EMI磁珠电感制造技术

本实用新型专利技术公开了一种EMI磁珠电感，包括磁芯和至少一金属插针组，所述金属插针组包括至少一第一金属插针，所述第一金属插针具有两个第一插设部和一第一连接部，两个所述第一插设部的第一端通过所述第一连接部相连接，所述磁芯上设有多个插孔，两个所述第一插设部的第二端从两个所述插孔的第一端插入两个所述插孔并从两个所述插孔的第二端伸出。本实用新型专利技术的EMI磁珠电感，易于组装，并且能够更充分的利用磁芯的磁性，绕制在磁芯上的长度也增加，从而提高了EMI磁珠电感在几十兆赫的频段下的抗干扰性能。干扰性能。干扰性能。

【技术实现步骤摘要】
EMI磁珠电感


[0001]本技术涉及电感元器件
，特别地，涉及一种EMI磁珠电感。

技术介绍

[0002]EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)磁珠电感是电子器件中最常见的元器件，是电路中的一种重要组件，通过将线圈绕制在导磁体上，从而形成EMI磁珠电感，目前广泛应用的单匝设计的EMI磁珠电感，成本低，容易组装，但很难在几十兆赫的频段上实现更高的阻抗，导致其在几十兆赫的频段下抑制电磁干扰性能较差，若为了增大阻抗，将多匝线圈安装磁芯中，将磁芯设置成分体结构，线圈组装好之后，将分体的两个磁体组装成整体，由于两个磁体之间存在组装间隙，严重降低了EMI磁珠电感的抑制电磁干扰性能。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种EMI磁珠电感，以解决目前EMI磁珠电感难以在低频段实现较高阻抗的技术问题。
[0004]本技术的上述目的可采用下列技术方案来实现：
[0005]本技术提供一种EMI磁珠电感，包括磁芯和至少一金属插针组，所述金属插针组包括至少一第一金属插针，所述第一金属插针具有两个第一插设部和一第一连接部，两个所述第一插设部的第一端通过所述第一连接部相连接，所述磁芯上设有多个插孔，两个所述第一插设部的第二端从两个所述插孔的第一端插入两个所述插孔并从两个所述插孔的第二端伸出。
[0006]本技术的实施方式中，所述金属插针组还包括至少一第二金属插针，所述第二金属插针具有一第二插设部和一第二连接部，所述第二插设部的第一端从一所述插孔的第二端插入所述插孔并从所述插孔的第一端伸出，所述第二插设部的第二端与所述第二连接部的第一端相连接，所述第二连接部的第二端与所述第一插设部的第二端相连接，所述金属插针组呈线圈状绕制在所述磁芯上。
[0007]本技术的实施方式中，所述金属插针组包括两个所述第二金属插针，两个所述第二金属插针位于所述第一金属插针的两侧，两个所述第二连接部的第二端分别与两个所述第一插设部的两个第二端相连接。
[0008]本技术的实施方式中，所述第一插设部的第二端设有第一焊接脚，所述第二连接部的第二端设有第二焊接脚，所述第一焊接脚与所述第二焊接脚相贴合并焊接连接。
[0009]本技术的实施方式中，所述磁芯上设有至少一第一限位槽和至少一第二限位槽，一所述第一限位槽与两个所述插孔的第一端相连通，所述第一连接部置于所述第一限位槽中，一所述第二限位槽与另一所述插孔的第二端相连通，所述第二连接部置于所述第二限位槽中。
[0010]本技术的实施方式中，所述金属插针组包括至少两个所述第一金属插针，一所述第一金属插针的一所述第一插设部的第二端与另一所述第一金属插针的一所述第一
插设部的第二端相连接，所述金属插针组呈线圈状绕制在所述磁芯上。
[0011]本技术的实施方式中，两个所述第一金属插针的其中一所述第一插设部的第二端朝彼此折弯搭接成一排并焊接连接。
[0012]本技术的实施方式中，所述磁芯上设有至少一第三限位槽，所述第三限位槽与两个所述插孔相连通，两个所述第一金属插针的焊接连接的两个所述第一插设部的第二端并排放置在所述第三限位槽内。
[0013]本技术的实施方式中，所述EMI磁珠电感包括两组金属插针组。
[0014]本技术的实施方式中，所述金属插针组包括一所述第一金属插针和一第三金属插针，所述第三金属插针具有两个第三插设部和一第三连接部，两个所述第三插设部的第一端通过所述第三连接部相连接，两个所述第三插设部的第二端从两个所述插孔的第二端插入两个所述插孔并从两个所述插孔的第一端伸出，所述第一连接部间隔设置在所述第三金属插针的两个所述第三插设部之间，且两个所述第三插设部的第二端均能避让所述第一连接部朝所述磁芯的安装面折弯并与所述磁芯的安装面相贴合，所述第三连接部间隔设置在所述第一金属插针的两个所述第一插设部之间，且两个所述第一插设部的第二端均能避让所述第三连接部朝所述磁芯的安装面折弯并与所述磁芯的安装面相贴合。
[0015]本技术的特点及优点是：
[0016]本技术的EMI磁珠电感，通过将第一金属插针的两个第一插设部直接插入磁芯上的插孔中，并配合第一连接部绕制在磁芯上，易于组装，并且能够更充分的利用磁芯的磁性，绕制在磁芯上的长度也增加，从而提高了EMI磁珠电感在几十兆赫的频段下的抗干扰性能。
[0017]本技术的EMI磁珠电感，通过将第一金属插针的至少一第一插设部与至少一第二金属插针的第二插设部连接，使金属插针组呈线圈状绕制在磁芯上，进一步地增加了金属插针组在磁芯上的绕制长度，并且第一金属插针和第二金属插针均是直接插设在磁芯上，无需将磁芯设置成分体结构，避免磁芯自身的组装间隙而影响EMI磁珠电感的性能，从而进一步地提高了EMI磁珠电感在几十兆赫的频段下的抗干扰性能。
[0018]本技术的EMI磁珠电感，通过将至少两个第一金属插针的其中一第一插设部相连接，使金属插针组呈线圈状绕制在磁芯上，进一步地增加了金属插针组在磁芯上的绕制长度，并且至少两个第一金属插针均是直接插设在磁芯上，无需将磁芯设置成分体结构，避免磁芯自身的组装间隙而影响EMI磁珠电感的性能，从而进一步地提高了EMI磁珠电感在几十兆赫的频段下的抗干扰性能。
[0019]本技术的EMI磁珠电感，通过将一第一金属插针和一第三金属插针分别从磁芯的两端插入，从而能够更充分地利用磁芯的磁性，并且第一金属插针的两个第一插设部和第三金属插针的两个第三插设部能够折弯延伸更长的长度，从而分别增加了第一金属插针和第三金属插针绕制在磁芯上的长度，进而提高了EMI磁珠电感在几十兆赫的频段下的抗干扰性能。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实
施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术的第一实施例的EMI磁珠电感的分解图。
[0022]图2为本技术的第一实施例的EMI磁珠电感的俯视图。
[0023]图3为本技术的第一实施例的EMI磁珠电感的仰视图。
[0024]图4为本技术的第二实施例中磁芯的俯视图。
[0025]图5为本技术的第二实施例中磁芯的仰视图。
[0026]图6为本技术的第二实施例中金属插针组与磁芯的组装示意图。
[0027]图7为本技术的第二实施例中金属插针组的连接示意图。
[0028]图8为本技术的第二实施例的EMI磁珠电感与底座的组装示意图。
[0029]图9为本技术的第三实施例中磁芯的连接示意图。
[0030]图10为本技术的第三实施例中金属插针组与磁芯的组装示意图。
[0031]图11为本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种EMI磁珠电感，其特征在于，包括磁芯和至少一金属插针组，所述金属插针组包括至少一第一金属插针，所述第一金属插针具有两个第一插设部和一第一连接部，两个所述第一插设部的第一端通过所述第一连接部相连接，所述磁芯上设有多个插孔，两个所述第一插设部的第二端从两个所述插孔的第一端插入两个所述插孔并从两个所述插孔的第二端伸出。2.根据权利要求1所述的EMI磁珠电感，其特征在于，所述金属插针组还包括至少一第二金属插针，所述第二金属插针具有一第二插设部和一第二连接部，所述第二插设部的第一端从一所述插孔的第二端插入所述插孔并从所述插孔的第一端伸出，所述第二插设部的第二端与所述第二连接部的第一端相连接，所述第二连接部的第二端与所述第一插设部的第二端相连接，所述金属插针组呈线圈状绕制在所述磁芯上。3.根据权利要求2所述的EMI磁珠电感，其特征在于，所述金属插针组包括两个所述第二金属插针，两个所述第二金属插针位于所述第一金属插针的两侧，两个所述第二连接部的第二端分别与两个所述第一插设部的两个第二端相连接。4.根据权利要求3所述的EMI磁珠电感，其特征在于，所述第一插设部的第二端设有第一焊接脚，所述第二连接部的第二端设有第二焊接脚，所述第一焊接脚与所述第二焊接脚相贴合并焊接连接。5.根据权利要求2所述的EMI磁珠电感，其特征在于，所述磁芯上设有至少一第一限位槽和至少一第二限位槽，一所述第一限位槽与两个所述插孔的第一端相连通，所述第一连接部置于所述第一限位槽中，一所述第二限位槽与另一所述插孔的第二端相连通，所述第二连接部置于所述第二限位槽中。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏年，张日胜，李波，
申请(专利权)人：斯特华佛山磁材有限公司，
类型：新型
国别省市：