半导体光学电子装置的支架制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种半导体光学电子装置的支架，所述支架的表面都具有镀层，所述镀层从内向外依次为第一金属层、阻挡层和第二金属层，所述表面包括功能区和非功能区。所述功能区的第二金属层的厚度大于所述非功能区的第二金属层的厚度，其中所述第二金属层为银层。采用本申请的支架无需委托外部厂家执行支架的电镀制程，有利于缩短生产周期，并且可以避免电镀制程影响产品的性能。免电镀制程影响产品的性能。免电镀制程影响产品的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体光学电子装置的支架


[0001]本技术涉及半导体装置领域，具体地涉及一种半导体光学电子装置的支架。

技术介绍

[0002]在半导体装置领域，许多光电元件中都涉及到支架的使用。例如LED元件、光耦合器、光电传感器、红外接收发射模组等。图1是一种光电元件的生产过程流程图。在已经生成晶片、支架和银胶等元件之后，会依次经过固晶、烘烤、焊线、烘烤、封白胶、封黑胶、除胶、电镀、切单颗、测试、外观和包装等步骤，最终获得包装好的电子元件产品。其中焊线步骤需采用金线，封白胶步骤需提供环氧树脂(EPOXY)。电镀步骤通常是委托专门的电镀厂商于支架铜层上来执行锡层电镀，并且是封胶步骤之后。如图1所示的生产流程带来两个问题，其一是生产周期长，委托支架铜层上的锡层电镀的时间往往较长；其二是产品在封胶之后再执行支架铜层上的锡层电镀易对产品性能造成影响。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种缩短生产周期、避免支架铜层上的锡层电镀制程影响产品性能的半导体光学电子装置的支架。
[0004]本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述支架的表面都具有镀层，所述镀层从内向外依次为第一金属层、阻挡层和第二金属层，所述表面包括功能区和非功能区，所述功能区的第二金属层的厚度大于所述非功能区的第二金属层的厚度，其中所述第二金属层为银层。
[0005]在本技术的一实施例中，述功能区的第二金属层的厚度为20微英寸～40微英寸。
[0006]在本技术的一实施例中，所述非功能区的第二金属层的厚度为2微英寸～40微英寸。
[0007]在本技术的一实施例中，所述支架包括基材，所述镀层包裹所述基材。
[0008]在本技术的一实施例中，所述第一金属层是铜层，所述阻挡层是镍层。
[0009]在本技术的一实施例中，所述表面包括正面和背面，所述功能区位于所述正面，所述非功能区包括第一非功能区和第二非功能区，所述第一非功能区位于所述正面，所述第二非功能区位于所述背面。
[0010]在本技术的一实施例中，所述背面都是所述第二非功能区，所述正面由所述功能区和所述第一非功能区组成。
[0011]在本技术的一实施例中，所述支架包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚包括第一固晶区、第一内引脚焊线区和第一外引脚焊线区，所述第二引脚包括第二内引脚焊线区和第二外引脚焊线区，所述功能区包括所述第一固晶区、所述第一内引脚焊线区和所述第二内引脚焊线区，所述非功能区包括所述第一外引脚焊线区和所述第二外引脚焊线区。
[0012]在本技术的一实施例中，所述第二引脚还包括第二固晶区，所述功能区还包括所述第二固晶区。
[0013]在本技术的一实施例中，所述功能区包含固晶区。
[0014]在本技术的一实施例中，所述功能区包含打线区。
[0015]在本技术的一实施例中，所述支架用以承载光电二极管晶片和/或发光二极管晶片。
[0016]本技术的有益效果包括：第一、由于已经在支架的表面全面镀银，因此，在图1所示的生产流程中，可以取消支架铜层上的锡层电镀这一环节，节省了时间和成本；第二、支架镀银的银层厚度从原来的60微英寸下降到20微英寸，节省了材料和成本，且增加支架反射率；第三、支架功能区的镀层从原来的铜
‑
锡结构改变为铜
‑
镍
‑
银的结构，增强了对支架功能区的保护，有利于提高产品性能；第四、支架功能区中的内引脚焊线区的镀银厚度增加到了20微英寸以上，克服了打线不粘、支架容易氧化的缺点。
附图说明
[0017]为让本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0018]图1是一种光电元件的生产过程流程图；
[0019]图2是本申请一实施例的支架的局部结构示意图；
[0020]图3A是本申请实施例一的红外接收模组的支架310的正面311结构示意图；
[0021]图3B是图3A所示支架310的背面312结构示意图；
[0022]图3C是包括图3A所示实施例的支架310的红外接收模组的正视图；
[0023]图3D是图3C所示实施例的红外接收模组的侧视图；
[0024]图4A是本申请实施例二的LED灯的支架410的结构示意图；
[0025]图4B是包括图4A所示实施例的支架410的LED灯的正视图；
[0026]图5A是本申请实施例三的光耦合器件的支架510的结构示意图；
[0027]图5B是图5A所示实施例中的一个支架510的局部示意图；
[0028]图5C是包括图5A所示实施例的支架510的光耦合器件的正视图；
[0029]图5D是图5C所示实施例的侧视图；
[0030]图6是使用本申请一实施例的支架的一种光耦合器的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为让本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明。
[0032]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0033]如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备
也可能包含其他的步骤或元素。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
[0035]此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。
[0036]以下，基于附图对本技术的实施例加以说明。但是，以下所示的实施例是用于将本技术的技术思想具体化的半导体光学电子装置的支架的例示，本技术的半导体光学电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述支架的表面都具有镀层，所述镀层从内向外依次为第一金属层、阻挡层和第二金属层，所述表面包括功能区和非功能区，所述功能区的第二金属层的厚度大于所述非功能区的第二金属层的厚度，其中所述第二金属层为银层。2.如权利要求1所述的半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述功能区的第二金属层的厚度为20微英寸～40微英寸。3.如权利要求1所述的半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述非功能区的第二金属层的厚度为2微英寸～40微英寸。4.如权利要求1所述的半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述支架包括基材，所述镀层包裹所述基材。5.如权利要求1所述的半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述第一金属层是铜层，所述阻挡层是镍层。6.如权利要求1所述的半导体光学电子装置的支架，其特征在于，所述表面包括正面和背面，所述功能区位于所述正面，所述非功能区包括第一非功能区和第二非功能区，所述第一非功能区位于所述正面，所述第二非功能区位于所述背面。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：王昊，赵呈顺，
申请(专利权)人：亿光电子中国有限公司，
类型：新型
国别省市：