电容器、电路板及电路板埋容工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种电容器、电路板及电路板埋容工艺，其中，电容器包括多个层叠布置的第一铜箔层，多个第一铜箔层均设有镂空部；设于相邻两个第一铜箔层之间的埋容介质层；任意三个第一铜箔层中，间隔有一个第一铜箔层的另外两个第一铜箔层之间连接有导电体，导电体穿设于中间的第一铜箔层的镂空部。本发明专利技术的电容器体积小且电容值高。体积小且电容值高。体积小且电容值高。

【技术实现步骤摘要】
电容器、电路板及电路板埋容工艺


[0001]本专利技术涉及电路板
，尤其是涉及一种电容器、电路板及电路板埋容工艺。

技术介绍

[0002]随着智能电子产品的功能越来越丰富，其应用到的电子元器件的性能也不断提高。其中，电路板是其重要的部件之一，且智能电子产品对电路板提出了更高的要求。相关技术中，现有的电路板中的电容器的电容值低，无法满足实现多样化功能的要求，若需求较大的电容值，则需要较大体积的电路板结构，不利于安装和电路板的小型化。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种体积小且电容值高的电容器。
[0004]本专利技术还提供一种设有上述电容器的电路板及电路板埋容工艺。
[0005]根据本专利技术第一方面实施例的电容器，包括：多个层叠布置的第一铜箔层，所述第一铜箔层设有镂空部；设于相邻两个所述第一铜箔层之间的埋容介质层；任意三个所述第一铜箔层中，间隔有一个所述第一铜箔层的另外两个所述第一铜箔层之间连接有导电体，所述导电体穿设于中间的所述第一铜箔层的所述镂空部。
[0006]上述技术方案至少具有如下有益效果：通过设置多个层叠的第一铜箔层，相邻两个第一铜箔层之间设置埋容介质层，并使任意三个第一铜箔层中，间隔有一个第一铜箔层的另外两个第一铜箔层通过穿设于镂空部的导电体导通，从而相邻两个第一铜箔层与其中的埋容介质层形成一个电容器单元，电容器单元的数量与埋容介质层的数量相同，因此，形成一个电容值扩大多倍的电容器，以满足电路板的功能需求，并且由于采用层叠方式布置，有效缩小电容器的整体体积，满足电路板的小型化要求。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述埋容介质层由介电粒子和聚合物树脂混合制成。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述埋容介质层的介电常数为D，满足：15≤D≤30。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述第一铜箔层的厚度为T1，满足：1≤T1≤200μm。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述埋容介质层的厚度为T2，满足：0.1≤T2≤50μm。
[0011]根据本专利技术第二方面实施例的一种电容器，包括：上述第一方面实施例的电容器；两个绝缘层，分别设于所述电容器最外侧的两个所述第一铜箔层的外侧；两个第二铜箔层，分别设于两个所述绝缘层的外侧，所述第二铜箔层与最外侧的所述第一铜箔层导通，或所述第二铜箔层与间隔一个所述第一铜箔层的另一个所述第一铜箔层导通。
[0012]上述技术方案至少具有如下有益效果：电路板由于采用上述电容器，并且在电容器的两侧均依次压合有绝缘层和第二铜箔层，第二铜箔层与最外侧的第一铜箔层导通或与间隔一个所述第一铜箔层的另一个所述第一铜箔层导通。由此，电路板具备电容器的全部技术效果，满足功能需求和小型化要求。
[0013]根据本专利技术第三方面实施例的电路板埋容工艺，包括：以下步骤：由埋容介质层和
设于埋容介质层的两侧的第一铜箔层组成芯板，对芯板的两个第一铜箔层进行蚀刻；由埋容介质层和设于埋容介质层的一侧的第一铜箔层组成埋容板，对埋容板的第一铜箔层进行蚀刻，将多个埋容板设有埋容介质层的一侧以层叠方式分别压合于芯板的两侧；对埋容板和芯板钻孔并电镀，使任意三个第一铜箔层中，间隔有一个第一铜箔层的另外两个第一铜箔层导通；由绝缘层和设于绝缘层的一侧的第二铜箔层组成线路板，对第二铜箔层进行蚀刻，将两个线路板设有绝缘层的一侧分别压合于最外侧的两个埋容板；对线路板钻孔并电镀，使两个第二铜箔层分别与相邻的两个埋容板的第一铜箔层导通。
[0014]上述技术方案至少具有如下有益效果：芯板和埋容板的第一铜箔层均通过蚀刻获得镂空部，通过将多个埋容板以层叠方式分别压合与芯板的两侧，并通过钻孔和电镀方式使任意三个第一铜箔层中间隔有一个第一铜箔层的另外两个第一铜箔层导通，再将线路板压合于最外侧的两个埋容板，同样通过孔和电镀方式使两个第二铜箔层分别与相邻的两个埋容板的第一铜箔层导通，从而获得电容值高、体积小的电路板，满足功能需求和小型化要求。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述埋容板的埋容介质层涂覆于所述埋容板的第一铜箔层。
[0016]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0017]本专利技术的上述和/或附加方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0018]图1为本专利技术第一实施例中电容器的剖视图；
[0019]图2为本专利技术第二实施例中电容器的剖视图；
[0020]图3为本专利技术第二实施例中电路板的剖视图；
[0021]图4为本专利技术实施例中电路板埋容工艺的流程图。
[0022]附图标记：
[0023]第一铜箔层100；镂空部110；导电体120；
[0024]埋容介质层200；
[0025]第二铜箔层300；
[0026]绝缘层400；
[0027]芯板500；
[0028]埋容板600；
[0029]线路板700。
具体实施方式
[0030]本部分将详细描述本专利技术的具体实施例，本专利技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。
[0031]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等
指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0033]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0034]参照图1和图2所示，可以理解的是，本专利技术的第一方面实施例提供一种电容器，包括多个第一铜箔层100和多个埋容介质层200，通常而言，第一铜箔层100的数量比埋容介质层200的数量多一个。多个第一铜箔层100自下而上依次层叠布置，每个第一铜箔层100均通过蚀刻工艺获得所需的电路，被蚀刻掉的部分形成镂空部110。相邻两个第一铜箔层100之间设置埋容介质层200以绝缘，埋容介质层200具有较高的介电常数。
[0035]参照图1和图2所示，可以理解的是，任意三个第一铜箔层100中，间隔有一个第一铜箔层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电容器，其特征在于，包括：多个层叠布置的第一铜箔层，所述第一铜箔层设有镂空部；设于相邻两个所述第一铜箔层之间的埋容介质层；任意三个所述第一铜箔层中，间隔有一个所述第一铜箔层的另外两个所述第一铜箔层之间连接有导电体，所述导电体穿设于中间的所述第一铜箔层的所述镂空部。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述埋容介质层由介电粒子和聚合物树脂混合制成。3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述埋容介质层的介电常数为D，满足：15≤D≤30。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于：所述第一铜箔层的厚度为T1，满足：1≤T1≤200μm。5.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于：所述埋容介质层的厚度为T2，满足：0.1≤T2≤50μm。6.电路板，其特征在于：包括：如权利要求1至5中任一项所述的电容器；两个绝缘层，分别设于所述电容器最外侧的两个所述第一铜箔层的外侧；两个第二铜箔层，分别设于两个所述绝缘层的外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞，
申请(专利权)人：深圳聚源新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：