单晶炉的电极防护件、电极安装结构和单晶炉制造技术

本公开涉及一种单晶炉的电极防护件、电极安装结构和单晶炉，所述电极防护件用于设置在单晶炉的炉底板的上表面，所述电极防护件包括：通孔，用于使电极穿过，环形防护壁，由所述电极防护件的上表面向上延伸，以包裹在所述电极的外周面上，以及异物储存槽，设置于所述电极防护件的上表面，所述异物储存槽环绕所述环形防护壁。通过上述技术方案，本公开提供的单晶炉电极防护件、单晶炉电极安装结构和单晶炉能够解决电极裸露部分过大易产生打火现象的技术问题。技术问题。技术问题。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉的电极防护件、电极安装结构和单晶炉


[0001]本公开涉及单晶炉设备
，具体地，涉及一种单晶炉电极防护件、单晶炉电极安装结构和单晶炉

技术介绍

[0002]单晶炉在拉晶生产过程中需通过电极向石墨加热系统供电，因此电极的固定方式和结构是保证单晶炉稳定生产和提升的重要因素。电极通常安装在炉底板区域，电极不可与金属炉底板产生接触或产生连导，如产生接触或连导会造成打火现象发生，打火可造成炉底板损坏，严重的会造成拉晶质量事故，产生大量的维修费用。因此，为了避免电极与炉底板接触，通常在金属炉底板与电极之间垫一个类似于平垫圈的圆形陶瓷环，以通过圆形陶瓷环来隔绝电极与金属炉底板的直接接触。
[0003]然而，现有的圆形陶瓷环仅起到隔断电极与炉底板的直接接触的作用，电极的圆周面裸露在外，当电极的圆周面与堆积的粉末状异物或硅料硅液产生接触或连导，可能会导致打火现象发生。

技术实现思路

[0004]本公开的目的是提供一种单晶炉电极防护件、单晶炉电极安装结构和单晶炉，以解决电极裸露部分过大易产生打火现象的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本公开提供一种单晶炉的电极防护件，用于设置在单晶炉的炉底板的上表面，所述电极防护件包括：通孔，用于使电极穿过，环形防护壁，由所述电极防护件的上表面向上延伸，以包裹在所述电极的外周面上，以及异物储存槽，设置于所述电极防护件的上表面，所述异物储存槽环绕所述环形防护壁。
[0006]可选地，所述电极防护件上还设置有与所述通孔同轴的沉头孔，所述沉头孔能够与所述电极配合，以对所述电极进行轴向限位，所述环形防护壁由所述沉头孔的上端向上延伸。
[0007]可选地，所述环形防护壁与所述沉头孔的孔壁一体成型。
[0008]可选地，所述电极防护件构造为环形结构，所述电极防护件的外径大于所述炉底板的电极安装孔的直径。
[0009]可选地，所述电极防护件采用陶瓷材质制成。
[0010]在上述技术方案的基础上，本公开还提供一种单晶炉的电极安装结构，包括：炉底板，设置有用于使电极穿过的电极安装孔，电极防护件，构造上述技术方案中的电极防护件，以及绝缘防护套，设置在所述电极与所述电极安装孔之间，所述绝缘防护套的上端插入所述通孔与所述电极之间，所述绝缘防护套的下端从所述电极安装孔中伸出。
[0011]可选地，所述绝缘防护套采用玻璃纤维材质制成。
[0012]在上述技术方案的基础上，本公开还提供一种单晶炉，包括上述技术方案中的电极安装结构。
[0013]通过上述技术方案，本公开所提供的单晶炉的电极防护件能够避免电极与炉底板的上表面的接触，电极防护件的环形防护壁能够包裹电极的裸露在外的外周面，异物储存槽能够存储粉末状异物等杂质，避免堆积的粉末状异物或硅料硅液与电极的圆周面产生接触或连导。本公开提供的单晶炉的电极安装结构具有与上述技术方案中的电极防护件相同的技术效果，为了避免不必要的重复，在此不做赘述，此外，本公开的电极安装结构的绝缘防护套设置在电极和电极安装孔之间，能够避免电极与电极安装孔之间的直接接触处，进一步提高电极与炉底板之间的绝缘可靠性。本公开提供的单晶炉具有与上述技术方案中的电极安装结构相同的技术效果，为了避免不必要的重复，在此不做赘述。
[0014]本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0015]附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
[0016]图1是本公开具体实施方式中电极防护件的结构示意图；
[0017]图2是图1的剖视图；
[0018]图3是本公开具体实施方式中电极安装结构的结构示意图；
[0019]图4是图3中电极安装结构的局部剖视图。
[0020]附图标记说明
[0021]1‑
电极防护件，11
‑
通孔，12
‑
环形防护壁，13
‑
异物储存槽，14
‑
沉头孔，2
‑
炉底板，21
‑
电极安装孔，3
‑
绝缘防护套，4
‑
电极，41
‑
凸台。
具体实施方式
[0022]以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
[0023]在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是指电极和电极防护件安装于单晶炉的炉底板时，单晶炉处于正常使用状态的上、下，参考附图1至图4的图面方向，“内、外”是指相对于相应零部件自身轮廓的内、外。另外，下面的描述在涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。
[0024]为了实现上述目的，本公开提供一种单晶炉的电极防护件1，参考图3所示，该电极防护件1用于设置在单晶炉的炉底板2的上表面，参考图1、图2和图4所示，电极防护件1可以包括通孔11、环形防护壁12以及异物储存槽13，其中，通孔11用于使电极4穿过，环形防护壁12可以由电极防护件1的上表面向上延伸，以包裹在电极4的外周面上，异物储存槽13可以设置于电极防护件1的上表面，异物储存槽13可以环绕环形防护壁12，以储存杂质。
[0025]通过上述技术方案，本公开所提供的单晶炉的电极防护件1能够避免电极4与炉底板2的上表面的接触，电极防护件1的环形防护壁12能够包裹电极4的裸露在外的外周面，异物储存槽13能够存储粉末状异物等杂质，避免堆积的粉末状异物或硅料硅液与电极4的圆周面产生接触或连导。
[0026]参考图4所示，电极4通常为杆状结构，为了对电极4进行沿其自身的轴向的限位而使得其与炉底板2相对固定，杆状结构的电极4通常构造为阶梯轴，阶梯轴的轴肩能够止挡
在电极防护件1的上表面，以实现对电极4的轴向限位。在本公开的具体实施方式中，电极4可以采用导电性能良好的铜制成，且电极4的外周面上可以设置有沿电极4的径向向外延伸的凸台41，以便于电极4沿轴向的定位安装。参考图4所示，通孔11的直径可以小于凸台41的直径，以使得凸台41能够止挡在通孔11的上端。参考图1、图2和图4所示，电极防护件1上还可以设置有与通孔11同轴的沉头孔14，沉头孔14能够与电极4配合，以对电极4进行轴向限位，例如，沉头孔14可以用于放置凸台41，当凸台41容纳在沉头孔14中时，既能够实现对电极4的轴向限位，又能够避免凸台41沿径向的窜动而实现对凸台41沿径向的限位。
[0027]参考图1、图2和图4所示，环形防护壁12可以由沉头孔14的上端向上延伸，凸台41的下部能够容纳在沉头孔14中，凸台41的上部能够被环形防护壁12所包裹，从而避免凸台41与杂质的接触或连导。
[0028]在本公开的具体实施方式中，环形防护壁12与沉头孔14的孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的电极防护件，其特征在于，用于设置在单晶炉的炉底板的上表面，所述电极防护件包括：通孔，用于使电极穿过，环形防护壁，由所述电极防护件的上表面向上延伸，以包裹在所述电极的外周面上，以及异物储存槽，设置于所述电极防护件的上表面，所述异物储存槽环绕所述环形防护壁。2.根据权利要求1所述的电极防护件，其特征在于，所述电极防护件上还设置有与所述通孔同轴的沉头孔，所述沉头孔能够与所述电极配合，以对所述电极进行轴向限位，所述环形防护壁由所述沉头孔的上端向上延伸。3.根据权利要求2所述的电极防护件，其特征在于，所述环形防护壁与所述沉头孔的孔壁一体成型。4.根据权利要求1所述的电极防护件，其特征在于，所述电极防护件构造为环形...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永洪，杨文凡，
申请(专利权)人：曲靖隆基硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：