对准标记；
[0009]通过套刻精度量测机台，获取所述套刻对准标记在不同测试光源下的套刻精度量测结果；
[0010]根据各种测试光源下的所述套刻精度量测结果，分别建立线性模型；
[0011]分析各种测试光源所对应的线性模型中的拟合结果；
[0012]选取拟合结果最佳的套刻精度量测结果所对应的测试光源作为待用光源。
[0013]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，所述测试光源包括：白光、黄光、绿光、红光和乳白光。
[0014]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，所述套刻对准标记包括：X/Y偏负图形、无偏负图形和X/Y偏正图形。
[0015]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，晶圆的曝光区域的四周均具有划片槽，其中，每个所述划片槽中均插入一组所述套刻对准标记。
[0016]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，所述将所述套刻对准标记插入曝光区域外围的划片槽中的步骤包括：
[0017]按风车型排布方式将所述套刻对准标记插入晶圆的曝光区域外围的划片槽中。
[0018]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，各种测试光源下的所述套刻精度量测结果均包括：水平方向的套刻偏移量和垂直方向的套刻偏移量。
[0019]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，在选取拟合结果最佳的套刻精度量测结果所对应的测试光源作为待用光源之后，所述套刻精度量测准确性的判定方法还包括：
[0020]利用所述待用光源建立曝光菜单。
[0021]可选的，在所述套刻精度量测准确性的判定方法中，利用形成有所述套刻对准标记的掩模板在不同测试光源下对在所述划片槽中放置有所述套刻对准标记的晶圆进行曝光。
[0022]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0023]本申请通过不同测试光源曝光设计好的一组套刻对准标记，利用所有光源下的套刻对准标记的套刻精度量测结果，建立线性模型，最后选取拟合结果最佳的测试光源作为待用光源，解决了目前白光的量测结果不准确和/或五种光源的量测结果都不相同的情况下，无法界定哪一种光源的量测结果准确的问题，本申请提供的套刻精度量测准确性的判定方法可以在白光的量测结果不准确和/或五种光源的量测结果都不相同的情况下，有效判定哪一种光源的套刻精度最高，可以给特殊层次选取最合适的光源。当套刻工艺异常(例如Overlay标记深度异常、Overlay标记对称性异常、Overlay标记形变)时，避免了特殊层次套刻精度量测不准确的情况的发生，提高了特殊层次套刻精度量测的准确性。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术实施例的套刻精度量测准确性的判定方法的流程图；
[0026]图2是本专利技术实施例的套刻对准标记的示意图；
[0027]图3是本专利技术实施例的套刻对准标记插入晶圆的曝光区域外围的划片槽中的示意图；
[0028]其中，附图标记说明如下：
[0029]10
‑
套刻对准标记，11
‑
X/Y偏负图形，12
‑
无偏负图形，13
‑
X/Y偏正图形，20
‑
晶圆的曝光区域，21
‑
划片槽。
具体实施方式
[0030]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0031]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、
“
水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0033]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0034]本申请实施例提供了一种套刻精度量测准确性的判定方法，参考图1，图1是本专利技术实施例的套刻精度量测准确性的判定方法的流程图，所述套刻精度量测准确性的判定方法包括：
[0035]步骤S10：参考图2，图2是本专利技术实施例的套刻对准标记的示意图，设计一组套刻对准标记10。具体的，所述套刻对准标记10包括：X/Y偏负图形11、无偏负图形12和X/Y偏正图形13本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻精度量测准确性的判定方法，其特征在于，包括：设计一组套刻对准标记；将所述套刻对准标记插入晶圆的曝光区域外围的划片槽中；利用不同测试光源曝光所述套刻对准标记；通过套刻精度量测机台，获取所述套刻对准标记在不同测试光源下的套刻精度量测结果；根据各种测试光源下的所述套刻精度量测结果，分别建立线性模型；分析各种测试光源所对应的线性模型中的拟合结果；选取拟合结果最佳的套刻精度量测结果所对应的测试光源作为待用光源。2.根据权利要求1所述的套刻精度量测准确性的判定方法，其特征在于，所述测试光源包括：白光、黄光、绿光、红光和乳白光。3.根据权利要求1所述的套刻精度量测准确性的判定方法，其特征在于，所述套刻对准标记包括：X/Y偏负图形、无偏负图形和X/Y偏正图形。4.根据权利要求1所述的套刻精度量测准确性的判定方法，其特征在于，晶圆的曝光区域的四周均具有划片槽，其中，每个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗洁玉，孙长琪，陈建，张其学，居碧玉，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：