【技术实现步骤摘要】
硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和硫酸镁发酵培养基及方法
[0001]本专利技术属于微生物发酵
,具体涉及硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和硫酸镁发酵培养基及方法。
技术介绍
[0002]黄曲霉毒素是一类由黄曲霉、特曲霉、寄生曲霉等霉菌分泌的含有一个双呋喃环和一个香豆素的次级代谢物,是目前发现的自然界中毒性最强、危害最大的霉菌毒素;它具有强烈的致癌、致畸、致突变性等,广泛存在于粮食及食品中,如花生、玉米和奶制品、饲料等。因此,采取有效措施抑制黄曲霉毒素污染十分必要。大量研究也证实,很多细菌、放线菌以及藻类等都可以降解黄曲霉毒素。枯草芽孢杆菌合成、分泌的抗菌物质是具有表面活性的一类抗菌脂肽,而杆菌霉素D是抑制黄曲霉最强且唯一的一种抗生素,具有毒性小,抗菌谱广等特点备受关注。
[0003]但是,现有技术中利用枯草芽孢杆菌在酵母膏、L
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谷氨酸、葡萄糖制备的常规培养基进行发酵培养时杆菌霉素D的产量低。目前还未报道哪些物质能够提高杆菌霉素D产量。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。2.一种硫酸镁发酵培养基,其特征在于,所述硫酸镁发酵培养基包含以下浓度的组分:酵母膏0.5~1.0g/L、L
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谷氨酸2.0~5.0g/L、葡萄糖5.0~20.0g/L、硫酸镁3.0~8.0g/L和水1L。3.权利要求2所述的硫酸镁发酵培养基,其特征在于,所述硫酸镁发酵培养基包含以下浓度的组分:酵母膏1.0g/L、L
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谷氨酸5.0g/L、葡萄糖20.0g/L、硫酸镁3.0g/L和水1L。4.一种提高杆菌霉素D产量的方法,其特征在于,包括以下步骤:采用权利要求2或3所述硫酸镁发酵培养基进行补料分批发酵培养,具体包括:将枯草芽孢杆菌种子液接种于所述硫酸镁发酵培养基进行补料分批发酵培养获得杆菌霉素D。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述补料分批发酵培养中补料的次数为1次;所述补料分批发酵的条件包括:枯草芽孢杆菌种子液接种于硫酸镁...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱时权,许天胜,管婷,高舒亮,李乐,刁恩杰,韩振莲,
申请(专利权)人:淮阴师范学院,
类型:发明
国别省市:
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