可调子像素制造技术

技术编号:35899854 阅读:70 留言:0更新日期:2022-12-10 10:35
一种具有像素的发光装置,包括被配置为发射第一不可调波长的光的第一不可调子像素和被配置为发射可调波长的光的可调子像素。该可调子像素包括:一级发光材料,被配置为响应于一级电输入而发射一级波长的光;以及调谐元件,被配置为响应于第二电输入而将该一级波长修改为二级波长,其中该二级波长是可调谐的。其中该二级波长是可调谐的。其中该二级波长是可调谐的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可调子像素


[0001]本公开涉及显示
,包括子像素的配置。

技术介绍

[0002]在大多数现有的显示技术中,图像是通过像素的融合来呈现的。像素通常具有固定的属性,例如颜色和空间配置。像素可以在空间上配置成组,例如条纹图案,其中组可包括不同颜色的像素,这些像素可以被组合以呈现任何颜色的图像。例如,一种常见的配置是包含红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的三元子像素。子像素的色域内的任何颜色,都可以通过使用三个子像素的组合来呈现,或者使用三个像素的总和来实现白光。另一种配置例子是一组四个子像素,包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
[0003]子像素的颜色一般是固定的,但也可能随着时间的推移而退化,失去亮度或改变颜色。也可为这样的情况:显示器可能用于需要不同分辨率或亮度的应用。本专利技术的目的是提供一种可调子像素,可用于校正局部缺陷、提高分辨率或增加亮度。可调子像素也可用于修改显示器的色域。
[0004]已知量子点可发光。在一个电子从价带被激发到导带的情况下,价带上会留下一个空穴。由此产生的电子空穴对被称为激子,而电子和空穴对的重新结合可能会产生光子的发射。发射的光子的能量可等于带隙能、空穴和受激电子的约束能以及激子的结合能之和。电子可以在能量等于带隙的光子被吸收的情况下被激发,或通过电激发来被激发。

技术实现思路

[0005]在此背景下,提供了一种具有像素的发光装置,该像素包括:
[0006]第一不可调子像素,被配置为发射第一不可调波长的光;以及
[0007]可调子像素,被配置为发射可调波长的光,其中该可调子像素包括:
[0008]一级发光材料,被配置为响应于一级电输入而发射一级波长的光;以及
[0009]调谐元件,被配置为响应于二级电输入而将该一级波长修改为二级波长,其中该二级波长是可调谐的。
[0010]通过这种方式,可调子像素发出的光的颜色可以被修改,像素的属性可以被修改。例如,像素的分辨率、亮度或色域可以被修改,或者局部缺陷可以被纠正。
[0011]一级发光材料可包括量子点。
[0012]有利的是,量子点可以通过电泵浦或光学辅助的电泵浦来发射光。
[0013]调谐元件可包括压电致动器,压电致动器对发光材料施加应力,使量子点产生应变。
[0014]通过这种方式,可以实时修改二级波长,使得可以在使用中调整可调子像素的颜色。
[0015]二级波长可以是应变的函数,而对于二级波长的目标波长可以对应于所施加的应力值。
[0016]通过这种方式,可以控制二级波长的修改,使得二级波长被调谐到特定的值。
[0017]该发光装置还可包括控制器,该控制器被配置为确定二级波长是否等于与所施加的应力值相对应的目标波长,并且在二级波长不等于目标波长的情况下,修改施加于半导体材料的应力,直至二级波长等于目标波长。
[0018]有利的是,在二级波长不在预期值的情况下,可以调整二级波长。
[0019]可调子像素还可包括光发射器,光发射器发射光发射器波长的光。
[0020]量子点还可被配置为修改以光发射器波长发射的光,使得量子点发射的光处于一级波长。
[0021]通过这种方式,量子点可以同时进行光泵浦和电泵浦,这可以增加光增益,从而提高颜色转换效率。
[0022]二级波长可以是应变的函数,对于二级波长的目标波长可以对应于所施加的应力值。
[0023]通过这种方式,可以控制二级波长的修改,使得二级波长被调谐到特定的值。
[0024]可调子像素还可包括二级发光材料,该二级发光材料包括量子点,其中该二级发光材料可被配置为将一级波长的光转换为三级波长的光,并响应三级电输入而发射三级波长的光。
[0025]通过这种方式,一级发光材料所发射的光的波长可以被修改。
[0026]可调子像素还可包括三级发光材料,该三级发光材料包括量子点,其中该三级发光材料可被配置为将三级波长的光转换为四级波长的光,并响应于四级电输入而发射四级波长的光。
[0027]通过这种方式,可以修改一级发光材料和二级发光材料所发射的光的波长。
[0028]一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料可以在所施加的电流高于阈值的情况下发射光,并且在所施加的电流低于阈值的情况下透射光。
[0029]这样,可以通过控制一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料中的哪些发光材料发射光和转换光来调整可调子像素发射的光的波长。在同一时间,一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料中有零个、一个、两个或三个可以发射光。二级波长可以被实时修改,使得可以在使用中调整可调子像素的颜色。
[0030]二级电输入可以是一级电输入、三级电输入和四级电输入中的一个或多个的组合。
[0031]有利的是,一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料中的每一个都可以由一级电输入、三级电输入和四级电输入单独控制,使得可以电调谐可调子像素所发射的光的二级波长。
[0032]二级波长可以是一级波长、三级波长和四级波长的函数。
[0033]有利的是,可以通过控制一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料的发射来准确调谐二级波长。
[0034]可调子像素还可包括光发射器,该光发射器发射光发射器波长的光,并且其中一级发光材料还可被配置为修改该以光发射器波长发射的光,使得一级发光材料发射的光处于一级波长。
[0035]通过这种方式,量子点可以同时进行光泵浦和电泵浦,这可以增加光增益,从而提
高颜色转换效率。
[0036]一级发光材料可包括发光分子,该发光分子被配置为,通过经由二级电输入而施加电场以便影响该发光分子的分子拓扑结构,来发射以下波长的光:在一级波长和二级波长之间是可调谐的。
[0037]通过这种方式,可以实时准确地电调谐可调子像素发射的光的二级波长,使得可以在使用中调整可调子像素的颜色。
[0038]发光装置还可包括二级发光材料,该二级发光材料包括发光分子,该发光分子可被配置为将一级波长的光转换为三级波长的光,并响应于三级电输入而发射三级波长的光。
[0039]通过这种方式,可以修改一级发光材料所发射的光的波长。
[0040]该发光装置还可包括三级发光材料,该三级发光材料包括发光分子,该发光分子可被配置为将三级波长的光转换为四级波长的光,并响应于四级电输入而发射四级波长的光。
[0041]通过这种方式,可以修改一级发光材料和二级发光材料所发射的光的波长。
[0042]一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料可以在所施加的电流在一范围内的情况下发射光,在所施加的电流在所述范围外的情况下透射光。
[0043]这样,可以通过控制一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料中的哪些发光材料发射光和透射光,来调整可调子像素发射的光的波长。在同一时间,一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料中有零个、一个、两个或三个可以发光。二级波本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有像素的发光装置,包括:第一不可调子像素,被配置为发射第一不可调波长的光;以及可调子像素,被配置为发射可调波长的光,其中所述可调子像素包括:一级发光材料,被配置为响应于一级电输入而发射一级波长的光;以及调谐元件,被配置为响应于二级电输入而将所述一级波长修改为二级波长,其中所述二级波长是可调谐的。2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述一级发光材料包括量子点。3.根据权利要求2所述的发光装置,其中所述调谐元件包括压电致动器,所述压电致动器对所述一级发光材料施加应力,以使得所述量子点发生应变。4.根据权利要求3所述的发光装置,其中所述二级波长是应变的函数,且对于所述二级波长的目标波长与所施加的应力值相对应。5.根据权利要求4所述的发光装置,还包括控制器,所述控制器被配置为确定所述二级波长是否等于与所施加的应力值相对应的目标波长,并且在所述二级波长不等于目标波长的情况下,修改施加于半导体材料的应力,直至所述二级波长等于目标波长。6.根据权利要求3至5中任一项所述的发光装置,其中所述可调子像素还包括光发射器,所述光发射器发射光发射器波长的光。7.根据权利要求6所述的发光装置,其中所述量子点还被配置为修改以所述光发射器波长发射的光,使得所述量子点发射的光处于所述一级波长。8.根据权利要求7所述的发光装置,其中所述二级波长是应变的函数,且所述二级波长的目标波长与所施加的应力值相对应。9.根据权利要求2所述的发光装置,其中所述可调子像素还包括二级发光材料,所述二级发光材料包括量子点,其中所述二级发光材料被配置为将所述一级波长的光转换为三级波长的光,并响应于三级电输入而发射所述三级波长的光。10.根据权利要求9所述的发光装置,其中所述可调子像素还包括三级发光材料,所述三级发光材料包括量子点,其中所述三级发光材料被配置为将所述三级波长的光转换为四级波长的光,并响应于四级电输入而发射所述四级波长的光。11.根据权利要求9和10所述的发光装置,其中所述一级发光材料、二级发光材料和三级发光材料在所施加的电流高于阈值的情况下发射光,并且在所施加的电流低于阈值的情况下透射光。12.根据权利要求11所述的发光装置,其中所述二级电输入是所述一级电输入、三级电输入和四级电输入中的一者或多者的组合。13.根据权利要求12所述的发光装置,其中所述二级波长是所述一次波长、三次波长和四次波长的函...

【专利技术属性】
技术研发人员:S
申请(专利权)人:普列斯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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