用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法技术

本公开涉及用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法。提供了一种用于极紫外光刻的相移掩模和制造该相移掩模的方法。该相移掩模包括基板、反射层、装置图案、框架图案或相移图案。框架图案是包括暴露反射层的部分的对准孔的图案。相移图案与装置图案交叠。孔的图案。相移图案与装置图案交叠。孔的图案。相移图案与装置图案交叠。

【技术实现步骤摘要】
用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法


[0001]本公开涉及光刻技术，更具体地，涉及一种用于极紫外(EUV：extreme ultraviolet)光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路与更精细尺寸的图案集成，光刻工艺需要更短波长带的曝光光源。为了实现精细电路线宽，使用大约13.5纳米(nm)波长带内的极紫外(EUV)作为曝光光的技术正在被认可。在极紫外光刻技术中，应用反射掩模结构。为了改进极紫外的分辨率，已尝试了对反射掩模结构应用相移结构的相移掩模结构。

技术实现思路

[0003]本公开的实施方式可提供一种相移掩模，该相移掩模包括：形成在基板上的反射层；形成在反射层上的装置图案；形成在反射层上的框架图案，该框架图案包括暴露反射层的部分的对准孔；以及与装置图案交叠的相移图案。
[0004]本公开的另一实施方式可提供一种制造相移掩模的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成反射层；在反射层上形成下层；在下层上形成相移用上层；通过依次蚀刻相移用上层和下层并且从下层对与第一相移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相移掩模，该相移掩模包括：反射层，其形成在基板上；装置图案，其形成在所述反射层上；框架图案，其形成在所述反射层上，该框架图案包括暴露所述反射层的部分的对准孔；以及相移图案，其与所述装置图案交叠。2.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案相对于248nm至900nm的波长的光源的反射率低于所述反射层的反射率。3.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案相对于248nm至900nm的波长的光源的反射率为所述反射层的反射率的50％或更小。4.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案相对于248nm至900nm的波长的光源的反射率为2％至30％。5.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案包括从由钌Ru、硅Si、钼Mo、钽Ta、钛Ti和锆Zr构成的组中选择的至少一种。6.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案包括从由氮化硅Si3N4、氧化硅SiO2、氮氧化硅SiON、氧化钽Ta2O5、氧化钛TiO2、氧化铪HfO2和氧化锆ZrO2构成的组中选择的至少一种。7.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述框架图案和所述装置图案包括相同的材料层。8.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述相移图案形成为使得由所述相移图案反射的极紫外线与由所述反射层反射的极紫外线具有180度至300度的相位差。9.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述相移图案包括包含从由钌Ru、钼Mo、铌Nb、钽Ta、钛Ti和锆Zr构成的组中选择的至少一种的相移层。10.根据权利要求9所述的相移掩模，其中，所述相移层还包括碳C、氧O和氮N中的至少一种。11.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述相移图案相对于极紫外具有5％至60％的反射率。12.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述相移图案相对于极紫外具有0.87至0.96的折射率和0.005至0.04的消光系数。13.根据权利要求1所述的相移掩模，其中，所述反射层包括：多层...

【专利技术属性】
技术研发人员：河泰中，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：